2Д523ВР, Матрица полупроводниковая

2Д523ВР матрицы кремниевой:

2Д523ВР — матрица полупроводниковая кремниевая эпитаксиально-планарная импульсная диодная, состоящая из четырех диодных элементов (арматур) с разделеными минусовыми и плюсовыми электродами, используется в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения. Предназначены для работы в импульсных схемах. В индивидуальном стеклянном корпусе с герметизацией каждого диодного элемента, поставляемых в спутнике-носителе. Марка типономинала указывается на вкладыше к групповой таре. Климатическое исполнение УХЛ и В при условии их защиты лаковым покрытием в составе аппаратуры и соответствует 2) техусловиям ТТ3.362.143ТУ, дополнению №2 и СД аА0.339.190ТУ.

Ссылки на технические материалы

ссылки на 2Д523ВР дополнительный материал:

Карта	Фото	Схема соединения электродов с выводами
значение контактов	Параметры	Предельные параметры
Эксплуатация	PDF

Знак завода изготовителя.

Схема расположения выводов

На каждом диодном элементе со стороны вывода /минус/ ставится красная точка (ранее со стороны вывода /плюс/ ставилась белая точка).
В случаи поставки ОС-9пр ставится дополнительная желтая точка.

Вес не превышает 0,5г.

Основные электро параметры при t=25+-10 градусов цельсия

основные 2Д523ВР электро параметры:

Наименование параметра, режим измерения, единица измерения	Буквенное обозначение	Допуск, меньше
Константный инверсный ток диода, uA (при константном инверсном напряжении 50V)	Iобр	5
Константное прямовключенное напряжение диода, V (при константном прямовключенном токе 20mA)	Uпр	1
Заряд восстановления (Iпр=20mA, Uобр.и=10V), pKl	Qвос	150
Разность прямых напряжений между всеми элементами диодной матрицы (при одинаковом токе в диапазоне постоянных прямых токов 0,05+-2mA), mV	дельта Uпр	10
Общая емкость (Uобр=0,1V), pF	Cд	2,5
Время обратного восстановления (с Iпр=10mA на Uобр=10V, уровень отсчета Iобр=2mA), ns	tвос.обр	4

Примечание: Все параметры, за исключением дельта Uпр приведены для каждого элемента диодной матрицы.

Указания 2Д523ВР эксплуатации

1. Расстояние от корпуса диодной элемента до начала изгиба вывода не менее 3mm с радиусом закругления не менее 0,5mm.
Допускается одноразовый изгиб выводов диодных элементов на расстоянии не менее 2,0mm от корпуса с радиусом закругления не менее 0,5mm, при этом запрещается кручение выводов вокруг собственной оси. Допускается изгиб выводов на угол не более 10о непосредственно у корпуса.
2. Допускается установка диодных элементов на печатные платы производить внахлест или в отверстия.
При входном контроле и монтаже 2ДС523ВР в аппаратуре не допускается перемешивание диодных элементов различных марок.
Разрешается соединение диодных элементов с элементами аппаратуры различными способами на расстоянии не менее 3mm от корпуса диодного элемента, исключающими нагрев корпуса диодного элемента выше 130оС прохождение импульсов электрического тока через диодные элементы.
Пайку производить в течении 2-3s с теплоотводом между корпусом диодного элемента и места пайки.
В качестве теплоотвода рекомендуется применить пинцет с плоскими медными губками шириной не менее 1mm и толщиной не менее 1mm.
Рекомендуется пайку 2ДС523ВР производить оловянно-свинцовым припоем.