129НТ1Е-1, Микросхема интегральная

для приобретения (купить, заказать) данного товара напишите нам на sales@iElekt.ru или перейдите по ссылке на страницу покупки заинтересовавшего Вас товара: ЗАКАЗАТЬ.

Вернуться на "главную" страницу сайта ГЛАВНАЯ.

Согласовать цену, уточнить наличие и условия поставки компонентов или связаться с менеджером. Перейдите в раздел КОНТАКТЫ.



129НТ1Е микросхемы полупроводниковой:

129НТ1Е-1 — интегральная микросхема артикул согласно ГОСТ
микросхемы бескорпусные используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения и предназначена микросхема интегральная бескорпусная для работы в качестве базовой схемы дифференциального усилителя. Применяется в качестве элементов составных интегральных чипов, микрочипов, блоков и аппаратуры, создающих герметичность и защищенность диодов СВЧ от влияния высокого уровня влажности, солей пыли, плесени, изморози и водяных осадков и перепадов давления. Модель прибора указывается на индивидуальной таре. Климатическое исполнение микросхем УХЛ и соответствует техническим условиям ТУ.
Микросхема 2) соответствует техническим условиям 3.456.013ТУ.

Ссылки на технические материалы

ссылки на 129НТ1Е-1 дополнительный материал:
карта фото схема выводов
значение выводов параметры предельные параметры
эксплуатация PDF  
     

Знак завода изготовителя

знак завода изготовителя знак завода изготовителя знак завода изготовителя

Схема расположения выводов

схема расположения выводов

Назначение выводов

таблица 129НТ1Е-1 назначения выводов:
Номер вывода Назначение вывода Номер вывода Назначение вывода
1 Коллектор VT2 4 Коллектор VT1
2 База VT2 5 База VT1
3 Эмиттер VT2 6 Эмиттер VT1

Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия

таблица основные 129НТ1Е-1 электро параметры:
Название характеристики, режим и единица замера Буквенное обозначение Тип микросхем Норма
не менее не более
Обратный ток коллектора, nA (Uсb=20V) J CBO А-И - 20
Обратный ток эмиттера, nA (Ube=4V) J EBO А-И - 50
Начальный ток коллектора, nA (Uсe=15V, Rb=10^4) J CBS А-И - 50
Ток утечки между транзисторами, nA (Ut1,t2=25V) J t1, t20 А-И - 10
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте (Uсb=5V, Je=3mA, f=10^8Hz) /h21e/ А, Г, Д, Е, Ж, И 2,5 -

Б

В

3,5

4,5

-

-

Емкость коллекторного перехода, pF (Uсb=5V, f=10^7Hz) Cc А-И - 3
Емкость эмиттерного перехода, pF (Ube=1V, f=10^7Hz) Cc А-И - 4
Статический коэффициент прямой передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большлго сигнала (Ucb=5V, f=50Hz, tu=2ms): Je=1mA h21e А, Г 30 90
Б, Д 60 180
Ж, И 40 160
Je=0.05mA В, Е 80 -
Отношение статических коэффициентов в прямой передачи токов в схеме с общим эмиттером в режиме большлго сигнала (Ucb=5V, f=50Hz, tu=2ms): Je=1mA h21e1/h21e2 А, Б, Ж 0,90 -
Г, Д, И 0,80 -
Je=0.05mA В 0,92 -
Е 0,80 -
Прямое напряжение эмиттер-база, V (Uсb=5V, Je=1mA) U EB А-И 0.55 0.75
Модуль разности прямых напряжений эмиттер-база, mV (Uсb=5V, Je=1mA) /Ueb1-Ueb2/ А, Б, В, Ж - 3
Г, Д, Е, И - 10

Предельные 129НТ1Е-1 параметры





© ЭЛЕКТ (iElekt.ru) - радиодетали и электронные компоненты оптом со склада в Санкт-Петербурге и на заказ, отечественных и зарубежных производителей почтой во все регионы России
Доставка в города: Нальчик, Нарьян-Мар, Вологда, Курск, Краснодар, Липецк, Сыктывкар, Омск, Симферополь, Санкт-Петербург, Петропавловск-Камчатский, Воронеж, Киров, Пермь, Горно-Алтайск, Псков, Салехард, Волгоград, Владимир, Нижний Новгород, Ульяновск, Пенза, Калуга, Саранск, Челябинск, Грозный, Московская область, Уфа, Владивосток, Кызыл, Томск, Чита, Казань, Смоленск, Элиста, Тула, Астрахань, Екатеринбург, Дудинка, Курган, Якутск, Иркутск, Новосибирск, Калининград, Барнаул, Кемерово, Ростов-на-Дону, Хабаровск, Ставрополь, Ханты-Мансийск, Абакан, Владикавказ, Магадан, Рязань, Красноярск, Оренбург, Биробиджан, Благовещенск, Магас, Великий Новгород, Белгород, Южно-Сахалинск, Тюмень, Петрозаводск, Чебоксары, Кострома, Ярославль, Орел, Анадырь, Махачкала, Майкоп, Самара, Черкесск, Мурманск, Йошкар-Ола, Ижевск, Москва, Тамбов, Улан-Удэ, Иваново, Архангельск, Тверь, Брянск, Саратов.