1156ЕУ2 2008 микросхема интегральная полупроводниковая
![]() увеличить... |
|
1156ЕУ2 микросхема полупроводниковая:
1156ЕУ2 - это интегральная микросхема 1156-ой серии, представляет ШИМ-контроллер и используются в качестве схем управления импульсными источниками вторичного питания, на частоте до 1MHz большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе 4112.16-3. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125oC. Климатически исполнены УХЛ и соответствует 2) техусловиям АЕЯР.431420.007-02ТУ.Ссылки на технические материалы
карта | фото | условное графическое обозначение |
значение выводов | параметры | схема выводов |
эксплуатация | производитель | |
Знак завода изготовителя

Расположения выводов схематическое

Условное графическое обозначение

Микросхема интегральная значение выводов
Номер | Значение | Номер | Значение |
1 | Инвертир вх ОУ | 9 | Выв ограничения тока или останова |
2 | Неинвертир вх ОУ | 10 | Общий выв |
3 | Вых ОУ, инвертир вх ШИМ-компаратора | 11 | Вых драйвера А |
4 | Вх/вых синхронизации | 12 | Эмиттеры драйверов А и В |
5 | Выв подключения времязадающего резистора | 13 | Контроллер драйверов А и В |
6 | Выв подключения времязадающего конденсатора | 14 | Вых драйвера В |
7 | Неинвертир вх ШИМ-компаратора | 15 | Выв питания |
8 | Выв плавного запуска | 16 | Вых источника опорного напряжения |

Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Название характеристики, единица и режим замера | Буквенное обозначение | Норма | Режим измерения | ||||||||
больше | меньше | Значение напряжения на выводах относительно вывода 10, V | |||||||||
1 | 2 | 3 | 6 | 8 | 9 | 13 | 15 | ||||
Вольтаж на входе пороговый, V | |||||||||||
по выводу 9 (компаратора ограничения тока) | UITL | 0,9 | 1,1 | 2 | - | 12 | 12 | ||||
по выводу 9 (компаратора выключения) | UITS | 1,25 | 1,55 | 2 | - | 12 | 12 | ||||
по выводу 3 (ШИМ компаратора) | UIT | 1,1 | - | 2 | 3,15 | 12 | 12 | ||||
Вольтаж на выходе низкого уровня, V | UOL | ||||||||||
по выводу 3 (IOL=1mA) | - | 1,0 | 2 | 1 | - | - | 12 | ||||
по выводу 4 | - | 2,9 | - | 2 | 0.7 | - | 12 | ||||
по выводам 11, 14 (IOL=20mA) | - | 0,4 | - | 2 | - | 12 | 12 | ||||
(IOL=200mA | - | 2,2 | - | 2 | - | 12 | 12 | ||||
Вольтаж на выходе высокого уровня, V | UOL | ||||||||||
по выводу 3 (IOH=-0,5mA) | 4,0 | - | 1 | 2 | - | - | 12 | ||||
по выводу 4 | 3,9 | - | - | 2 | 3 | - | 12 | ||||
по выводам 11, 14 (IOH=-20mA) | 10 | - | - | 2 | - | 12 | 12 | ||||
(IOH=-200mA | 9 | - | - | 2 | - | 12 | 12 | ||||
Опорное 1156ЕУ2 напряжение (IO=-1mA), V | UREF | 5,05 | 5,15 | 2 | 12 | ||||||
Напряжение срабатывания, V | UITP | 8,8 | 9,6 | 2 | |||||||
Напряжение отпускания, V | UITN | UITP-1,2 | UITP-0,4 | 2 | |||||||
Ток на входе низкого уровня, uA | IIL | ||||||||||
по выводу 7 | -5 | - | 2 | - | 12 | 12 | |||||
по выводу 9 | -15 | - | 2 | </+-5/mV | 12 | 12 | |||||
Ток на входе высокого уровня, uA | IIH | - | 15 | 2 | 4 | 12 | 12 | ||||
Ток на выходе низкого уровня, mA | IOL | 1 | - | 2 | 1 | 1 | 12 | ||||
Ток на выходе высокого уровня, mA | IOH | - | -0,5 | 1 | 2 | 4 | 12 | ||||
Ток заряда, uA | ICH | -20 | -3 | 2 | 0,5 | </+-5/mV | 12 | ||||
Ток разряда, mA | IDCH | 1 | - | 2 | 1 | 2 | 12 | ||||
Ток утечки, uA | IL | - | 200 | 2 | 30 | 30 | |||||
Ток потребления, mA | ICC | - | 30 | 2 | 30 | 30 | |||||
Ток потребления 1156ЕУ2 в состоянии Выключено, mA | ICCZ | - | 2 | 2 | 8 | 8 | |||||
Ток короткого замыкания, mA | IOS | -100 | -15 | 2 | 12 | ||||||
Частота генерирования, kHz | fg | - | 440 | 2 | 12 | ||||||
Нестабильность по напряжению (IO=-1mA), %/V | KUI | - | 0,02 | 2 | 10...30 | ||||||
Нестабильность по току, (IO=-1...-10mA), %/mA | KIO | - | 0,07 | 2 | 12 | ||||||
Нестабильность частоты по напряжению, %/V | KfUI | - | 0,1 | 2 | 10...30 | ||||||
Отнош длительного выходного импульса к максимальной длительности выходного импульса, % | NPWM | 40 | 60 | 2 | 12 | 12 | |||||
Отнош максимальной длительности выходного импульса к полупериоду, % | NMAX | 85 | - | 2 | 2 | 12 | 12 |

Надежность
1. Минимальная наработка 1156ЕУ2 в режимах и условиях, установленных в ТУ, 10000 часов, а в облегченных режимах и условиях в диапазоне температур среды от -60 до 85оС при Ucc=12V, Us=12V, Is=200mA, fs=400kHz, где Us-напряжение на выводе 13, Is-ток нагрузки по выводам 11 и 14, fs-частота коммутации, 120000 часов.2. Гамма-процентный ресурс при Y=95% в режиме, согласно ТУ, 150000 часов.
3. Наименьший период сохранности чипов при их хранении в отапливаемом или регулируемым климатом помещении, или установленных в защищенное оборудование, или защищенном комплексе ЗИП, 25 лет.
Наименьший период сохранности чипов в условиях, отличающихся от указанных, - в соответствии с ОСТ В 11 0398-2000.
Гарантия производителя
Изготовитель гарантирует соответствие данных микросхем требованиям АЕЯР.431420.007-02ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведенных в этикетке и технических условиях на микросхемы.Гарантированный период - 25 лет с даты изготовления, нанесенной на микросхеме.
Гарантированная наработка:
100000 часов - в режимах согласно ТУ;
120000 часов - в легких условиях.
Гарантированная наработка 1156ЕУ2 расчитывается в пределах гарантийного срока.