2Т657Б-2, Транзистор биполярный

2Т657Б транзистора бескорпусного:

2Т657Б-2 — транзисторы полупроводниковые биполярные кремниевые эпитаксиальнопланарные строения npn генерирующие. Используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре для применения в генерирующих и усиливающих схемах в диапазоне частот до 2GHz в схеме с общим эмиттером в качестве элементов составных чипов, микрочипов, блоков и аппаратуры, создающих герметичность и защищенность транзисторов от влияния высокого уровня влажности, солей пыли, плесени, изморози и водяных осадков и перепадов давления. Триоды выполненны в керамометаллическом корпусе. Типономинал триода цвето-кодовый наносится на керамической поверхности корпуса. Климатическое исполнение триода УХЛ и соответствует 2) техусловию аА0.339.405 ТУ. Статкоэффициент передачи тока триода схемы включения с общ. эмитт. (h21э): для А-2 ненормирован, для типономинала Б-2 от 60 до 200 (6V и 30mA) и для В-2 от 35 до 70 (6V и 30mA).

Ссылки на технические материалы

ссылки на 2Т657Б-2 дополнительный материал:

карта	фото	схема контактов
значение контактов	параметры	предельные параметры
эксплуатация	PDF

Знак завода изготовителя

Назначение выводов

Маркировка:
крест красн. для 2Т...А-2;
крест красн. + красн. точка для 2Т...Б-2;
крест красн. + желт. точка для 2Т...В-2;
крест син. для КТ...А-2;
крест син. + красн. точка для КТ...Б-2;
крест син. + желт. точка для КТ...В-2.
Вес не превышает 0,2г.

Технические параметры

технические 2Т657Б-2 (и других типономиналов) параметры:

Строение триода npn

Рк maxi (константная рассеиваемая мощность коллектора) меньше 375mVt

fгран (предельная частота коэффициента передачи тока триода для схемы с общим эмитт.) больше 3GHz

U кэr maxi (предельное напряжение коллекторэмиттер при определенном токе коллект. и заданном сопротивлении в цепи базаэмиттер) меньше 12V

U эбо maxi (предельное напряжение эмиттербаза при определенном инверсном токе эмитт. и разомкн. цепи коллект.) меньше 2V

Iк maxi (предельно возможный допускаемый константный ток коллект.) меньше 60mA

I кбо (инверсный ампераж коллект. / ампераж через коллект. перех. при определенном инверсном вольтаже коллекторбаза и разомк. контакте эмитт.) меньше 1mA (12V)

h 21э (статич. коэффиц. перед. ампеража триода 2Т657Б-2 (и других типономиналов) для схем с общим эмитт): ненормирован (у А-2), 60-200 (у Б-2 при 6V 30mA), 35-70 (у В-2 при 6V 30mA)

Скол (форадность коллекторн. перех.) меньше 1,1pF

Р вых (вых. ватность триода) больше 0,05Vt на частотах 2GHz

Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия

таблица основных электрических параметров:

Наименование параметра, режим измерения, единица измерения	Буквенное обозначение	Норма
		больше	меньше
Обратный ток коллектора-эмиттера, mA (Uкэ = 12V, Rэб = 1кОм)	I КЭR		1
Обратный ток эмиттера, mA (Uэб = 2V)	I ЭБО		0,1
Выходная мощность, mVt ( Uкб = 7V, Iэ = 45mA, f = 2GHz, бКур <= 2дБ, t кристаллодержателя= +25+-10 град. Цельсия)	Рвых	50
Коэффициент усиления по мощности *, дБ (Uкб = 7V, Iэ = 45mA, f = 2GHz, t кристаллодержателя = +25+-10 град. Цельсия)	Кур	8

* Значение Кур указанно в пределах линейного участка амплитудной характеристики.

Предельные 2Т657Б-2 параметры