ИМ1821ВМ85А 1991 микросхема интегральная полупроводниковая
увеличить... |
|
ИМ1821ВМ85А микросхемы полупроводниковой:
ИМ1821ВМ85А - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом восьмиразрядный процессор. Микросхемы выполненны в керамометаллическом корпусе 2123.40-6. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Функциональный аналог 80C85A/80C85A-2 ф.Intel. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ и соответсвуют 2) техническим условиям бК0.347.489-01ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема контактов |
значение контактов | параметры | графическое обозначение |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения контактов микросхемы
Вес не превышает 7,75g.
Условное графическое обозначение
Таблица назначения контактов микросхемы
№ контакта |
Обознач. | Назначение контактов |
№ контакта |
Обознач. | Назначение контактов |
1 | BQ1 | Выв соединения кварца RCцепи, LCцепи или внешнего генератора | 21 | A8 | Вых /Адрес/ |
2 | BQ2 | Выв соединения кварца RCцепи | 22 | A9 | то же |
3 | SRS | Вых /Начальная установка системы/ | 23 | A10 | то же |
4 | TFD | Вых /Передача последоват. данных/ | 24 | A11 | то же |
5 | RCD | Вх /Прием последоват. данных/ | 25 | A12 | то же |
6 | INR5 | Вх Прерывание5 | 26 | A13 | то же |
7 | INR4 | Вх Прерывание4 | 27 | A14 | то же |
8 | INR3 | Вх Прерывание3 | 28 | A15 | то же |
9 | INR2 | Вх Прерывание2 | 29 | SAO | Вых /Состояние/ |
10 | INR1 | Вх Прерывание1 | 30 | EWRA | Вых /разрешение записи адреса/ |
11 | AKINR1 | Вых /Подтверждение прерывания/ | 31 | WR | Вых /Запись/ |
12 | AD0 | Вх/вых /Адрес-данные/ | 32 | RD | Вых /Считывание/ |
13 | AD1 | то же | 33 | SA1 | Вых /Состояние/ |
14 | AD2 | то же | 34 | E10 | Вых /Разрешение обращения к устройствам ввод/выв/ |
15 | AD3 | то же | 35 | RA | Вх /Готовность/ |
16 | AD4 | то же | 36 | SR | Вх /Установка процессора в исходное состояние/ |
17 | AD5 | то же | 37 | C | Вых /Тактовая частота/ |
18 | AD6 | то же | 38 | AKRQM | Вых /Подтверждение запроса непосредственного доступа к памяти/ |
19 | AD7 | то же | 39 | RQM | Вх непосредственного доступа к памяти |
20 | 0V | Общий выв | 40 | Ucc | Питание |
Электрические параметры при t=(25+-)оС
Наименование параметра, режим замера, единица измерения |
Буквенное обозначение |
ВМ85, ВМ85А | |
больше | меньше | ||
Ток потребления, uA (Ucc=5,5V) | Icc | - | 100 |
Вх ток низкого и высокого уровня, uA (U CC=5,5V, U IL=0V, U IH=U CC) | I IL, I IH | - | 0,1 |
Вых ток низкого и высокого уровня в состоянии Выключено, uA (U CC=U OH=5,5V, U IL=0,8V, U IH=3,0V, U OL=0) | I OZL, I OZH | - | 0,5 |
Вых напряжение, V: низкого уровня (U CC=4,5V, U IL=0,8V, U IH=3,0V, I OL=2,0mA) | U OL | - | 0,4 |
высокого уровня (U CC=4,5V, U IL=0,8V, U IH=3,0V, I OL=1,2mA) | U OH | 3,0 | - |
Время задержки сигнала EWRA относительно сигналов А8...А15, ns (U CC=4,5V, U IL=0...0,5V, U IH=4...4,5V, C L=150pF): f CO=5,0MHz |
t D (A-EWRA) |
- | 50 |
f CO=3,0*MHz | 115* | ||
Время установления вых данных D0...D7 относительно сигнала WR, ns (U CC=4,5V, U IL=0...0,5V, U IH=4...4,5V, C L=150pF): f CO=5,0MHz |
t SU (WR-D) |
230 | - |
f CO=3,0*MHz | 420* | ||
Время удержания вых данных D0...D7 относительно сигнала WR, ns (U CC=4,5V, U IL=0...0,5V, U IH=4...4,5V, C L=150pF): f CO=5,0MHz |
t H (WR-D) |
60 | - |
f CO=3,0*MHz | 100* | ||
Частота тактовых сигналов на вых, MHz (U CC=4,5V, U IL=0...0,5V, U IH=4...4,5V, C L=150pF) | f C | - |
5,0 3,0* |