249КН1А 1992 микросхема интегральная полупроводниковая

Производитель:	Оптрон (Москва)
Модель:	249КН1А /Оптрон/ 1992 Подробно...
Артикул:	[39138]
Цена с учётом выбранных опций: 216руб.
На складе:	В наличии
Цена:	216руб.

Заказать

Описание

249КН1А микросхемы полупроводниковой:

249КН1А - это интегральная микросхема артикул согласно ГОСТ
микросхемы интегральные используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения в качестве оптоэлектронных ключей для коммутации аналоговых электрических сигналов. Назначены как гальваническая развязка сигналов между модулями цифровых устройств. Климатическое исполнение микросхем УХЛ и соответствует техническим условиям: 2) бК0.347.149ТУ; 1) бК0.348.389ТУ.

Ссылки на технические материалы

ссылки на 249КН1А дополнительный материал:
карта	фото	схема выводов
электрическая схема	обозначение	состоит
основные электрические параметры	предельные параметры	знак завода изготовителя 2
знак завода изготовителя 3	знак завода изготовителя 4	PDF

Знак завода изготовителя

Схема расположения выводов

Электрическая схема

Обозначение 249КН1А микросхем:
Обозначение	Рисунок	Количество оптопад диодных	Количество микросхем	Действующий ОК	Тип изделия
ТТ3.439.018	1	4	2	I, II	КН1А
ТТ3.439.018-01	3	2	1	I	КН1Б
ТТ3.439.018-02	2	2	1	II	КН1В
ТТ3.439.018-03	1	4	2	I, II	КН1Г
ТТ3.439.018-04	3	2	1	I	КН1Д
ТТ3.439.018-05	2	2	1	II	КН1Е

Состав 249КН1А микросхемы:
Зона	Позиционное обозначение	Наименование	Количество	Примечание
	У1-У4	Отопара диодная 3ОД112А-1 аА.339.088ТУ	см. таблицу
	У5, У6	Микросхема 762КТ1-1 бК0.347.140ТУ	см. таблицу

Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия

таблица основных 249КН1А электрических параметров:
Название характеристики, единица и режим замера	Буквенное обозначение	Норма				Температура, град. Цельсия
		для типономиналов КН1А, КН1Б, КН1В		для типономиналов КН1Г, КН1Д, КН1Е
		больше	меньше	больше	меньше
Входное напряжение (при Iвх от 19mA до 21mA), V	U вх		3,5 3,5 4,0		3,5 3,5 4,0	25+-10 70+-3 -60+-3
Сопротивление в открытом состоянии (при Iвх от 19mA до 21mA, Iном от 0,45mA до 0,5mA), Om	Rотк		200 300 400			25+-10 70+-3 -60+-3
(при Iвх от 19mA до 21mA, Iном от 0,09mA до 0,1mA), Om	Rотк				200 300 400	25+-10 70+-3 -60+-3
Ток утечки между эммитерами (при Uком от 27 до 30V), mA	Iут.Э1,Э2		50 200 200		50 200 200	25+-10 70+-3 -60+-3
Остаточное напряжение (при Uком=0V, Iвв от 19 до 21mA), uV	Uост		200 350 700		200 350 400	25+-10 70+-3 -60+-3
Время включения, us	tвкл		10 10 10		10 10 10	25+-10 70+-3 -60+-3
Время выключения, us	tвыкл		10 10 10		10 10 10	25+-10 70+-3 -60+-3
Сопротивление изоляции (при Uс от 90V до 110V), Om	Rс	10^9 10^9 10^9		10^9 10^9 10^9		25+-10 70+-3 -60+-3
Проходная емкость (при Uс=0V), pF	Сс		5 5 5		5 5 5	25+-10 70+-3 -60+-3

Предельные 249КН1А параметры

Предельные параметры:
Типономинал микросхемы	Наименование параметров режима	Буквенное обозначение	Норма, не более	Примечание
КН1А, КН1Б, КН1В, КН1Г, КН1Д, КН1Е	Максимально допустимое напряжение между входом и выходом при tокр от минус 60 до плюс 70оС, V	Uс.max	100
КН1А, КН1Б, КН1В, КН1Г, КН1Д, КН1Е	Максимально допустимое коммутируемое напряжение при tокр от минус 60 до плюс 70оС, V	Uком.max	30
КН1А, КН1Б, КН1В, КН1Г, КН1Д, КН1Е	Максимально допустимое обратное напряжение при tокр от минус 60 до плюс 70оС, V	Uвх.обр.max	3,5
КН1А, КН1Б, КН1В, КН1Г, КН1Д, КН1Е	Максимально допустимый входной импульсный ток при tu<=10us, скважности Q>=5 и tокр от минус 60 до плюс 70оС, mA	Iвх.и.max	100
КН1А, КН1Б, КН1В, КН1Г, КН1Д, КН1Е	Максимально допустимый коммутируемый ток при tокр от минус 60 до плюс 70оС, uA	Iком.max	500
КН1А, КН1Б, КН1В, КН1Г, КН1Д, КН1Е	Максимально допустимый входной ток при tокр от минус 60 до плюс 35оС, mA	Iвх.max	30	I

Примечание. В диапазоне температур 249КН1А свыше плюс 35 до плюс плюс 70оС значение Iвх.max вычисляется по формуле:
Iвх.max=40-(2/7)*Qокр
предельные параметры