карта | фото | схема выводов |
значение выводов | параметры | логическая схема |
таблица истинности | ||
Название характеристики, режим и единица замера | Обозначение буквой | Норма | |
меньше | больше | ||
Ток потребления в состоянии логического нуля и логической единицы, uA (Uсс=10V, U1вх=10V, U0вх=0) | Iпот | - | 0,50 |
Время задержки распространения при включении, ns (Uсс=10V, U1вх=10V, U0вх=0, C=50pF) | t1,0зад. | - | 50 |
Время задержки распространения при выключении, ns (Uсс=10V, U1вх=10V, U0вх=0, C=50pF) | t0,1зад. | - | 90 |
Выходное напряжение логического нуля, V (Uсс=10V, U1вх=10V, U0вх=0) | U0вых | - | 0,01 |
Выходное напряжение логической единицы, V (Uсс=10V, U1вх=10V, U0вх=0) | U1вых | 9,99 | - |
1 | Указания по применению и эксплуатации по ОСТ В 11.073.067-82, ОСТ 11.073.062-84 и бК0.347.151 ТУ. |
2 | До монтажа микросхем в ГС необходимо разводку контактных шин ПИТАНИЯ и ОБЩИЙ на плате РЭД соединить электрически между собой. При монтаже необходимо соблюдать следующую последовательность: вначале присоединяется вывод микросхемы ОБЩИЙ, а затем ПИТАНИЕ, потом остальные вывода. |
3 | Категорически запрещается эксплуатация микросхем в составе не герметичных модулей, корпусов и т.д. |
4 | При монтаже должны быть приняты меры, исключающие нагрев кристалла с защитным покрытием выше +85oC. |
5 | При монтаже микросхем в ГС не разрешается изгиб выводов ближе, чем на 0,3mm по длине вывода от места выхода из защитного покрытия и перегиб на инструменте с острыми краями. Не допускается пережатие (расплющивание) выводов. |
6 | Очередность подачи напряжений на микросхемы 765ТМ2-1 следующая: -напряжение питания; -входное напряжение. Очередность снятия напряжения: -входное напряжение; -напряжение питания. |
7 | Свободные выходы микросхем должны быть соединены с одной из шин питания. |
8 | Для крепления микросхем необходимо использовать составы, не растворяющие защитное покрытие микросхемы. При монтаже микросхем в герметизированную гибридную микросхему не допускается наличие внутри корпуса микросхемы паров этилового спирта, дибутилфтолата, этилцеллозольва, полиэтиленполиамина и других веществ, разрушающих покрытие микросхем. |
9 | Рекомендуется дополнительная просушка гибридной микросхемы пред герметизацией, при температуре меньше 85oC. |
10 | Выводы микросхем 765ТМ2-1 при монтаже рекомендуется подсоединять сваркой. Время теплового импульса меньше 0,2s с интервалом больше 0,5s. Температура жала паяльника не должна превышать 265oC. |
11 | Допускается значение электростатического потенциала меньше 100V. |
12 | При эксплуатации и изменении электропараметров с целью исключения влияния измерительных устройств на результаты измерения, допускается одновременно совмещать все уровни входных и питающих напряжений на одинаковую величину, сохраняя разность потенциалов между выводами микросхем. |
13 | Допускается случайное превышения импульса напряжения управляющего входа над напряжением питания на одном выводе меньше 1V при длительности импульса на уровне 0,5V меньше 1us и скважности больше 2. |
14 | Допускается случайный отрицательный импульс управляющего входа на одном (любом) выводе меньше 1V при длительности импульса на уровне 0,5 меньше 1us и скважности больше 2. |
15 | Неиспользуемые входы (выходы) микросхемы 765ТМ2-1 соединить с выводом ОБЩИЙ или Ucc |