198НТ1Б, Микросхема интегральная
для приобретения (купить, заказать) данного товара напишите нам на sales@iElekt.ru или перейдите по ссылке на страницу покупки заинтересовавшего Вас товара:
.Вернуться на "главную" страницу сайта
. Согласовать цену, уточнить наличие и условия поставки компонентов или связаться с менеджером. Перейдите в раздел
.
198НТ1Б микросхемы полупроводниковой:
198НТ1Б — цифровая микросхема являются транзисторной логикой с функционалом матрицы транзисторов NPN типаи используются в РЭА в большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе 401.14-5. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125град С. Климатически исполнены УХЛ и соответствует 2) техусловиям ШП0.348,002ТУ.Ссылки на технические материалы
| карта | фото ТИП1, ТИП2 | схема выводов ТИП1, ТИП2 |
| значение выводов | параметры | предельные параметры |
| эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Расположения выводов схематическое
ТИП1 вес не превышает 0,5g.
ТИП2 вес не превышает 0,6g.
Схема электрическая принципиальная для НТ1
Для НТ2 - без транзистора VT4
Для НТ3 - без транзистора VT1
Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
| Название характеристики, единица и режим замера | Буквенное обозначение | Допуск | |||||||
| НТ1А, НТ2А | НТ1Б, НТ2Б | НТ1В | НТ3 | ||||||
| больше | меньше | больше | меньше | больше | меньше | больше | меньше | ||
| Статический коэффициент передачи тока транзистора (при Uкб=3V; Iэ=0,5mA; для НТ1В Iэ=0,05mA) | h21э | 30 | 200 | 30 | 200 | 50 | 150 | 30 | 200 |
| Обратный ток коллектора, uA (при Uкб=6V) | IКБО | - | 0,05 | - | 0,05 | - | 0,05 | - | 0,05 |
| Напряжение насыщения база-эммитер, V (при Iк=3mA, Iб=0,5mA) | I БЭнас | - | 0,8 | - | 0,8 | - | 0,8 | - | 0,8 |
| Напряжение насыщения коллектор-эммитер, V (при IК=3mA, IБ=0,5mA) | U КЭнас | - | 0,2 | - | 0,2 | - | 0,2 | - | 0,2 |
| Разброс статических коэффициентов передачи тока транзисторов дифференциальной пары, % (при Uкб=3V; Iэ=0,5mA; для НТ1В Iэ=0,05mA) | Sh21Э | - | 15 | - | 15 | - | 15 | - | 15 |
| Разброс напряжения между базой и эмиттером транзисторов дифференциальной пары, mV (при сумIЭ=0,5mA, UКБ=3V) | бUБЭ | - | 3 | - | 10 | - | 3 | - | - |
Предельные 198НТ1Б параметры
© ЭЛЕКТ (iElekt.ru) - радиодетали и электронные компоненты оптом со склада в Санкт-Петербурге и на заказ, отечественных и зарубежных производителей почтой во все регионы России
Доставка в города: Нальчик, Нарьян-Мар, Вологда, Курск, Краснодар, Липецк, Сыктывкар, Омск, Симферополь, Санкт-Петербург, Петропавловск-Камчатский, Воронеж, Киров, Пермь, Горно-Алтайск, Псков, Салехард, Волгоград, Владимир, Нижний Новгород, Ульяновск, Пенза, Калуга, Саранск, Челябинск, Грозный, Московская область, Уфа, Владивосток, Кызыл, Томск, Чита, Казань, Смоленск, Элиста, Тула, Астрахань, Екатеринбург, Дудинка, Курган, Якутск, Иркутск, Новосибирск, Калининград, Барнаул, Кемерово, Ростов-на-Дону, Хабаровск, Ставрополь, Ханты-Мансийск, Абакан, Владикавказ, Магадан, Рязань, Красноярск, Оренбург, Биробиджан, Благовещенск, Магас, Великий Новгород, Белгород, Южно-Сахалинск, Тюмень, Петрозаводск, Чебоксары, Кострома, Ярославль, Орел, Анадырь, Махачкала, Майкоп, Самара, Черкесск, Мурманск, Йошкар-Ола, Ижевск, Москва, Тамбов, Улан-Удэ, Иваново, Архангельск, Тверь, Брянск, Саратов.