2Т831Б 1990 транзистор биполярный полупроводниковый
увеличить... |
|
2Т831Б транзистора кремниевого:
2Т831Б - это транзистор биполярный артикул согласно ГОСТтранзисторы кремниевые эпитаксиальнопланарные системы NPN усилителливающие используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения и предназначены для применения в усиливающих мощность, вторичных источниках питания преобразующей и другой аппаратуре. Производятся в металлостеклянном корпусе КТ-2-7 ГОСТ 18472-88. Марка триода наносится на металлической части корпуса. Вес не превышает 1,45g. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует техническим условиям: 2) аА0.339.140ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | параметры | предельные параметры |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Расположения выводов схематическое и назначение выводов
Транзисторы чувствительны к воздействию статического электричества.
Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Наименование параметра, режим замера, единица замера | Буквенное обозначение | Допуск | |
больше | меньше | ||
Статический КП тока (Uкб=1V, Iэ=1A): 2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В | h21э | 25 | |
2Т831Г | 20 | ||
Граничное вольтаж, V (Iэ=0,1A, tu<=300us, Q>100): 2Т831А | Uкэогр | 25 | |
2Т831Б | 45 | ||
2Т831В | 60 | ||
2Т831Г | 80 | ||
Вольтаж насыщения коллектор-эмиттер, V (Iк=1A, Iб=0,1A) | Uкэнас | 0,6 | |
Вольтаж насыщения база-эмиттер, V (Iк=1A, Iб=0,1A) | Uбэнас | 1,3 | |
Вольтаж пробития коллектор-база, V (Iк=0,1mA): 2Т831А | Uкбо проб | 35 | |
2Т831Б | 60 | ||
2Т831В | 80 | ||
2Т831Г | 100 | ||
Вольтаж пробития эмиттер-база, V (Iэ=1mA) | Uэбо проб | 12 |
Предельные параметры