1156ЕУ2 2008 микросхема интегральная полупроводниковая

Производитель:	Кремний (Брянск)
Модель:	1156ЕУ2 /Кремний/ (Au) 2008 Подробно...
Артикул:	[40597]
Цена с учётом выбранных опций: 0руб.
На складе:	В наличии
Цена:	договорная

Заказать

Описание Дополнительные фото

1156ЕУ2 микросхема полупроводниковая:

1156ЕУ2 - это интегральная микросхема 1156-ой серии, представляет ШИМ-контроллер и используются в качестве схем управления импульсными источниками вторичного питания, на частоте до 1MHz большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе 4112.16-3. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125oC. Климатически исполнены УХЛ и соответствует 2) техусловиям АЕЯР.431420.007-02ТУ.

Ссылки на технические материалы

ссылки на 1156ЕУ2 дополнительный материал:
карта	фото	условное графическое обозначение
значение выводов	параметры	схема выводов
эксплуатация	производитель

Знак завода изготовителя

Расположения выводов схематическое

Условное графическое обозначение

Микросхема интегральная значение выводов

таблица 1156ЕУ2 значения выводов:
Номер	Значение	Номер	Значение
1	Инвертир вх ОУ	9	Выв ограничения тока или останова
2	Неинвертир вх ОУ	10	Общий выв
3	Вых ОУ, инвертир вх ШИМ-компаратора	11	Вых драйвера А
4	Вх/вых синхронизации	12	Эмиттеры драйверов А и В
5	Выв подключения времязадающего резистора	13	Контроллер драйверов А и В
6	Выв подключения времязадающего конденсатора	14	Вых драйвера В
7	Неинвертир вх ШИМ-компаратора	15	Выв питания
8	Выв плавного запуска	16	Вых источника опорного напряжения

Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия

таблица основных 1156ЕУ2 электро параметров:
Название характеристики, единица и режим замера	Буквенное обозначение	Норма		Режим измерения
		больше	меньше	Значение напряжения на выводах относительно вывода 10, V
		больше	меньше	1	2	3	6	8	9	13	15
Вольтаж на входе пороговый, V
по выводу 9 (компаратора ограничения тока)	UITL	0,9	1,1		2			-		12	12
по выводу 9 (компаратора выключения)	UITS	1,25	1,55		2			-		12	12
по выводу 3 (ШИМ компаратора)	UIT	1,1	-		2			3,15		12	12
Вольтаж на выходе низкого уровня, V	UOL
по выводу 3 (IOL=1mA)		-	1,0	2	1		-			-	12
по выводу 4		-	2,9	-	2		0.7			-	12
по выводам 11, 14 (IOL=20mA)		-	0,4	-	2		-			12	12
(IOL=200mA		-	2,2	-	2		-			12	12
Вольтаж на выходе высокого уровня, V	UOL
по выводу 3 (IOH=-0,5mA)		4,0	-	1	2		-			-	12
по выводу 4		3,9	-	-	2		3			-	12
по выводам 11, 14 (IOH=-20mA)		10	-	-	2		-			12	12
(IOH=-200mA		9	-	-	2		-			12	12
Опорное 1156ЕУ2 напряжение (IO=-1mA), V	UREF	5,05	5,15		2						12
Напряжение срабатывания, V	UITP	8,8	9,6		2
Напряжение отпускания, V	UITN	UITP-1,2	UITP-0,4		2
Ток на входе низкого уровня, uA	IIL
по выводу 7		-5	-		2				-	12	12
по выводу 9		-15	-		2				</+-5/mV	12	12
Ток на входе высокого уровня, uA	IIH	-	15		2				4	12	12
Ток на выходе низкого уровня, mA	IOL	1	-	2	1	1					12
Ток на выходе высокого уровня, mA	IOH	-	-0,5	1	2	4					12
Ток заряда, uA	ICH	-20	-3		2			0,5	</+-5/mV		12
Ток разряда, mA	IDCH	1	-		2			1	2		12
Ток утечки, uA	IL	-	200		2					30	30
Ток потребления, mA	ICC	-	30		2					30	30
Ток потребления 1156ЕУ2 в состоянии Выключено, mA	ICCZ	-	2		2					8	8
Ток короткого замыкания, mA	IOS	-100	-15		2						12
Частота генерирования, kHz	fg	-	440		2						12
Нестабильность по напряжению (IO=-1mA), %/V	KUI	-	0,02		2						10...30
Нестабильность по току, (IO=-1...-10mA), %/mA	KIO	-	0,07		2						12
Нестабильность частоты по напряжению, %/V	KfUI	-	0,1		2						10...30
Отнош длительного выходного импульса к максимальной длительности выходного импульса, %	NPWM	40	60		2					12	12
Отнош максимальной длительности выходного импульса к полупериоду, %	NMAX	85	-		2			2		12	12

Надежность

1. Минимальная наработка 1156ЕУ2 в режимах и условиях, установленных в ТУ, 10000 часов, а в облегченных режимах и условиях в диапазоне температур среды от -60 до 85оС при Ucc=12V, Us=12V, Is=200mA, fs=400kHz, где Us-напряжение на выводе 13, Is-ток нагрузки по выводам 11 и 14, fs-частота коммутации, 120000 часов.
2. Гамма-процентный ресурс при Y=95% в режиме, согласно ТУ, 150000 часов.
3. Наименьший период сохранности чипов при их хранении в отапливаемом или регулируемым климатом помещении, или установленных в защищенное оборудование, или защищенном комплексе ЗИП, 25 лет.
Наименьший период сохранности чипов в условиях, отличающихся от указанных, - в соответствии с ОСТ В 11 0398-2000.

Гарантия производителя

Изготовитель гарантирует соответствие данных микросхем требованиям АЕЯР.431420.007-02ТУ при соблюдении потребителем условий и правил хранения, монтажа и эксплуатации, приведенных в этикетке и технических условиях на микросхемы.
Гарантированный период - 25 лет с даты изготовления, нанесенной на микросхеме.
Гарантированная наработка:
100000 часов - в режимах согласно ТУ;
120000 часов - в легких условиях.
Гарантированная наработка 1156ЕУ2 расчитывается в пределах гарантийного срока.

Схема расположения выводов