556РТ7А 1990 микросхема интегральная полупроводниковая
увеличить... |
|
556РТ7А микросхема полупроводниковая:
556РТ7А - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом программируемое постоянно запоминающее устройство с тремя состояниями на выходе, емкостью 16384 бит, 2048 слов х 8 разрядов в корпусе 405.24-2.03. Коэффициент программирования для микросхемы гарантируется больше 0,65 при поставке до 100шт, больше 0,75 при поставке от 100 до 1000 штук, больше 0,85 при поставке более 1000 микросхем. При условии выполнения требований руководства по программированию. Микросхемы выполнены в керамометаллическом корпусе с гибкими выводами. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125град С. Климатически исполнены УХЛ и В. Микросхемы 2) согласована техусловиям 0.347.239 ТУ, 0.347.239 ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | параметры | предельные параметры |
эксплуатация | производитель | |
Знак завода изготовителя
Схема расположения контактов
Значение контактов
Контакт | Цепь | Контакт | Цепь |
1 | Адресный вх, А7 | 13 | Информационный вых, Q3 |
2 | Адресный вх, А6 | 14 | Информационный вых, Q4 |
3 | Адресный вх, А5 | 15 | Информационный вых, Q5 |
4 | Адресный вх, А4 | 16 | Информационный вых, Q6 |
5 | Адресный вх, А3 | 17 | Информационный вых, Q7 |
6 | Адресный вх, А2 | 18 | Вх разрешения выборки, ESE3 |
7 | Адресный вх , А1 | 19 | Вх разрешения выборки, ESE2 |
8 | Адресный вх, А0 | 20 | Вх разрешения выборки, ESE1 |
9 | Информационный вых, Q0 | 21 | Адресный вх, А10 |
10 | Информационный вых, Q1 | 22 | Адресный вх, А9 |
11 | Информационный вых, Q2 | 23 | Адресный вх, А8 |
12 | Общий 0V | 24 | Питание Uсс |
Основные электро показатели при t=25+-10 градусов Цельсия
Наименование показателя, единица замера, режим замера. | Буквенное обозначение | Норма | Температура, oC | |
больше | меньше | |||
Вольтаж на выходе низшего значения, V (Uсс=5V+-10%, I ОL=15mA) | U ОL | - | 0,5 | 25, 125, -60 |
Вольтаж на выходе высшего значения, V (Uсс=5V+-10%, I ОH=-2mA) | U ОH * | 2,4 | - | |
Ампераж на входе низшего значения, mA (Uсс=5V+-10%, U 1L=0,45V) | I 1L | -0.25 | - | |
Входной ток высокого уровня, mA (Uсс=5V+-10%, U IН=5,5V) | I IН | - | 40 | |
Выходной ток высокого уровня в состоянии выключено, uA (Uсс=-5V+-10%, U ОH=5,5V) | I ОZH | - | 100 | |
Выходной ток низкого уровня в состоянии выключено, uA (Uсс=-5V+-10%, U ОL=0,5V) | I ОZL | -100 | - | |
Ток потребления 556РТ7А, mA (Uсс=5V+-10%) | Iсс | - | 185 | |
Время выборки разрешения, ns (Uсс=5V, R L1=470Om, R L2=1000Om, C L=30pF) | t ACSZL | - | 40 | 25 |
(Uсс=5V, R L=1000Om, C L=30pF) | t ACSZH * | 50 | 125, -60 | |
Время выборки адреса, ns (Uсс=5V, R L1=470Om, R L2=100Om, C L=30pF) | t AAHL * | - | 60 | 25 |
t AALH * | 80 | 125, -60 | ||
Время выборки хранения , ns (Uсс=5V, R L1=470Om, R L2=1000Om, C L=30pF) | t RCSLZ * | - | 40 | 25 |
(Uсс=5V, R L=1000Om, C L=30pF) | t RCSHZ * | 50 | 125, -60 | |
Входная емкость, pF (Uсс=5V, U I=2,5V) | C I | - | 10 | 25 |
Входная емкость, pF (Uсс=5V, U O=2,5V) | С O | - | 15 | |
Емкость по выводу питания , pF (Uсс=2,5V) | Ccc | - | 3000 |
1. * - для запрограммированных микросхем.
2. R L - сопротивление нагрузки, C L - емкость нагрузки.
3. U IН=(2,4-4,5)V, U 1L=(0-0,5)V, U TH=2V, U TL=0,8V.
4. Верхнее значение температуры 125oC на корпусе микросхемы
Предельные 556РТ7А параметры