2Т642А-2, Транзистор биполярный

2Т642А транзистора бескорпусного:

2Т642А-2 — транзисторы полупроводниковые биполярные назначены для использования в РЭА широкого спектра назначения в усиливающих и генерирующих устройствах в частотном диапазоне от 1 до 8,15GHz в схеме с объединенной базой в качестве элементов составных интегральных чипов, микрочипов, блоков и аппаратуры, создающих герметичность и защищенность транзисторов от влияния высокого уровня влажности, солей пыли, плесени, изморози и водяных осадков и перепадов давления. Исполнение в металлокерамическом корпусе. Маркировка транзисторов кодовая на керамическом корпусе. Климатическое исполнение транзистора УХЛ и соответствуют 2) техусловиям аА 0.33 9.112ТУ.

Ссылки на технические материалы

ссылки на 2Т642А-2 дополнительный материал:

карта	фото	схема контактов
значение контактов	параметры	предельные параметры
эксплуатация	PDF

Эмблема завода изготовителя.

Назначение контактов

Маркировочная точка белого цвета.
Вес не превышает 0,2g

Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия

основные электрические 2Т642А-2 параметры:

Наименование параметра, режим измерения, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма		Примечание
		больше	меньше
Обратный ток коллектора, mA (Uкб=20V)	Iкбо		1
Обратный ток эмиттера, mA (Uэб=2V)	Iэбо		0,1
Выходная мощность (медианное значение), mW (Uкб=12V, Iк=45mA, f=8GHz, Рвх=40mW, tкристалодержателя=(+25+-10)oC)	Рвых ме	100
Фаза коэффициента передачи тока в схеме с общей базой на высокой частоте, градус (f=1GHz, Uкб=5V, Iк=30mA, tкристалодержателя=(+25+-10)oC)	arg(h 21б)		19	1
Модуль коэффициента обратной передачи 2Т642А-2 напряжения в схеме с общей базой (Uкб=5V, Iк=30mA, f=100MHz, tкристалодержателя=(+25+-10)oC)	|S 12б|		1,8*10^(-3)	2
Коэффициент полезного действия коллектора (медианное значение), % (Uкб=12V, Iк=45mA, f=8GHz, Рвх=40mW, tкристалодержателя=(+25+-10)oC)	nk ме	18

Примечание:
1. При пограничной частоте КП тока соотношением:
fгр(MHz)=57,3/(arg(h 21б)), где f-частота, при которой замеряется arg(h 21б)
2. Где /S12б/ - отношение напряжение-отраженной-волны на входе транзистора к напряжение-падающей-волны на выходе транзистора, включенного в согласованный СВЧ тракт связан с константой времени цепи инверсной связи соотношением:
tк=/S12б/:4Пf, где f - частота, при которой замеряется /S12б/

Предельные 2Т642А-2 параметры