2Т637А-2, Транзистор биполярный

2Т637А транзистора кремниевого:

2Т637А-2 — транзистор биполярный артикул согласно ГОСТ
транзисторы полупроводниковые используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения и назначение их для применения в режимах усилительных, генерирующих, ограничительных мощности и в схемах частотного преобразования с общей базой. Триоды полупроводниковые эпитаксиальнопланарные структуры NPN. Рабочий температурный диапазон от -60 до +125оС. Производятся в бескорпусном исполнении с гибкими контактами. Применяется в качестве элементов составных интегральных чипов, микрочипов, блоков и аппаратуры, создающих герметичность и защищенность от влияния высокого уровня влажности, солей пыли, плесени, изморози и водяных осадков и перепадов давления. Тип прибора кодом указывается желтой точкой на крышке транзистора. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует техническим условиям 2) аА0.339.063ТУ.

Ссылки на технические материалы

ссылки на 2Т637А-2 дополнительный материал:

карта	фото	схема выводов
значение выводов	параметры	предельные параметры
эксплуатация	PDF

Знак завода изготовителя

Схема расположения и назначение выводов

Кодовая маркировка желтой точкой на крышке.
Вес не превышает 0,15g.

Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия

Таблица основных электро параметров:

Название параметра 2Т637А-2, единица замера, режим замера, тип транзистора	Буквой обознач.	Допуск
		больше	меньше
Граничная частота КП тока в схеме с общим эмиттером, MHz, при Uкэ=10V, Iк=100mA, f=300MHz	fгр	1300
Константа времени цепи обратной связи на ВЧ, ps, при Uкб=10V, Iэ=30mA, f=100MHz	tк		1,4
Инверсный ток коллектора, uA при Uкб=30V	Iкбо		100
Инверсный ток эмиттера, uA при Uэб=2,5V	Iэбо		100
Мощность на выходе (медианное значение), mW, при Uкб=20V, Iк=100mA, f=3GHz, Pвх=200mW	Pвых	500

Предельные 2Т637А-2 параметры