2т316Б /Светлана/ (Ni) 2004
увеличить... |
|
2Т316Б транзистора кремниевого:
2Т316Б - это транзистор биполярный артикул согласно ГОСТтранзисторы полупроводниковые биполярные используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения и назначение их для применения в схемах запуска различных электронных устройств. Триоды полупроводниковые эпитаксиально-планарные n-p-n. Рабочий температурный диапазон от -60 до +125оС. Производятся в стеклянометаллическом корпусе с гибкими контактами. Наименование прибора обозначается по кругу металлической части корпуса. Вес триода не превышает 0,6г. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует 2) техническим условиям 0.336.019ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | параметры | предельные параметры |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения и назначение выводов
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Название параметра, режим замера, единица замера | Обозначение буквой | Допуск | |
больше | меньше | ||
Обратный ток коллектора (при напряжении коллектор-база 10V), uA | Iкбо | 0,5 | |
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером (при напряжении коллектор-база 0, токе эмиттера 10mA): 2Т316А | h21э | 20 | 60 |
2Т316Б, 2Т316В | 40 | 120 | |
2Т316Г | 20 | 100 | |
2Т316Д | 60 | 300 | |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (при токе коллектора 10mA, токе базы 1mA), V | Uкэ.нас | 0,4 | |
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (при напряжении коллектор-база 5V, токе эмиттера 10mA, частоте 10^8Hz): 2Т316А, 2Т316Г | /h21э/ | 6 | |
2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Д | 8 | ||
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте (при напряжении коллектор-база 5V, токе эмиттера 10mA, частоте 10^7Hz), ns. 2Т316Г, 2Т316Д | tк | 150 | |
Обратный ток эмиттера (при напряжении эмиттер-база 4V), uA | Iэбо | 1 | |
Время рассасывания (при токе коллектора в режиме насыщения 10mA, токе базы в режиме насыщения 1mA, импульсном токе базы 1,2mA, сопротивлении нагрузки в цепи коллектора 75Om), ns: 2Т316А, 2Т316Б | tрас | 10 | |
2Т316В | 15 | ||
Емкость коллекторного перехода (при напряжении коллектор-база 5V, частоте 10^7Hz), pF | Cк | 3 | |
Емкость эмиттерного перехода (при напряжении эмиттера-база 0V, частоте 10^7Hz), pF | Cэ | 2.5 | |
Напряжение насыщения база-эмиттер (при токе коллектора 10mA, токе базы 1mA), V | Uбэнас | 1,1 | |
Граничное напряжение (при токе эмиттера 1mA), V | Uкэогр | 5 |
Предельные 2Т316Б параметры