765ЛЕ5-1Н, Микросхема интегральная
для приобретения (купить, заказать) данного товара напишите нам на sales@iElekt.ru или перейдите по ссылке на страницу покупки заинтересовавшего Вас товара:
.Вернуться на "главную" страницу сайта
. Согласовать цену, уточнить наличие и условия поставки компонентов или связаться с менеджером. Перейдите в раздел
.
765ЛЕ5 микросхемы полупроводниковой:
765ЛЕ5-1Н — интегральная микросхема артикул согласно ГОСТмикросхемы бескорпусные используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения и предназначена микросхема интегральная бескорпусная для работы в качестве четырех логических элементов 2ИЛИ-НЕ. Применяется в качестве элементов составных интегральных чипов, микрочипов, блоков и аппаратуры, создающих герметичность и защищенность диодов СВЧ от влияния высокого уровня влажности, солей пыли, плесени, изморози и водяных осадков и перепадов давления. Модель прибора указывается на индивидуальной таре. Климатическое исполнение микросхем УХЛ и соответствует техническим условиям ТУ.
Микросхема 2) соответствует техническим условиям бК0.347.151ТУ3.
Микросхема 4) соответствует техническим условиям бК0.347.151ТУ3 и РМ 11091926-81-Н.
Ссылки на технические материалы
| карта | фото | схема выводов |
| значение выводов | параметры | логическая схема |
| таблица истинности | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения выводов
Графическое условное обозначение микросхемы
Таблица истинности
| Входы | Выходы | ||||||||||
| 1 | 2 | 5 | 6 | 8 | 9 | 12 | 13 | 3 | 4 | 10 | 11 |
| 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 |
| 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 0 | 0 | 0 | 0 |
Назначение выводов
| Номер вывода | Назначение вывода | Номер вывода | Назначение вывода |
| 1 | Вход А1 | 8 | Вход А3 |
| 2 | Вход В1 | 9 | Вход В3 |
| 3 | Выход С1 | 10 | Выход С3 |
| 4 | Выход С2 | 11 | Выход С4 |
| 5 | Вход А2 | 12 | Вход А4 |
| 6 | Вход В2 | 13 | Вход В4 |
| 7 | Общий | 14 | Ucc |
Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
| Название характеристики, режим и единица замера | Норма | |
| меньше | больше | |
| Ток потребления в статическом режиме, uA (Uсс=10V) | - | 0,1 |
| Входной ток логического нуля, uA (Uсс=10V) | - | 0,05 |
| Входной ток логической единицы, uA (Uсс=10V) | - | 0,05 |
| Время задержки распространения при включении, ns (Uсс=5V, C=50pF) | - | 110 |
| Время задержки 765ЛЕ5-1Н распространения при выключении, ns (Uсс=5V, C=50pF) | - | 205 |
| Максимальное выходное напряжение логического нуля, V (Ucc=5V, Uвх=3,5V, Uвх=1,5V) | - | 0,95 |
| Минимальное выходное напряжение логической единицы, V (Ucc=5V, Uвх=3,5V, Uвх=1,5V) | 3,6 | - |
| Выходное напряжение логического нуля, V (Ucc=5V) | - | 0,01 |
| (Ucc=10V) | ||
| Выходное напряжение логической единицы, V (Ucc=5V) | 4,99 | - |
| (Ucc=10V) | 9,99 | |
Указания по эксплуатации
| 1 | Указания по применению и эксплуатации по ОСТ В 11.073.067-82, ОСТ 11.073.062-84 и бК0.347.151 ТУ. |
| 2 | До монтажа микросхем в ГС необходимо разводку контактных шин ПИТАНИЯ и ОБЩИЙ на плате РЭД соединить электрически между собой. При монтаже необходимо соблюдать следующую последовательность: вначале присоединяется вывод микросхемы ОБЩИЙ, а затем ПИТАНИЕ, потом остальные вывода. |
| 3 | Категорически запрещается эксплуатация микросхем в составе не герметичных модулей, корпусов и т.д. |
| 4 | При монтаже должны быть приняты меры, исключающие нагрев кристалла с защитным покрытием выше +85oC. |
| 5 | При монтаже микросхем в ГС не разрешается изгиб выводов ближе, чем на 0,3mm по длине вывода от места выхода из защитного покрытия и перегиб на инструменте с острыми краями. Не допускается пережатие (расплющивание) выводов. |
| 6 | Очередность подачи напряжений на микросхемы 765ЛЕ5-1Н следующая: -напряжение питания; -входное напряжение. Очередность снятия напряжения: -входное напряжение; -напряжение питания. |
| 7 | Свободные выходы микросхем должны быть соединены с одной из шин питания. |
| 8 | Для крепления микросхем необходимо использовать составы, не растворяющие защитное покрытие микросхемы. При монтаже микросхем в герметизированную гибридную микросхему не допускается наличие внутри корпуса микросхемы паров этилового спирта, дибутилфтолата, этилцеллозольва, полиэтиленполиамина и других веществ, разрушающих покрытие микросхем. |
| 9 | Рекомендуется дополнительная просушка гибридной микросхемы пред герметизацией, при температуре меньше 85oC. |
| 10 | Выводы микросхем 765ЛЕ5-1Н при монтаже рекомендуется подсоединять сваркой. Время теплового импульса меньше 0,2s с интервалом больше 0,5s. Температура жала паяльника не должна превышать 265oC. |
| 11 | Допускается значение электростатического потенциала меньше 100V. |
| 12 | При эксплуатации и изменении электропараметров с целью исключения влияния измерительных устройств на результаты измерения, допускается одновременно совмещать все уровни входных и питающих напряжений на одинаковую величину, сохраняя разность потенциалов между выводами микросхем. |
| 13 | Допускается случайное превышения импульса напряжения управляющего входа над напряжением питания на одном выводе меньше 1V при длительности импульса на уровне 0,5V меньше 1us и скважности больше 2. |
| 14 | Допускается случайный отрицательный импульс управляющего входа на одном (любом) выводе меньше 1V при длительности импульса на уровне 0,5 меньше 1us и скважности больше 2. |
| 15 | Неиспользуемые входы (выходы) микросхемы 765ЛЕ5-1Н соединить с выводом ОБЩИЙ или Ucc |
© ЭЛЕКТ (iElekt.ru) - радиодетали и электронные компоненты оптом со склада в Санкт-Петербурге и на заказ, отечественных и зарубежных производителей почтой во все регионы России
Доставка в города: Нальчик, Нарьян-Мар, Вологда, Курск, Краснодар, Липецк, Сыктывкар, Омск, Симферополь, Санкт-Петербург, Петропавловск-Камчатский, Воронеж, Киров, Пермь, Горно-Алтайск, Псков, Салехард, Волгоград, Владимир, Нижний Новгород, Ульяновск, Пенза, Калуга, Саранск, Челябинск, Грозный, Московская область, Уфа, Владивосток, Кызыл, Томск, Чита, Казань, Смоленск, Элиста, Тула, Астрахань, Екатеринбург, Дудинка, Курган, Якутск, Иркутск, Новосибирск, Калининград, Барнаул, Кемерово, Ростов-на-Дону, Хабаровск, Ставрополь, Ханты-Мансийск, Абакан, Владикавказ, Магадан, Рязань, Красноярск, Оренбург, Биробиджан, Благовещенск, Магас, Великий Новгород, Белгород, Южно-Сахалинск, Тюмень, Петрозаводск, Чебоксары, Кострома, Ярославль, Орел, Анадырь, Махачкала, Майкоп, Самара, Черкесск, Мурманск, Йошкар-Ола, Ижевск, Москва, Тамбов, Улан-Удэ, Иваново, Архангельск, Тверь, Брянск, Саратов.