2Т831Г-1, Транзистор биполярный
для приобретения (купить, заказать) данного товара напишите нам на sales@iElekt.ru или перейдите по ссылке на страницу покупки заинтересовавшего Вас товара:
.Вернуться на "главную" страницу сайта
. Согласовать цену, уточнить наличие и условия поставки компонентов или связаться с менеджером. Перейдите в раздел
.
2Т831Г транзистора кремниевого:
2Т831Г-1 — транзистор биполярный артикул согласно ГОСТтранзисторы полупроводниковые биполярные используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения и назначение их для применения в ключевых и линейных схемах преобразовательных и других устройствах вторичных источников питания (ВИП). Триоды полупроводниковые мезаэпитаксиальнопланарные структуры NPN. Рабочий температурный диапазон от -60 до +125оС. Производятся в бескорпусном исполнении на никелеевом кристалодержателе с гибкими контактами. Применяется в качестве элементов составных интегральных чипов, микрочипов, блоков и аппаратуры, создающих герметичность и защищенность от влияния высокого уровня влажности, солей пыли, плесени, изморози и водяных осадков и перепадов давления. Тип прибора указывается на таре транзистора. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует техническим условиям 2) аА0.339.407ТУ.
Ссылки на технические материалы
| карта | фото | схема выводов |
| значение выводов | параметры | предельные параметры |
| эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения и назначение выводов
Гарантированная для монтажа длина выводов 11mm max от держателя.
Транзисторы поставляются в возвратной таре.
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
| Название параметра, единица замера, режим замера, тип транзистора | Обозначение буквой | Допуск | |
| больше | меньше | ||
| Статический коэффициент передачи тока (Uкб=2V, Iэ=1A): | h21э | ||
| 2Т...В-1, 2Т831Г-1 | 90 | 360 | |
| Граничное напряжение, V (Iэ=0,1, дельта t>=50us, 100us<=tи<=300us, Q>=100) | Uкэо гр | ||
| 2Т...В-1 | 60 | ||
| 2Т831Г-1 | 80 | ||
| Пробивное напряжение коллектор-база, V (Iк=0,1mA) | Uкбо проб | ||
| 2Т...В-1 | 80 | ||
| 2Т831Г-1 | 100 | ||
| Пробивное напряжение эмиттер-база, V (Iэ=1mA) | Uэбо проб | ||
| 2Т...В-1, 2Т831Г-1 | 5 | ||
Предельные параметры
© ЭЛЕКТ (iElekt.ru) - радиодетали и электронные компоненты оптом со склада в Санкт-Петербурге и на заказ, отечественных и зарубежных производителей почтой во все регионы России
Доставка в города: Нальчик, Нарьян-Мар, Вологда, Курск, Краснодар, Липецк, Сыктывкар, Омск, Симферополь, Санкт-Петербург, Петропавловск-Камчатский, Воронеж, Киров, Пермь, Горно-Алтайск, Псков, Салехард, Волгоград, Владимир, Нижний Новгород, Ульяновск, Пенза, Калуга, Саранск, Челябинск, Грозный, Московская область, Уфа, Владивосток, Кызыл, Томск, Чита, Казань, Смоленск, Элиста, Тула, Астрахань, Екатеринбург, Дудинка, Курган, Якутск, Иркутск, Новосибирск, Калининград, Барнаул, Кемерово, Ростов-на-Дону, Хабаровск, Ставрополь, Ханты-Мансийск, Абакан, Владикавказ, Магадан, Рязань, Красноярск, Оренбург, Биробиджан, Благовещенск, Магас, Великий Новгород, Белгород, Южно-Сахалинск, Тюмень, Петрозаводск, Чебоксары, Кострома, Ярославль, Орел, Анадырь, Махачкала, Майкоп, Самара, Черкесск, Мурманск, Йошкар-Ола, Ижевск, Москва, Тамбов, Улан-Удэ, Иваново, Архангельск, Тверь, Брянск, Саратов.