2Т118А 1998 транзистор биполярный полупроводниковый
увеличить... |
|
2Т118А транзистора кремниевого:
2Т118А - это биполярный транзистор артикул согласно ГОСТтранзисторы кремний эпитаксиальнопланарные 2-эмиттерные структуры PNP переключающие, используются в модуляторах. Производятся в стеклометаллическом корпусе с изгибаемыми выводами. Транзисторы биполярные полупроводниковые используются в РЭА в широком спектре использования. Обозначение типа транзисторов приводится на металлической части корпуса. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует 2) техническим условиям ЖК3.365.209ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | габариты | параметры |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Расположения выводов схематическое, назначение выводов, габаритные размеры, маркировка
Вес не превышает 0,5g.
Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Наименование параметра (режим измерения), единица измерения | Допуск, меньше |
Падение вольтажа на открытом ключе, mV: при I б=0,5mA, T=+25oС: 2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б | 0,20 |
2Т118В, КТ118В | 0,15 |
Т=-60oС: 2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б | 0,4 |
2Т118В, КТ118В | 0,3 |
Т=+125oC | 0,6 |
при I б=1,5mA, Т=+25oС: 2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б | 0,2 |
2Т118В, КТ118В | 0,15 |
T=+125oC | 1,2 |
T=-60oC | 0,18 |
Сопротивление открытого ключа, Om: при I э=2mA, I б=2mA, Т=+25oC: 2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б | 100 |
2Т118В, КТ118В | 120 |
Т=+125oC: 2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б | 60 |
2Т118В, КТ118В | 70 |
при I э=20mA, I б=40mA, Т=+25oC: 2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б | 20 |
2Т118В, КТ118В | 40 |
T=+125oC: 2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б | 40 |
2Т118В, КТ118В | 80 |
Т=-60oC: 2Т118А, 2Т118Б, КТ118А, КТ118Б | 50 |
2Т118В, КТ118В | 80 |
Ампераж закрытого ключа, uA, при U э=30V для 2Т118А, КТ118А и U ээ=15V для 2Т118Б, 2Т118В, КТ118Б, КТ118В: Т=+25oС | 0,1 |
Т=+125oС | 5 |
Т=-60oС | 0,1 |
Вольтаж на управляющих переходах, V, при T=+25oС и I б=20mA | 1 |
Асимметрия сопротивления открытого ключа, %, при T=+25oC и I б=40mA, I э=20mA | 20 |
Инверсный ампераж коллектор-база1, коллектор-база2, uA, при Т=+25oС и U к=15V | 0,1 |
Продолжительность выключ. транзист. структуры, ns, при R н=1kOm, I б=20mA, U к=5V | 500 |