К573РФ6А 1992 микросхема интегральная полупроводниковая
увеличить... |
|
К573РФ6А микросхемы полупроводниковой:
К573РФ6А - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом электропрограммируемое ПЗУ объемом 64kbit (8kх8) с ультра-фиолетовым стиранием данных, позволяющее долгую сохраность данных независимо от режима работы и возможностью перезаписи информации в режиме селективного программирования. Микросхемы выполнены в металлокерамическом корпусе 2121.28-6 со стеклянным окном. Тип прибора указывается на керамической части корпуса. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125 град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ. Микросхемы соответствуют техническим условиям.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
графическое обозначение | параметры | структурная схема |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения выводов
Вес не превышает 5g.
Условно графическое обозначение
Структурная схема
Назначение выводов
Контакт | Цепь | Контакт | Цепь |
1 | напряжение программирования UPR | 15 | вых DIO3 |
2 | адрес A12 | 16 | вых DIO4 |
3 | адрес A7 | 17 | вых DIO5 |
4 | адрес A6 | 18 | вых DIO6 |
5 | адрес A5 | 19 | вых DIO7 |
6 | адрес A4 | 20 | вх CS |
7 | адрес A3 | 21 | адрес A10 |
8 | адрес A2 | 22 | включение вых ОЕ |
9 | адрес A1 | 23 | адрес A11 |
10 | адрес A0 | 24 | адрес A9 |
11 | вых DIO0 | 25 | адрес A8 |
12 | вых DIO1 | 26 | свободный |
13 | вых DIO2 | 27 | программирование PGM |
14 | общий | 28 | напряжение питания |
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Название характеристики, единица и режим замера | Норма | |||
К573РФ6А | К573РФ6Б | |||
больше | меньше | больше | меньше | |
Номинальное питающее напряжение, V | 5-5% | 5+5% | 5-5% | 5+5% |
Напряжение на выходе высокого уровня, V (Uп=4,75V, Uпp=4,75V, Uвх1=2,2V, Uвх0=0,6V): в режиме Считывание; | 2,4 | 2,4 | ||
при программировании. | 2 | 2 | ||
Напряжение на выходе низкого уровня, V: в режиме Cчитывание; | 0,4 | 0,4 | ||
при программировании. | 1 | 1 | ||
Ток потребляемый, mA (Uп=5,25V): в режиме Cчитывания; | 100 | 100 | ||
при программировании. | 150 | 150 | ||
Ток потребляемый при хранении по выв1, mA: в режиме Cчитывания; | 4 | 4 | ||
при программировании; | 30 | 30 | ||
в режиме /невыбор ИС/. | 15 | 15 | ||
Ток потребляемый при /невыбор ИС/, mA | 40 | 40 | ||
Ток на выходе уровня: низкого, mA; | 1,6 | 1,6 | ||
высокого, uA. | /-100/ | /-100/ | ||
Ток утекающий на входе при, uA: считывание; | 30 | 30 | ||
невыбор ИС. | 30 | 30 | ||
Мощность потребления при, mW: обращения; | 870 | 870 | ||
хранения. | 265 | 265 | ||
Длительность установления высокого импеданса на вых, ns | 150 | 150 | ||
Длительность нарастания фронта (спада), ns | 100 | 100 | ||
Длительность выбора адреса при Считывании,ns (Uп=4,75V, Uпp=4,75V, Uвx1=2,4V, Uвх0=0,4V) | 280 | 400 | ||
Длительность выбора по выводу, ns: 20; | 300 | 450 | ||
22. | 150 | 150 | ||
Длительность хранения информации: выключенном состоянии, лет; | 5 | 5 | ||
включенном состоянии, часов. | 2*10^4 | 2*10^4 | ||
Количество циклов перепрограммирования | 25 | 25 |
Предельные К573РФ6А параметры