Корзина
Каталог
Производитель
ИнформацияКД116Б-1 1987 диод полупроводниковый кремниевый
 увеличить... |
|
||||||||||||
КД116Б диода кремниевого:
КД116Б-1 - это диод полупроводниковый кремний диффузионный используется в радиоэлектронной аппаратуре широкого применения. Предназначены для применения в герметичной аппаратуре для снижения ЭДС самоиндукции электро-магнитных реле, а также модуляции переменного напряжения по 200kHz (тип А-1) и по 20kHz (тип Б-1). В бескорпусном корпусе. Марка типономинала указывается на групповом вкладыше. Положительный вывод обозначается синей краской. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует: 2) техусловиям аА0.339.154ТУ.Ссылки на технические материалы
| Карта | Фото | Схема соединения электродов с выводами |
| значение контактов | Параметры | Предельные параметры |
| Эксплуатация | изготовитель | |
Знак завода изготовителя.
Схема расположения выводов
Вес не превышает 0,1g.
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов цельсия
| Наименование параметра, режим измерения, единица измерения | Допустимо, меньше | |
| КД116А-1 | КД116Б-1 | |
| Константное прямовключенное напряжение, V: (Iпр=25mA, T=(+25, +125, -60)oC) | 0,95 | |
| (Iпр=50mA, T=(+25, +100)oC) | 1 | |
| (Iпр=50mA, T=(-60)oC) | 1,2 | |
| Константный инверсный ток, uA: (Uобр=100V, T=(+25)oC) | 1 | |
| (Uобр=80V, T=(+125)oC) | 50 | |
| (Uобр=50V, T=(+25)oC) | 0,4 | |
| (Uобр=50V, T=(+100)oC) | 10 | |
| Время обратного восстановления, us: (Uобр=40V, Iпр=30mA, Iотс=3mA) | 1,5 | |
| (Uобр.и=20V, Iпр.и=50mA, Iотс=1mA) | 4 | |
Предельные параметры
| Наименование параметра, режим измерения, единица измерения | Допустимо, меньше |
Приме- чание |
|
| КД116А-1 | КД116Б-1 | ||
| Константное инверсное напряжение, V | 100 | 50 | |
| Средний выпрямленный ток, mA: T=-60...+60oC | 25 | 1, 2 | |
| T=+125oC | 8 | ||
| T=-60...+50oC | 100 | ||
| T=+100oC | 30 | ||
| Импульсный прямовключенный ток, mA: (t И<=100ms, f<=5Hz, T=-60...+60oC) | 110 | 1 | |
| (t И<=100ms, f<=5Hz, T=+125oC) | 100 | ||
| (t И<=100ms, f<=5Hz, T=-60...+50oC) | 110 | ||
| (t И<=100ms, f<=5Hz, T=100oC) | 100 | ||
| (t И<=10ms, f<=1Hz, T=-60...+60oC) | 170 | ||
| (t И<=10ms, f<=1Hz, T=+100oC) | 130 | ||
| Средняя рассеиваемая мощность, mW: T=-60...+60oC | 24 | 1 | |
| T=+125oC | 7,5 | ||
| T=-60...+50oC | 24 | ||
| T=+100oC | 7,5 | ||
| Температура ОС, oC | -60...+125 | -60...+100 | |
2. При эксплуатации диода (тип А-1) по 200kHz уменьшение Iвыпрямленного в сравнении со значением на 1kHz не больше 0,6. Для диода КД116Б-1 значение Iвыпрямленного не уменьшается по 20kHz.
