2т363А /Альфа/ (Au) 1992
увеличить... |
|
2Т363А транзистора кремниевого:
2Т363А - это биполярный транзистор артикул согласно ГОСТтранзисторы кремний высокочастотные PNP транзисторы малой мощности, (fгр=1,8GHz (гр. А) и 2,3GHz (гр. Б); Рк.max=150mW (гр. А, Б); Uкэ max=15V (гр. А) и 12V (гр. Б)), для применения в схемах усиления и переключения РЭА. Производятся в стеклометаллическом корпусе с изгибаемыми выводами КТ-1-7. Транзисторы биполярные полупроводниковые используются в РЭА в широком спектре использования. Обозначение типа транзисторов приводится на металлической части корпуса. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует 2) техническим условиям ЩТО.336.008ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | габариты | параметры |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Расположения выводов схематическое, назначение выводов, габаритные размеры, маркировка
Вес не превышает 0,5g.
Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Наименование параметра (режим измерения), единица измерения | Буквенное обозначение | Допуск | |||
2Т363А | 2Т363Б | ||||
больше | меньше | больше | меньше | ||
Инверсный ампераж коллектора, мкА (UКБ=15V) | IКБО | 0,5 | 0,5 | ||
Инверсный ампераж эмиттера, мкА (UКБ=4V) | IЭБО | 0,5 | 0,5 | ||
Статический КП тока (UКБ=5V, IЭ=5mA, tИ<2ms) | h21Э | 20 | 120 | 40 | 120 |
Модуль коэффициента передачи тока на высшей частоте (UКБ=5V, IЭ=5mA, f=100MHz) | /h21Э/ | 10 | 15 | ||
Вольтаж насыщения коллектор/эмиттер (IК=10mA, IБ=1mA), V | UЭнас | 0,35 | 0,35 | ||
Вольтаж насыщения база/эмиттер (IК=10mA, IБ=1mA), V | UБЭнас | 1,1 | 1,1 | ||
Константа времени цепи ОС на высшей частоте, ps (UКБ=5V, IЭ=5mA, f=30MHz) | tк | 50 | 75 | ||
Емкость коллекторн. перех. (UКБ=5V, f=10MHz), pF | Cк | 2 | 2 | ||
Емкость эмиттерн. перех., pF (UЭБ=0V, f=10MHz) | Cэ | 2 | 2 | ||
Продолжительность рассасывания, ns (IК=10mA, IБ=1mA) | tРАС | 10 | |||
(IК=10mA, IБ=0,5mA) | 5 |
Предельные 2Т363А параметры