Корзина
Каталог
Производитель
Информация1НТ251А-2 ОС 1991 сборка транзисторная полупроводниковая
 увеличить... |
|
||||||||||||
1НТ251А матрицы полупроводниковой:
1НТ251А-2 - это транзисторная матрица (артикулярное наименование по ГОСТ)полупроводниковые транзисторные матрицы кремний эпитаксиальнопланарные системы NPN назначение для использования в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах. Сборки биполярные полупроводниковые состоят из четырех электрически изолированных переключающих СВЧ транзисторов и используются в РЭА в широком спектре использования. Матрицы выполнены в стеклометаллическом корпусе. Модель прибора, знак завода и дата выпуска наносится на верхней металической части корпуса. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует 2) техническим условиям 3.456.000 ТУ, дополнению 3.456.000ТУ/Д1.
Ссылки на технические материалы
| карта | фото | схема выводов |
| значение выводов | габариты | параметры |
| эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Расположения выводов схематическое, назначение выводов, габаритные размеры, маркировка
Вес не превышает 0,4g.
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
| Наименование параметра (режим замера) 1НТ251А-2, единица замера | Обозначение буквой | Допуск | |
| больше | меньше | ||
| Статический КП тока в схеме с общим эмиттером (Uкб=5V, Iэ=200mA, f=50Hz) | h 21э | 80 | - |
| Инверсный ток коллектор, uA (U кб=45V) | Iкбо | - | 15 |
| Инверсный ток эмиттера, uA (Uэб=4V) | Iэбо | - | 20 |
| Время рассасывания, ns (Iк=150mA, Iб=15mA) | tрас | - | 200 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, V (Iб=80mA, Iк=400mA) | Uкэнас | - | 1,0 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, V (Iб=80mA, Iк=400mA) | Uбэнас | - | 1,5 |
| Модуль КП тока на высших частотах (Uкэ=10V, Iк=30mA, f=10^8Hz) | |h 21э| | 2 | - |
| Емкость коллекторного перехода, pF (Uкб=10V, f=5*10^6Hz) | Ck | - | 15 |
| Емкость 1НТ251А-2 эмиттерного перехода, pF (Uэб=0V, f=5*10^6Hz) | Сэ | - | 50 |
