2Т818Б 1988 транзистор биполярный полупроводниковый
увеличить... |
|
2Т818Б транзистора кремниевого:
2Т818Б - это транзистор биполярный артикул согласно ГОСТтранзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные p-n-p типа переключающие используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения и предназначены для применения в усиливающих и переключающих схемах. Производятся в металлостеклянном корпусе. Марка триода наносится на металлической части корпуса. Вес не превышает 20g. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует техническим условиям: 2) аА0.339.141ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | параметры | предельные параметры |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Расположения выводов схематическое и назначение выводов
Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Наименование параметра, режим измерения, единица измерения | Буквенное обозначение | Допуск | |
больше | меньше | ||
Вольтаж пробития коллектор-база при Iк=1mA, V: 2Т818А | Uкбо проб | 100 | |
2Т818Б | 80 | ||
2Т818В | 60 | ||
Граничное вольтаж при Iэ=100mA, tu<=300us, Q>100, V: 2Т818А |
Uкэо гр | 80 | |
2Т818Б | 60 | ||
2Т818В | 40 | ||
Вольтаж пробития эмиттер-база при Iэ=5mA, V | Uэбо проб | 5 | |
Статический КП тока при Uкб=-5V, Iэ=5A | h21э | 20 | |
Вольтаж насыщения база-эмиттер при Iк=5A, Iб=0,5A, V | Uбэ нас | 1,5 | |
Вольтаж насыщения коллектор-эмиттер при Iк=5A, Iб=0,5A, V | Uкэ нас | 1 |
Предельные 2Т818Б параметры