Корзина
Каталог
Производитель
Информация1882ВЕ52У 2007 микросхема интегральная полупроводниковая
 увеличить... |
|
||||||||||||
1882ВЕ52У микросхемы полупроводниковой:
1882ВЕ52У - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения в системах встроенного управления с функционалом 8-разрядная ОЭВМ с Flash-памятью. Микросхемы выполненны в керамометаллическом корпусе 1116.48-2В. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ и соответсвуют 2) техническим условиям АЕЯР.431280.286ТУ и АЕЯР.431280.286-02ТУ.
Ссылки на технические материалы
| карта | фото | схема контактов |
| значение контактов | параметры | предельные параметры |
| эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения контактов микросхемы
Обозначение выводов показанно условно.
Вес не превышает 3g.
Нумерация контактных площадок против часовой стрелки.
Таблица назначения контактов микросхемы
|
Номер конт |
Обозна- чение |
Функциональное назначение контактов |
| 1-6, 9, 10 | Р1.0-Р1.7 | восьмиразрядный 2-направленный порт Р1 с допфункциями: |
| 1 | Р1.0 | вх таймера/счетчика 2: Т2 |
| 2 | Р1.1 | вх триггера выборки-перезагрузки таймера/счетчика 2: Т2EX |
| 5 | Р1.4 | вх выб последоват переферийного интерфейса (ППИ): SS# |
| 6 | Р1.5 | вх/вых данных ППИ: MOSI |
| 9 | Р1.6 | вх/вых данных ППИ: MOSO |
| 10 | Р1.7 | вх/вых тактового сигнала ППИ: SCK |
| 11 | RST | сигнал общего сброса |
| 12-17, 20, 21 | Р3.0-Р3.7 | восьмиразрядный 2-направленный порт Р3 с допфункциями: |
| 12 | Р3.0 | последоват данные приемника - RXD |
| 13 | Р3.1 | последоват данные 1882ВЕ52У передатчика - TXD |
| 14 | Р3.2 | вх внешн прерыв - 0-INT0# |
| 15 | Р3.3 | вх внешн прерыв - 0-INT1# |
| 16 | Р3.4 | вх таймера/счетчика 0: Т0 |
| 17 | Р3.5 | вх таймера/счетчика 1: Т1 |
| 20 | Р3.6 | вых стробирующ сигнала при записи во внешнюю память данных: - WR# |
| 21 | Р3.7 | вых стробирующ сигнала при чтении во внешней памяти данных: - RD# |
| 22 | XTAL2 | выв для подключения кварцего резонатора |
| 23 | XTAL1 | |
| 24 | 0V | общий выв |
| 26-30, 32, 33, 34 | Р2.0-Р2.7 | восьмиразрядный 2-направленный порт Р2. Вых адреса А8-А15 в режиме работы с внешней памятью |
| 35 | PSEN# | разрешение программной памяти |
| 36 | ALE | выходной сигнал разрешения фиксации адреса. При программировании РПЗУ сигнал PROG# |
| 37 | EA# | блокировка работы с внутренней памятью. При программировании РПЗУ подается сигнал U PR |
| 38-41, 44-47 | Р0.7-Р0.0 | восьмиразрядный 2-направленный порт Р0. Шина адреса данных при работе с внешней памятью |
| 48 | Uсс | выв питания от источника напряжения плюс 5V |
| Примечание - Выводы 7, 8, 18, 19, 25, 31, 42, 43 не задействованны. | ||
Электрические параметры
| Наименование параметра, режим измерения, единица измерения |
Буквенное обозначение |
Норма | |
| больше | меньше | ||
| 1. Входное напряжение низкого уровня по выводам Р1.0-Р1.7, Р2.0-Р2.7, Р3.0-Р3.7, V (I OL=1,6mA) | U OLI | 0,5 | |
| 2. Входное напряжение низкого уровня по выводам Р0.0-Р0.7, ALE, PSEN#, V (I OL=3,2mA) | U OLI | 0,5 | |
| 3. Выходное напряжение высокого уровня по выводам Р1.0-Р1.7, Р2.0-Р2.7, Р3.0-Р3.7, ALE, V: (I OH=-10uA) | U OHI | 0,9Ucc | |
| (I OH=-60uA) | 2,4 | ||
| 4. Выходное напряжение высокого уровня по выводам Р0.0-Р0.7, V: (I OH=-80uA) | U OHI | 0,9Ucc | |
| (I OH=-800uA) | 2,4 | ||
| 5. Входной ток низкого уровня по выводам Р1.0-Р1.7, Р2.0-Р2.7, Р3.0-Р3.7, uA: (U IH=0,45V) | I IL | /-50/ | |
| 6. Ток утечки на входе по выводам Р0.0-Р0.7, EA#, uA (0,45<U IH<Ucc(V)) | I | /+-10/ | |
| 7. Ток потребления по выводу Uсс в активном режиме, mA (Ucc=5,5V, fг=12MHz) | I OCC1 | 25 | |
| 8. Ток потребления по выводу Ucc в режиме пониженного потребления, mA (Ucc=5,5V, fг=12MHz) | I OCC2 | 6,5 | |
| 9. Ток потребления 1882ВЕ52У по выводу Ucc в режиме хранения, uA (Ucc=6V) | I OCC3 | 100 | |
| (Ucc=3V) | 40 | ||
| 10. Функциональный контроль | ФК | - | - |
| 11. Время задержки распространения сигнала ALE относительно сигнала XTAL1, ns | tpALE | 50 | |
| 12. Время задержки распространения сигнала PSEN# относительно сигнала XTAL1, ns | tpPSEN | 50 | |
| 13. Время переключения на выходе ALE, ns | tALE | 20 | |
| 14. Время переключения на выходе PSEN#, ns | tPSEN | 20 | |
| 15. Функциональный контроль Flash-памяти | ФК SP Flash | - | - |
|
Примечания 1. Нормы параметров приведены при питающем напряжении Uсс=(5+-0,5)V. 2. Функциональный контроль (ФК) проводится при fc=12MHz. 3. Показатели по пунктам 11, 12 гарантируют работу микросхем на частоте fc=24MHz. 4. Функциональный контроль Flash-памяти (ФК SP Flash) проводится в соответствии с алгоритмом, приведенном в техническом описании КФДЛ.431281.023-01ТО |
|||
Предельные 1882ВЕ52У параметры
