Корзина
Каталог
Производитель
Информация2Д419Б 2001 диод полупроводниковый кремниевый
 увеличить... |
|
||||||||||||
2Д419Б диода кремниевого:
2Д419Б - это диод полупроводниковый кремниевый N-типа проводимости эпитаксиально-планарный универсальный с барьером Шоттки, используется в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения. Предназначены для работы в выпрямительных схемах в детектирования и преобразования частот сигналов в широком диапазоне на частотах до 400MHz. В стеклянном корпусе с герметизацией. Марка типономинала указывается на вкладыше к групповой таре. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует 2) техусловиям аА0.339.156ТУ.Ссылки на технические материалы
| Карта | Фото | Схема соединения электродов с выводами |
| значение контактов | Параметры | Предельные параметры |
| Эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя.
Схема расположения выводов
Минус со стороны крисстала
Вес не превышает 0,035g.
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов цельсия
| Наименование параметра, режим измерения, единица измерения | Буквенное обозначение | Допустимо | |||||
| 419А | 419Б | 419В | |||||
| больше | меньше | больше | меньше | больше | меньше | ||
|
Константное инверсное напряжение диода, V (при константном инверсном токе <=10uA) |
Uобр | 15 | 30 | 50 | |||
| Константное прямовключенное напряжение диода, V (при константном прямовключенном токе = 1mA) | Uпр | 0,4 | 0,4 | 0,4 | |||
| Константное прямовключенное напряжение диода, V (при константном прямовключенном токе = 0,1mA) | Uпр | 0,15 | 0,15 | 0,15 | |||
| Общая емкость диода, pF (при Uобр=0) | Cд | 1,5 | 1,5 | 1,5 | |||
Предельные 2Д419Б параметры
