2ПС104Г 1989 сборка транзисторная полупроводниковая

Производитель:	Восход (Калуга)
Модель:	2пс104Г /Восход/ (Au) 1989 Подробно...
Артикул:	[13025]
Цена с учётом выбранных опций: 0руб.
На складе:	на заказ
Цена:	договорная

Заказать

Описание Дополнительные фото

2ПС104Г матрицы полупроводниковой:

2ПС104Г - это транзисторная матрица (артикулярное наименование по ГОСТ)
транзисторы кремний эпитаксиальнопланарные ионнолегированные полевые с затвором PN перехода каналом P спаренные, назначение для применения в входящих каскадах дифференциальных мало шумящих усилителей НЧ и постоянного тока с большим сопротивлением на входе. Сборки биполярные полевые полупроводниковые используются в РЭА в широком спектре использования. Матрицы выполнены металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Модель прибора, знак завода и дата выпуска наносится на металической части корпуса. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует 2) техническим условиям аА0.339.033ТУ.

Ссылки на технические материалы

ссылки на дополнительный материал:
карта	фото	схема выводов
значение выводов	габариты	параметры
эксплуатация	PDF

Знак завода изготовителя

Расположения выводов схематическое, назначение выводов, габаритные размеры, маркировка

назначение выводов, габариты, маркировка.

Вес не превышает 2g.

Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия

основные электро параметры:
Наименование параметра (режим замера), единица замера	Допуск
Наименование параметра (режим замера), единица замера	больше	меньше
Крутизна характеристики отдельного транзистора в паре, mA/V при Uси=10V, Uзи=0: Т=+25oС: 2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б	0,35
типовое значение	0,8
2ПС104В, 2ПС104Е, КПС104В, КПС104Е	0,65
типовое значение	1
2ПС104Г, 2ПС104Д, КПС104Г, КПС104Д	1
типовое значение	1,7
T=-60oС: 2ПС104А, 2ПС104Б	0,35
2ПС104В, 2ПС104Е	0,65
2ПС104Г, 2ПС104Д	1
Т=-45oС: КПС104А, КПС104Б	0,35
КПС104В, КПС104Е	0,65
КПС104Г, КПС104Д	1
T=+125oC: 2ПС104А, 2ПС104Б	0,25
2ПС104В, 2ПС104Е	0,3
2ПС104Г, 2ПС104Д	0,5
Т=+85oC: КПС104А, КПС104Б	0,25
КПС104В, КПС104Е	0,3
КПС104Г, КПС104Д	0,5
Шумовой вольтаж отдельного транзистора в полосе частот ^f=0,1...10Hz, uV, при Uси=10V, Rн=30kOm, Iс=0,18mA для двух транзисторов 2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б, Iс=0,5mA для двух транзисторов 2ПС104В, КПС104В, Iс=1,5mA для двух транзисторов 2ПС104Г, 2ПС104Д, КПС104Г, КПС104Д: 2ПС104А, КПС104А		0,4
типовое значение		0,35
2ПС104Б, 2ПС104Г, КПС104Б, КПС104Г		1
типовое значение		0,8
2ПС104В, 2ПС104Д, КПС104В, КПС104Д		5
типовое значение		1,5
Разность вольтажей затвор/исток, mV, при Uси=10V, Iс=0,18mA для двух транзисторов 2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б, Iс=0,5mA для двух транзисторов 2ПС104В, 2ПС104Е, КПС104В, КПС104Е, Iс=1,5mA для двух транзисторов 2ПС104Г, 2ПС104Д, КПС104Г, КПС104Д: Т=+25oС: 2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б		30
типовое значение		10
2ПС104В, 2ПС104Г, КПС104В, КПС104Г		50
типовое значение		10
2ПС104Е, КПС104Е		20
типовое значение		10
Т=+85oС: КПС104А, КПС104Б, КПС104Е		60
КПС104В, КПС104Г, КПС104Д		70
T=+125oС: 2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104Е		60
2ПС104В, 2ПС104Г, 2ПС104Д		70
Температурный уход разности вольтажа затвор/исток, uV/oC, при Uси=10V, Iс=0,18mA для двух транзисторов 2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б, Iс=0,5mA для двух транзисторов 2ПС104В, 2ПС104Е, КПС104В, КПС104Е, Iс=1,5mA для двух транзисторов 2ПС104Г, 2ПС104Д, КПСЮ4Г, КПС104Д: 2ПС104А, КПС104А		50
типовое значение		20
2ПС104Б, 2ПС104В, 2ПС104Д, КПС104Б, КПС104В, КПС104Д		150
типовое значение		50
2ПС104Г, КПС104Г		100
2ПС104Е, КПС104Е		20
типовое значение		10
Вольтаж отсечки (отрицательное) отдельного транзистора в паре, V, при Uси=10V, Iс=10uA: 2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б	0,2	1
2ПС104В, 2ПС104Е, КПС104В, КПС104Е	0,4	2
2ПС104Г, 2ПС104Д, КПС104Г, КПС104Д	0,8	3
Начальный ампераж стока отдельного транзистора в паре, mA, при Ucи=10V, Uзи=0: 2ПС104А, 2ПС104Б, КПС104А, КПС104Б	0,1	0,8
2ПС104В, КПС104В	0,35	1,5
2ПС104Г, 2ПС104Д, КПС104Г, КПС104Д	1,1	3
2ПС104Е, КПС104Е	0,35	3
Ампераж утечки затвора отдельного транзистора в паре, nA, при Uси=0, Uзи=-10V: T=+25oС: 2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104Е, КПС104А, КПС104Б, КПС104Е		0,3
типовое значение		0,1
2ПС104В, 2ПС104Г, 2ПС104Д, КПС104В, КПС104Г, КПС104Д		1
типовое значение		0,3
Т=+85oС: КПС104А, КПС104Б, КПС104Е, uA		0,15
КПС104В, КПС104Г, КПС104Д, uA		0,15
T=+125oC: 2ПС104А, 2ПС104Б, 2ПС104Е, uA		0,3
2ПС104В, 2ПС104Г, 2ПС104Д, uA		1
Входная емкость отдельного транзистора в паре, pF, Uси=10V, Uзи=0		4,5
Проходная емкость отдельного транзистора, pF, при Uси=10V, Uзи=0		1,5

Основные электрические параметры

увеличить...