301НР1ЕВ 1990 микросхема интегральная полупроводниковая

Производитель:	Алмаз (Котовск)
Модель:	301НР1ЕВ 1990 Подробно...
Артикул:	[39189]
Цена с учётом выбранных опций: 360руб.
На складе:	В наличии
Цена:	360руб.

Заказать

Описание

301НР1ЕВ сборка резисторная:

301НР1ЕВ - это интегральная микросхема артикул согласно ГОСТ
микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом декодирующая резистивная матрица типа R-2R. Микросборка интегральная пленочного типа. Микросхемы производятся в металлопластиковом корпусе с гибкими контактами. Тип прибора указывается на металлическом корпусе. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125 град С. Климатическое исполнение УХЛ и В при условии защиты микросхемы лаковым покрытием в составе аппаратуры. Микросхема соответствует 2) техническим условиям ОЖ0.345.001 ТУ.

Ссылки на технические материалы

ссылки на 301НР1ЕВ дополнительный материал:
карта	фото	схема выводов
схема электрическая принципиальная	значение выводов	параметры
предельные параметры	эксплуатация	производитель

Знак завода изготовителя

Схема расположения выводов

Обозначение первого вывода. Отсчет выводов производится против часовой стрелки от обозначения первого вывода.

Схема электрическая принципиальная

Назначение выводов

таблица 301НР1ЕВ назначения выводов:
Контакт	Цепь (сопротивление) kOm	Контакт	Цепь (сопротивление) kOm
1-26	R1=10	22-8	R11=5
3-26	R2=10	21-8	R12=10
26-4	R3=5	8-20	R13=5
25-4	R4=10	9-20	R14=10
4-24	R5=5	20-10	R15=5
5-24	R6=10	19-10	R16=10
24-6	R7=5	10-17	R17=5
23-6	R8=10	11-17	R18=10
6-22	R9=5	17-13	R19=5
7-22	R10=10	16-13	R20=10

Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия

таблица основные 301НР1ЕВ электрические параметры:
Название характеристики, единица и режим замера	Норма
Название характеристики, единица и режим замера	меньше	больше
Сопротивление резисторов RI, kOm. Температура -60, +25, +85 град. Цельсия 2R R	11 5,5	9 4,5
Относительная погрешность коэффициентов деления - бк, %. Напряжение на входе не более 12.6V. Температура +25 град. Цельсия Температура -60, +85 град. Цельсия	+-0,0135 +-0,032	- -
Сопротивление изоляции R, MOm. Температура -60, +25, +85 град. Цельсия. Испытательное напряжение 100V прикладывается между экраном и закороченными выводами.	-	100
Температурный коэффициент сопротивления резисторов - ТКС, I град. Цельсия. При температуре -60, +25, +85 град. Цельсия.	+-2,5*10^-4	-
Время установления переходного процесса t уст, us. Температура -60, +25, +85 град. Цельсия	0,5	-

Предельные параметры

предельные значения 301НР1ЕВ допустимых электрических режимов при эксплуатации:
Название характеристики, единица и режим замера	Норма		Примечание
	больше	меньше
Рассеиваемая мощность в корпусе - P рас, mW	-	50

Указания по эксплуатации

указания по эксплуатации:
1. Выводы микросхем формовке не подлежат. В технически обоснованных случаях допускается удалять не рабочие выводы микросхем и излишки рабочих выводов после пайки любым способом, исключающим нарушение запрессовки вывода в основании корпуса и не приводящим к ухудшению электрических параметров микросхем.
2.Установку микросхем на плату в аппаратуре производят с опорой на ребра жесткости основания корпуса и приклейкой клеями или прилакировкой.
3. Разрешен 3-х кратный монтаж и демонтаж микросхем, при этом электрические параметры должны соответствовать нормам ТУ.
4. Промежутки между пайками соседних контактов не меньше 10 с, жало-паяльника должно быть заземлено.
5. Для повышения влагоустойчивости микросхемы 301НР1ЕВ должны быть покрыты после монтажа на плату тремя слоями лака Э-4100 или УР-231, температура сушки лака не должна превышать 80 град.+-3 С