588ВГ2 осм 1991 микросхема интегральная полупроводниковая
увеличить... |
|
588ВГ2 микросхемы полупроводниковой:
588ВГ2 ОСМ - это цифровая микросхема технологии КМОП, функциональное назначение контроллер запоминающего устройства и используются в РЭА в большой области эксплуатации в аппаратуре с жестко ограниченным энергопотреблением и весогабаритными характеристиками. Производятся в керамометаллическом корпусе 427.18-1. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125град С. Климатически исполнены УХЛ и соответствует 2) техусловиям бК0.347.367-05ТУ.Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | параметры | предельные параметры |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Расположение выводов схематическое
Микросхема интегральная назначение выводов
Номер контакта | Значение | Номер контакта | Значение |
1 | Вых Ответ устройства AN | 10 | Вх Чтение данных RD |
2 | Вх/вых Задержка при чтении DLRD | 11 | Вх сигнала Запись/ Байт WR / ВY |
3 | Вх Синхронизация обмена SYNA | 12 | Вх сигнала, сравниваемого с АD13, А13 |
4 | Вх 15-разряда магистрали адреса данных АD15 | 13 | Вх сигнала, сравниваемого с АD14, А14 |
5 | Вх 14-разряда магистрали адреса данных АD14 | 14 | Вх сигнала, сравниваемого с АD15, А15 |
6 | Вх 13-разряда магистрали адреса данных АD13 | 15 | Вых выборки кристалла для старшего байта CS1 |
7 | Вх 13-разряда магистрали адреса данных АD0 | 16 | Вых выборки кристалла для младшего байта CS0 |
8 | Вх Запись данных WR | 17 | Вх/вых Задержка при записи DLWR |
9 | Общий вывод 0V | 18 | Выв питания от источника напряжения U |
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Название характеристики, единица и режим замера | Буквенное обозначение | Норма | |
больше | меньше | ||
Вых напряжение высокого уровня, V (U сс=5V+-10%, U IH=(U сс-0,8)V, I ОH=/-0,4/mA) | U OH | U CC-0,4 | - |
Вых напряжение низкого уровня, V (U сс=5V+-10%, U IL=0,8V, U IH=(U сс-0,8)V, I ОL=0,8mA) | U OL | - | 0,4 |
Вых ток низкого уровня, mA (U сс=5V+-10%, U IL=0,8V, U IH=(U сс-0,8)V, U ОL=0,4V): по выв 15, 16 | I OL | 3, 2 | - |
по выв 01 | 5,0 | ||
Вых ток высокого уровня, mA (U сс=5V+-10%, U IL=0,8V, U IH=(U сс-0,8)V, U ОH=(U сс-0,4)V) | I OH | /-0,8/ | - |
Вх ток высокого уровня, uA (U сс=5V+-10%, U IH=(U сс-0,8)V) | I IH | - | 1,0 |
Вх ток низкого уровня, uA (U сс=5V+-10%, U IL=0,8V) | I IL | - | /-1,0/ |
Вых ток низкого уровня в состоянии Выключено, uA (U сс=5V+-10%, U IH=(U сс-0,4)V, U ОL=0V) | I OZL | - | /-500/ |
Ток потребления, mA (U сс=5V+-10%, U IH=(U сс-0,4)V) | I CC | - | 0,015 |
Время задержки распространения сигнала, ns (U IH=(U cс-0,4)V, U IL=0,4V, С L<=100pF, t LH,t HL<=30ns): U сс=5V, Uсс=5,5V | tР(SYNA,HL-CS,HL) | 25 | 150 |
U сс=4,5V | 25 | 200 | |
Время задержки распространения сигнала, ns (U сс=5V+-10%, U IL=0,4V, U IH=(U cс-0,4)V, С L<=100pF, t LH=t HL<=30ns) | tР(SYNA,LH-CS,LH) | - | 180 |
tР(RD-AN) | - | 130 | |
tР(WR-AN) | - | 130 | |
Вых ток высокого уровня в состоянии Выключено, uA (U сс=5V+-10%, U IH=(U сс-0,4)V, U OH=U сс | I ОZH | - | 500 |
Предельные 588ВГ2 параметры