2т313Б /Элекс/ (Au) 1984
увеличить... |
|
2Т313Б транзистора кремниевого:
2Т313Б - это транзистор биполярный артикул согласно ГОСТтранзисторы полупроводниковые биполярные используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения и назначение их для применения в схемах запуска различных электронных устройств. Триоды полупроводниковые эпитаксиально-планарные n-p-n. Рабочий температурный диапазон от -60 до +125оС. Производятся в стеклянометаллическом корпусе с гибкими контактами. Наименование прибора обозначается по кругу металлической части корпуса. Вес триода не превышает 0,5г. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует 2) техническим условиям 0.336.049ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | параметры | предельные параметры |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения и назначение выводов
Допускается изготовление транзисторов длиной выводов (13,5+-1)mm.
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Название параметра, режим замера, единица замера | Обозначение буквой | Допуск | |||
А | Б | ||||
больше | меньше | больше | меньше | ||
Обратный ток коллектора, uA, при (Ucb=50V) | Icbo | 0,5 | 0,5 | ||
Статический коэффициент передачи тока (Ucb=10V, Ie=1mA) | h21e | 30 | 120 | 80 | 300 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, V (Iс=150mA, Iб=15mA) | Uce sat | 0,5 | 0,5 | ||
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (Uce=20V, Ic=50mA, f=10MHz) | /h21э/ | 2 | 2 | ||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте, ns (Ucb=5V, Ie=1mA, f=30MHz) | tc | 120 | 120 | ||
Обратный ток эмиттера, uA (Ueb=5V) | Iebo | 0,5 | 0,5 | ||
Емкость коллекторного перехода, pF (Ucb=10V, f=10MHz) | Cc | 12 | 12 | ||
Напряжение насыщения база-эмиттер, V (Iс=150mA, Iб=15mA) | Ube sat | 1,3 | 1,3 |
Предельные 2Т313Б параметры