К1НТ251, Транзисторная матрица

для приобретения (купить, заказать) данного товара напишите нам на 012sel@iElekt.ru или перейдите по ссылке на страницу покупки заинтересовавшего Вас товара: ЗАКАЗАТЬ.

Вернуться на "главную" страницу сайта ГЛАВНАЯ.

Согласовать цену, уточнить наличие и условия поставки компонентов или связаться с менеджером. Перейдите в раздел КОНТАКТЫ.



К1НТ251 матрицы полупроводниковой:

К1НТ251 — транзисторная матрица (артикулярное наименование по ГОСТ)
полупроводниковые транзисторные матрицы кремний эпитаксиальнопланарные системы NPN назначение для использования в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах. Сборки биполярные полупроводниковые состоят из четырех электрически изолированных переключающих СВЧ транзисторов и используются в РЭА в широком спектре использования. Матрицы выполнены в стеклометаллическом корпусе. Модель прибора, знак завода и дата выпуска наносится на верхней металической части корпуса. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует 2) техническим условиям 3.456.000 ТУ.

Ссылки на технические материалы

ссылки на дополнительный материал:
карта фото схема выводов
значение выводов габариты параметры
эксплуатация PDF  
     

Знак завода изготовителя

знак завода изготовителя

Расположения выводов схематическое, назначение выводов, габаритные размеры, маркировка

назначение выводов, габариты, маркировка.
Вес не превышает 0,4g.

Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия

основные электро параметры:
Наименование параметра (режим замера), единица замера Обозначение буквой Допуск
К1НТ251 К1НТ251А
больше меньше больше меньше
Статический КП тока в схеме с общим эмиттером (Uкб=5V, Iэ=200mA, f=50Hz) h 21э 30 150 30 150
Инверсный ток коллектор, uA (U кб=45V) Iкбо - 6 - 6
Инверсный ток эмиттера, uA (Uэб=4V) Iэбо - 10 - 10
Время рассасывания, ns (Iк=150mA, Iб1=Iб2=15mA) tрас - 100 - 200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, V (Iб=80mA, Iк=400mA) Uкэнас - 1,0 - 1,0
Напряжение насыщения база-эмиттер, V (Iб=80mA, Iк=400mA) Uбэнас - 1,5 - 1,5
Модуль КП тока на высших частотах (Uкэ=10V, Iк=30mA, f=10^8Hz) |h 21э| 2 - 2 -
Емкость коллекторного перехода, pF (Uкб=10V, f=5*10^6Hz) Ck - 15 - 15
Емкость К1НТ251 эмиттерного перехода, pF (Uэб=0V, f=5*10^6Hz) Сэ - 50 - 50




© ЭЛЕКТ (iElekt.ru) - радиодетали и электронные компоненты оптом со склада в Санкт-Петербурге и на заказ, отечественных и зарубежных производителей почтой во все регионы России
Доставка в города: Нальчик, Нарьян-Мар, Вологда, Курск, Краснодар, Липецк, Сыктывкар, Омск, Симферополь, Санкт-Петербург, Петропавловск-Камчатский, Воронеж, Киров, Пермь, Горно-Алтайск, Псков, Салехард, Волгоград, Владимир, Нижний Новгород, Ульяновск, Пенза, Калуга, Саранск, Челябинск, Грозный, Московская область, Уфа, Владивосток, Кызыл, Томск, Чита, Казань, Смоленск, Элиста, Тула, Астрахань, Екатеринбург, Дудинка, Курган, Якутск, Иркутск, Новосибирск, Калининград, Барнаул, Кемерово, Ростов-на-Дону, Хабаровск, Ставрополь, Ханты-Мансийск, Абакан, Владикавказ, Магадан, Рязань, Красноярск, Оренбург, Биробиджан, Благовещенск, Магас, Великий Новгород, Белгород, Южно-Сахалинск, Тюмень, Петрозаводск, Чебоксары, Кострома, Ярославль, Орел, Анадырь, Махачкала, Майкоп, Самара, Черкесск, Мурманск, Йошкар-Ола, Ижевск, Москва, Тамбов, Улан-Удэ, Иваново, Архангельск, Тверь, Брянск, Саратов.