2Т690АС 1989 транзистор биполярный полупроводниковый
увеличить... |
|
2Т690АС матрицы полупроводниковой:
2Т690АС - это транзисторная матрица (артикулярное наименование по ГОСТ)полупроводниковые транзисторные матрицы кремний системы NPN переключающие импульсные, с мощностью рассеивания до 0,4W и с граничной частотой КП тока не больше 300MHz. Назначение для использования в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах. Сборки биполярные полупроводниковые состоят из четырех электрически изолированных переключающих СВЧ транзисторов и используются в РЭА в широком спектре использования. Матрицы выполнены в стеклометаллическом корпусе. Модель прибора, знак завода и дата выпуска наносится на верхней металической части корпуса. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует 2) техническим условиям аА0.339.759ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | габариты | параметры |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Расположения выводов схематическое, назначение выводов, габаритные размеры, маркировка
Вес не превышает 0,4g.
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Наименование параметра (режим замера), единица замера | Обозначение буквой | Допуск | |
больше | меньше | ||
Статический КП тока в схеме с общим эмиттером | h 21э | 50 | 150 |
Постоянная времени цепи ОС на высокой частоте, ps | Rб*Cк | - | 40 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, V | Uкэнас | - | 45 |
Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база, V | Uкб | - | 45 |
Напряжение коллектор-эмиттер, V | Uкэ | - | 4 |
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, V | Uэб | 0,3 | 0,6 |
Емкость коллекторного перехода, pF | Cк | - | 20 |
Емкость 2Т690АС эмиттерного перехода, pF | Сэ | - | 35 |