Корзина
Каталог
Производитель
Информация219ПС1Б 1988 микросхема интегральная полупроводниковая
 увеличить... |
|
||||||||||||
219ПС1Б микросхемы полупроводниковой:
219ПС1Б - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения в малогабаритных приемниках УКВ диапазона, дифференциальных и каскадных усилителях ВЧ и ПЧ, преобразователях частоты, уисилителях НЧ с функционалом в качестве смесителя частот. Микросхемы выполнены в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Тип прибора указывается на металлическом корпусе. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +70 град С. Климатическое исполнение микросхем УХЛ и соответствует 2) техническим условиям.
Ссылки на технические материалы
| карта | фото | схема выводов |
| значение выводов | параметры | предельные параметры |
| эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения выводов
Вес не превышает 2g.
Назначение выводов
Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
| Наименование параметра, режим измерения, единица измерения | Буквенное обозначение | Допуск | |||
| 219ПС1А | 219ПС1Б | ||||
| больше | меньше | больше | меньше | ||
| Диапазон частот, MHz | 44 | 55 | 10 | 14 | |
| Коэффициент преобразования смесителя: (fсиг=48MHz, Uc=10mV, fгет=34MHz, Uгет=200mV) | 30 | ||||
| (fсиг=14MHz, Uc=5mV, fгет=13,35MHz, Uгет=250mV) | 80 | ||||
| Напряжение питания, V | 5+-10% или 8+-10% | ||||
| Потребляемая мощность, mW | 23 | 23 | |||
Предельные 219ПС1Б параметры
