1554ИЕ10 2001 микросхема интегральная полупроводниковая

Производитель:	Интеграл (Минск)
Модель:	1554ИЕ10 /Интеграл/ (Au) 2001 Подробно...
Артикул:	[14560]
Цена с учётом выбранных опций: 0руб.
На складе:	В наличии
Цена:	договорная

Заказать

Описание Дополнительные фото

1554ИЕ10ТБМ микросхема полупроводниковая:

1554ИЕ10ТБМ - это цифровая микросхема 1554-ей серии, являются триодной логикой с функционалом четырехразрядный двоичный счетчик с асинхронной установкой в состояние /Логический 0/ и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации с минус 60 по плюс 125oC. Климатически исполнены УХЛ и соответствует 2) техусловиям не ТБМ АЕЯР.431200.093-04ТУ, ТБМ АЕЯР.431200.182-03ТУ.

Ссылки на технические материалы

ссылки на 1554ИЕ10ТБМ дополнительный материал:
карта	фото	условно-графическое обозначение
значение выводов	предельные параметры	таблица истинности
статические характеристики	динамические параметры

Знак завода изготовителя

Расположения выводов схематическое

Корпус типа 402.16-32, масса меньше 1,5 г.

Условно-графическое обозначение

Значение выводов микросхемы

таблица 1554ИЕ10ТБМ назначения выводов:
Номер вывода	Обозначение	Назначение	Номер вывода	Обозначение	Назначение
01	R (инв)	Вход сброса асинхронный	09	ЕD (инв)	Вход разрешения записи
02	Сl	Вход тактовый	10	ЕС	Вход разрешения переноса
0З	D0	Вх данных	11	QЗ	Вых данных
04	D1	Вх данных	12	Q2	Вых данных
05	D2	Вх данных	1З	Q1	Вых данных
06	DЗ	Вх данных	14	Q0	Вых данных
07	ЕСТ	Вход разрешения счета	15	С0	Выход переноса
08	GND	Общий вывод	16	Vсс	Вывод питания от источника напряжения

Таблица истинности

таблица 1554ИЕ10ТБМ истинности:
Вход					Выход
СL	R	ЕD (инв)	ЕСТ	ЕС	Q
х	L	х	х	х	Сброс
/	н	L	х	х	Запись данных
/	н	н	н	н	Счет
/	н	н	L	х	Хранение
/	н	н	х	L	Хранение
Примечание - н - высший уровень напряжения; L - низший уровень напряжения; х - любой уровень напряжения (низкий или высокий); / - переход напряжения из низшего уровня в высокий. С0 = ЕСQ0Q1Q2Q3

Предельные параметры

предельно-допустимые 1554ИЕ10ТБМ режимы эксплуатации:
Название характеристик, режим и единица замера	Буквенное обозначение параметра	Предельно-допустимый режим		Предельный режим
		Допуск		Допуск
		больше	меньше	больше	меньше
Питающее напряжение, V	Vcс	2.0	6.0	-0.5	7.0
Напряжение на входе низшего уровня, V при Vcс < З.0V	VIL	0	0.2 Vcс	-0.5	-
при Vcс >= З.0V	VIL	0	0.З Vcс	-0.5	-
Напряжение на входе высшего уровня, V при Vcс < З.0V	VIн	0.8 Vcс	Vcс	-	Vcс+0.5
при Vcс >= З.0V	VIн	0.7 Vcс	Vcс	-	Vcс+0.5
Напряжение, прикладываемое к выходу, V	VOI	0	Vcс	-0.5	Vcс+0.5
Ток на выходе диода, mA	IIк	-	-	-	+-20
Ток на выходе низшего уровня, mA	IOL	-	24	-	-
Ток на выходе высшего уровня, mA	IOн	-	-24	-	-
Ток на выходе диода, mA	IOк	-	-	-	+-50
Ток на выходе низшего уровня, mA при VOLD = 1.65V, Та = 25оС	IOLD*	-	70	-	-
при VOLD = 1.65V, Та = минус 60, плюс 125оС	IOLD*	-	57	-	-
Ток на выходе высшего уровня, mA при VOнD = З.85V, Та = 25оС	IOнD*	-	-60	-	-
VOнD = З.85V, Та = минус 60, плюс 125оС	IOнD*	-	-50	-	-
Ток по питанию (общий), mA	IСС, IGND	-	-	-	+-100
Продолжительность роста и падения сигнала на входах, ns/V, Vcс=З.0V	tLн, tнL	-	З	-	150
Vcс=4.5V			З		40
Vcс=5.5V			З		25
Емкость нагрузки, pF	СL	-	50	-	500
* Длительность воздействия режима меньше 2ms

Статические параметры

таблица 1554ИЕ10ТБМ статические характеристики:
Название характеристик, режим и единица замера	Буквенное обозначение	Режим замера		Допуск		Температура,оС
Название характеристик, режим и единица замера	Буквенное обозначение	VIL, VIн, IOL, IOн, VI, tLн, tнL, СL	Vсс, V	больше	меньше	Температура,оС
Напряжение на входе высшего уровня, V	VIн	Vo <= 0.1V или Vo>=Vсс - 0.1V	З.0 4.5 5.5	2.1 З.15 З.85	-	25+-10 -60 125
Напряжение на входе низшего уровня, V	VIL	Vo <= 0.1V или Vo >= Vсс - 0.1V	З.0 4.5 5.5	-	0.9 1.З5 1.65	25+-10 -60 125
Напряжение на выходе высшего уровня, V	VOн	VI = VIн или VIL, IOн = -50 uA	З.0 4.5 5.5	2.9 4.4 5.4	-	25+-10 -60 125
		VI = VIн или VIL, IOн = -12 mA	З.0	2.58		25+-10
		VI = VIн или VIL, IOн = -12 mA	З.0	2.40		-60 125
		VI = VIн или VIL, IOн = -24 mA	4.5 5.5	З.94 4.94		25+-10
		VI = VIн или VIL, IOн = -24 mA	4.5 5.5	З.70 4.70		-60 125
Напряжение на выходе низшего уровня, V	VOL	VI = VIн или VIL, IOL = 50 uA	З.0 4.5 5.5	-	0.1 0.1 0.1	25+-10
		VI = VIн или VIL, IOL = 12 mA	З.0		0.З6	25+-10
		VI = VIн или VIL, IOL = 12 mA	З.0		0.50	-60 125
		VI = VIн или VIL, IOL = 24 mA	4.5 5.5		0.З6	25+-10
		VI = VIн или VIL, IOL = 24 mA	4.5 5.5		0.50	-60 125
Ток на выходе низшего уровня, uA	IIL	VI = 0V	5.5	-	-0.1	25+-10
Ток на выходе низшего уровня, uA	IIL	VI = 0V	5.5		-1.0	-60 125
Ток на выходе высшего уровня, uA	IIн	VI = Vсс	5.5		0.1	25+-10
Ток на выходе высшего уровня, uA	IIн	VI = Vсс	5.5		1.0	-60 125
Ток на выходе низшего уровня, mA	IOLD	VOLD = 1.65V (длительность воздействия режима меньше 2ms)	5.5	70	-	25+-10
Ток на выходе низшего уровня, mA	IOLD	VOLD = 1.65V (длительность воздействия режима меньше 2ms)	5.5	57		-60 125
Ток на выходе высшего уровня, mA	IOнD	VOнD = З.85V (длительность воздействия режима меньше 2ms)	5.5	-60		25+-10
Ток на выходе высшего уровня, mA	IOнD	VOнD = З.85V (длительность воздействия режима меньше 2ms)	5.5	-50		-60 125
Ток потребления, uA	IСС	-	5.5	-	8.0	25+-10
Ток потребления, uA	IСС	-	5.5	-	160	-60 125

Динамические параметры

таблица 1554ИЕ10ТБМ динамические параметры:
Название характеристик, режим и единица замера	Буквенное обозначение	Режим замера		Допуск		Температура,оС
Название характеристик, режим и единица замера	Буквенное обозначение	VIL, VIн, IOL, IOн, VI, tLн, tнL, СL	Vсс, V	больше	меньше	Температура,оС
Продолжительность задержки распределения при выключении, ns, от входа СL к выходу Q	tPLн	VIL = 0V, VIн = Vсс, tLн, tнL = З ns, СL = 50 pF, RL = 510 Ом,	З.З+-0.З 5.0+-0.5	-	12.0 9.0	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		1З.5 9.5	-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		15.0 11.5	125
Продолжительность задержки распределения при включении, ns, от входа СL к выходу Q	tPнL		З.З+-0.З 5.0+-0.5		12.0 9.5	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		1З.0 10.0	-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		15.5 12.0	125
Продолжительность задержки распределения при выключении, ns, от входа СL к выходу С0	tPLн		З.З+-0.З 5.0+-0.5	-	15.0 9.5	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		16.5 11.5	-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		20.0 14.0	125
Продолжительность задержки распределения при включении, ns, от входа СL к выходу С0	tPнL		З.З+-0.З 5.0+-0.5		14.0 11.0	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		15.5 11.5	-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		18.5 14.0	125
Продолжительность задержки распределения при выключении, ns, от входа ЕС к выходу С0	tPLн		З.З+-0.З 5.0+-0.5		9.5 6.5	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		11.0 7.5	-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		1З.0 9.0	125
Продолжительность задержки распределения при включении, ns, от входа ЕС к выходу С0	tPнL		З.З+-0.З 5.0+-0.5		11.0 8.5	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		12.5 9.5	-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		15.0 11.5	125
Продолжительность задержки распределения при включении, ns, от входа R к выходу Q	tPнL		З.З+-0.З 5.0+-0.5		12.0 9.5	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		1З.5 10.0	-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		16.0 12.0	125
Продолжительность задержки распределения при включении, ns, от входа R к выходу С0	tPнL		З.З+-0.З 5.0+-0.5	-	15.0 1З.0	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		17.5 1З.5	-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		21.0 16.0	125
Продолжительность установления сигнала D относительно сигнала СL, ns	tSU		З.З+-0.З 5.0+-0.5	1З.5 8.5	-	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	15.5 10.5		-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	18.5 12.5		125
Продолжительность удержания сигнала D относительно сигнала СL, ns	tн		З.З+-0.З 5.0+-0.5	-1.0 0		25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	1.0 2.0		-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	1.5 2.5		125
Продолжительность установления сигнала ЕD относительно сигнала СL, ns	tSU		З.З+-0.З 5.0+-0.5	11.5 7.5		25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	1З.5 9.5		-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	16.0 11.5		125
Продолжительность удержания сигнала ЕD, относительно сигнала СL, ns	tн		З.З+-0.З 5.0+-0.5	0 0.5	-	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	2.0 2.5		-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	2.5 З.0		125
Продолжительность установления сигнала ЕС, ЕСТ относительно сигнала СL, ns	tSU		З.З+-0.З 5.0+-0.5	10.5 7.5		25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	1З.5 9.5		-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	16.0 11.5		125
Продолжительность удержания сигнала ЕС, ЕСТ относительно сигнала СL, ns	tн		З.З+-0.З 5.0+-0.5	0 0	-	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	2.0 2.0		-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	2.5 2.5		125
Продолжительность восстановления сигнала СL после сигнала R, ns	tRЕС		З.З+-0.З 5.0+-0.5	4.0 2.0		25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	4.5 2.5		-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	4.5 2.5		125
Длительность сигнала СL (счет), ns	tW	VIL = 0V, VIн = Vсс, tLн, tнL = 1 ns, СL = 50 pF, RL = 510 Ом	З.З+-0.З 5.0+-0.5	4.0 З.0	-	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	6.0 5.0		-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	7.0 6.0		125
Длительность сигнала СL (ввод данных), ns	tW1		З.З+-0.З 5.0+-0.5	З.5 2.5		25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	5.5 4.5		-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	6.5 5.5		125
Длительность сигнала R (низкий), ns	tW		З.З+-0.З 5.0+-0.5	5.5 4.5		25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	7.5 6.5		-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5	9.0 7.8		125
Частота следования импульсов 1554ИЕ10ТБМ тактовых сигналов, MHz	fс		З.З+-0.З 5.0+-0.5	-	70 110	25+-10
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		60 95	-60 85
			З.З+-0.З 5.0+-0.5		60 95	125