249КН1А 1992 микросхема интегральная полупроводниковая
![]() увеличить... |
|
249КН1А микросхемы полупроводниковой:
249КН1А - это интегральная микросхема артикул согласно ГОСТмикросхемы интегральные используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения в качестве оптоэлектронных ключей для коммутации аналоговых электрических сигналов. Назначены как гальваническая развязка сигналов между модулями цифровых устройств. Климатическое исполнение микросхем УХЛ и соответствует техническим условиям: 2) бК0.347.149ТУ; 1) бК0.348.389ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
электрическая схема | обозначение | состоит |
основные электрические параметры | предельные параметры | знак завода изготовителя 2 |
знак завода изготовителя 3 | знак завода изготовителя 4 |
Знак завода изготовителя

Схема расположения выводов

Электрическая схема

Обозначение | Рисунок | Количество оптопад диодных | Количество микросхем | Действующий ОК | Тип изделия |
ТТ3.439.018 | 1 | 4 | 2 | I, II | КН1А |
ТТ3.439.018-01 | 3 | 2 | 1 | I | КН1Б |
ТТ3.439.018-02 | 2 | 2 | 1 | II | КН1В |
ТТ3.439.018-03 | 1 | 4 | 2 | I, II | КН1Г |
ТТ3.439.018-04 | 3 | 2 | 1 | I | КН1Д |
ТТ3.439.018-05 | 2 | 2 | 1 | II | КН1Е |

Зона | Позиционное обозначение | Наименование | Количество | Примечание |
У1-У4 | Отопара диодная 3ОД112А-1 аА.339.088ТУ | см. таблицу | ||
У5, У6 | Микросхема 762КТ1-1 бК0.347.140ТУ | см. таблицу |

Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Название характеристики, единица и режим замера |
Буквенное обозначение |
Норма | Температура, град. Цельсия | |||
для типономиналов КН1А, КН1Б, КН1В | для типономиналов КН1Г, КН1Д, КН1Е | |||||
больше | меньше | больше | меньше | |||
Входное напряжение (при Iвх от 19mA до 21mA), V | U вх |
|
3,5 3,5 4,0 |
|
3,5 3,5 4,0 |
25+-10 70+-3 -60+-3 |
Сопротивление в открытом состоянии (при Iвх от 19mA до 21mA, Iном от 0,45mA до 0,5mA), Om | Rотк |
200 300 400 |
25+-10 70+-3 -60+-3 |
|||
(при Iвх от 19mA до 21mA, Iном от 0,09mA до 0,1mA), Om |
200 300 400 |
25+-10 70+-3 -60+-3 |
||||
Ток утечки между эммитерами (при Uком от 27 до 30V), mA | Iут.Э1,Э2 |
50 200 200 |
50 200 200 |
25+-10 70+-3 -60+-3 |
||
Остаточное напряжение (при Uком=0V, Iвв от 19 до 21mA), uV | Uост |
200 350 700 |
200 350 400 |
25+-10 70+-3 -60+-3 |
||
Время включения, us | tвкл |
10 10 10 |
10 10 10 |
25+-10 70+-3 -60+-3 |
||
Время выключения, us | tвыкл |
10 10 10 |
10 10 10 |
25+-10 70+-3 -60+-3 |
||
Сопротивление изоляции (при Uс от 90V до 110V), Om | Rс |
10^9 10^9 10^9 |
10^9 10^9 10^9 |
25+-10 70+-3 -60+-3 |
||
Проходная емкость (при Uс=0V), pF | Сс |
5 5 5 |
5 5 5 |
25+-10 70+-3 -60+-3 |

Предельные 249КН1А параметры
Типономинал микросхемы | Наименование параметров режима | Буквенное обозначение | Норма, не более | Примечание |
КН1А, КН1Б, КН1В, КН1Г, КН1Д, КН1Е | Максимально допустимое напряжение между входом и выходом при tокр от минус 60 до плюс 70оС, V | Uс.max | 100 | |
КН1А, КН1Б, КН1В, КН1Г, КН1Д, КН1Е | Максимально допустимое коммутируемое напряжение при tокр от минус 60 до плюс 70оС, V | Uком.max | 30 | |
КН1А, КН1Б, КН1В, КН1Г, КН1Д, КН1Е | Максимально допустимое обратное напряжение при tокр от минус 60 до плюс 70оС, V | Uвх.обр.max | 3,5 | |
КН1А, КН1Б, КН1В, КН1Г, КН1Д, КН1Е | Максимально допустимый входной импульсный ток при tu<=10us, скважности Q>=5 и tокр от минус 60 до плюс 70оС, mA | Iвх.и.max | 100 | |
КН1А, КН1Б, КН1В, КН1Г, КН1Д, КН1Е | Максимально допустимый коммутируемый ток при tокр от минус 60 до плюс 70оС, uA | Iком.max | 500 | |
КН1А, КН1Б, КН1В, КН1Г, КН1Д, КН1Е | Максимально допустимый входной ток при tокр от минус 60 до плюс 35оС, mA | Iвх.max | 30 | I |
Iвх.max=40-(2/7)*Qокр
