Корзина
Каталог
Производитель
Информация2т831Г-1 1991 транзистор биполярный полупроводниковый
 увеличить... |
|
||||||||||||
2Т831Г-1 транзистора кремниевого:
2Т831Г-1 - это транзистор биполярный артикул согласно ГОСТтранзисторы полупроводниковые биполярные используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения и назначение их для применения в ключевых и линейных схемах преобразовательных и других устройствах вторичных источников питания (ВИП). Триоды полупроводниковые мезаэпитаксиальнопланарные структуры NPN. Рабочий температурный диапазон от -60 до +125оС. Производятся в бескорпусном исполнении на никелеевом кристалодержателе с гибкими контактами. Применяется в качестве элементов составных интегральных чипов, микрочипов, блоков и аппаратуры, создающих герметичность и защищенность от влияния высокого уровня влажности, солей пыли, плесени, изморози и водяных осадков и перепадов давления. Тип прибора указывается на таре транзистора. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует техническим условиям аА0.339.407ТУ.
Ссылки на технические материалы
| карта | фото | схема выводов |
| значение выводов | параметры | предельные параметры |
| эксплуатация | производитель | |
Знак завода изготовителя
Схема расположения и назначение выводов
Гарантированная для монтажа длина выводов 11mm max от держателя.
Транзисторы поставляются в возвратной таре.
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
| Название параметра, единица замера, режим замера, тип транзистора | Обозначение буквой | Допуск | |
| больше | меньше | ||
| Статический коэффициент передачи тока (Uкб=2V, Iэ=1A): | h21э | ||
| 2Т...В-1, 2Т831Г-1 | 90 | 360 | |
| Граничное напряжение, V (Iэ=0,1, дельта t>=50us, 100us<=tи<=300us, Q>=100) | Uкэо гр | ||
| 2Т...В-1 | 60 | ||
| 2Т831Г-1 | 80 | ||
| Пробивное напряжение коллектор-база, V (Iк=0,1mA) | Uкбо проб | ||
| 2Т...В-1 | 80 | ||
| 2Т831Г-1 | 100 | ||
| Пробивное напряжение эмиттер-база, V (Iэ=1mA) | Uэбо проб | ||
| 2Т...В-1, 2Т831Г-1 | 5 | ||
Предельные параметры