2т825Б 1983 транзистор биполярный полупроводниковый
увеличить... |
|
2Т825Б транзистора кремниевого:
2Т825Б - это транзистор биполярный артикул согласно ГОСТтранзисторы кремний меза-планарные PNP типа переключающие используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения и назначены для применения в линейных и ключевых схемах. Производятся в металлостеклянном корпусе. Марка триода наносится на металлической части корпуса. Вес не превышает 20g. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует ТУ: 2) аА0.339.054ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | параметры | предельные параметры |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Расположения контактов схематическое и назначение контактов
Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Наименование параметра, режим замера, единица замера | Буквенное обозначение | Допуск | |
больше | меньше | ||
Вольтаж пробития коллектор-эмиттер ( Iк=0,001A, Uбэ=1,5V), V: 2Т825А | Uкэх проб | 100 | |
2Т825Б | 80 | ||
2Т825В | 60 | ||
Граничное вольтаж (Iк=0,1A, tu<=300us, Q>100), V: 2Т825А |
Uкэо гр | 80 | |
2Т825Б | 60 | ||
2Т825В | 45 | ||
Вольтаж пробития эмиттер-база (Iэ=0,002A), V | Uэбо проб | 5 | |
Статический КП тока (Uкб=10V, Iэ=10A): 2Т825А | h21э | 500 | 18000 |
2Т825Б, 2Т825В | 750 | 18000 | |
Вольтаж насыщения база-эмиттер ( Iк=10A, Iб=0,04A), V | Uбэ нас | 3 | |
Вольтаж насыщения коллектор-эмиттер ( Iк=10A, Iб=0,04A), V | Uкэ нас | 2 |
Предельные 2Т825Б параметры