Корзина
Каталог
Производитель
Информация2т831Г осм /Кремний/ (Au) 2002
 увеличить... |
|
||||||||||||
2Т831Г транзистора кремниевого:
2Т831Г осм - это транзистор биполярный артикул согласно ГОСТтранзисторы кремниевые эпитаксиальнопланарные системы NPN усилителливающие используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения и предназначены для применения в усиливающих мощность, вторичных источниках питания преобразующей и другой аппаратуре. Производятся в металлостеклянном корпусе КТ-2-7 ГОСТ 18472-88. Марка триода наносится на металлической части корпуса. Вес не превышает 1,45g. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует техническим условиям: 2) аА0.339.140ТУ.
Ссылки на технические материалы
| карта | фото | схема выводов |
| значение выводов | параметры | предельные параметры |
| эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Расположения выводов схематическое и назначение выводов
Транзисторы чувствительны к воздействию статического электричества.
Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
| Наименование параметра, режим замера, единица замера | Буквенное обозначение | Допуск | |
| больше | меньше | ||
| Статический КП тока (Uкб=1V, Iэ=1A): 2Т831А, 2Т831Б, 2Т831В | h21э | 25 | |
| 2Т831Г | 20 | ||
| Граничное вольтаж, V (Iэ=0,1A, tu<=300us, Q>100): 2Т831А | Uкэогр | 25 | |
| 2Т831Б | 45 | ||
| 2Т831В | 60 | ||
| 2Т831Г | 80 | ||
| Вольтаж насыщения коллектор-эмиттер, V (Iк=1A, Iб=0,1A) | Uкэнас | 0,6 | |
| Вольтаж насыщения база-эмиттер, V (Iк=1A, Iб=0,1A) | Uбэнас | 1,3 | |
| Вольтаж пробития коллектор-база, V (Iк=0,1mA): 2Т831А | Uкбо проб | 35 | |
| 2Т831Б | 60 | ||
| 2Т831В | 80 | ||
| 2Т831Г | 100 | ||
| Вольтаж пробития эмиттер-база, V (Iэ=1mA) | Uэбо проб | 12 | |
Предельные параметры
