Корзина
Каталог
Производитель
ИнформацияК1801ВМ1Б 1991 микросхема интегральная полупроводниковая
 увеличить... |
|
||||||||||||
К1801ВМ1Б микросхемы полупроводниковой:
К1801ВМ1Б - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом 16-разрядный микропроцессор (МП) с внутренним блоком микрокомандного управления. Микросхемы выполнены в металлокерамическом корпусе 249.42-5. Тип прибора указывается на металлическом корпусе. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125 град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ. Микросхемы соответствуют техническим условиям.
Ссылки на технические материалы
| карта | фото | схема выводов |
| графическое обозначение | параметры | структурная схема |
| эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения выводов
Вес не превышает 4g.
Условно графическое обозначение
Структурная схема
Назначение выводов
| Контакт | Цепь | Контакт | Цепь |
| 01 | вх синхронизации CLC | 31...33 | вх запросов 1, 2 и 3 радиального прерывания IRQ1...IRQ3 |
| 02 | вх подтверждения выборкм SACK | 34 | вх/вых установки исходн/сост INIT |
| 03, 06, 26, 27 | резервные SР | 35 | вх требования прерывания VIRQ |
| 04 | вых предоставления прямого доступа к памяти DМGO | 36 | вых предоставления nрерывания IАKО |
| 05 | вх требования прямого доступа к nамяти DMR | 37 | вых вывода-данных (запись-данных) DОUТ |
| 07, 08 | вых выборки регистров 1 и 2 ввода/вывода SEL1, SEL2 | 38 | вых ввода-данных (чтение-данных) DIN |
| 09...20, 22...25 | вх/вых разрядов адреса данных AD0...AD15 | 39 | вх синхрон-ии пассивного устройства (ответ) RPLY |
| 21 | общий | 40 | вых вывод-байта (запись-байт) WTВТ |
| 28 | вых сигнала занятости канала ВSY | 41 | вых синхрон-ии активного устройства (обмен) SYNC |
| 29 | вх аварии источника питания DСLО | 42 | Uпит |
| 30 | вх аварии сетевого питания АСLО |
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
| Название характеристики, единица и режим замера | Норма | |
| больше | меньше | |
| Номинальное напряжение питания, V: Uп1; | 5-5% | 5+5% |
| Входное напряжение уровня, V: низкого; | 0,7 | |
| высокого. | 2,2 | |
| Выходное напряжение уровня, V: низкого (Uп=4,5V, Iвых=3,2mA); | 0,5 | |
| высокого (Uп=4,5V, Iвых=-0,2mA). | 2,4 | |
| Ток утечки, uA: на входе; | 1 | |
| на выходе (Uп=5,5V). | 50 | |
| Ток потребления, mA (Un=5,25V, fт=0,1MHz) | 200 | |
| Мощность потребления, W | 1,2 | |
| Время перехода nри включении, ns | 50 | |
| Емкость, pF: выходная: | 15 | |
| входная. | 10 | |
| Время перехода при включении, ns | 50 | |
| Число РОН | 8 | |
| Количество линий запроса на прерывание | 4 | |
| Адресное пространство, кбайт | 64 | |
| Тактовая частота, MHz: ВМ1А; | 4,7 | |
| К1801ВМ1Б; | 3,5 | |
| ВМ1В. | 2,5 | |
| Максим. скорость исполнения 2 команд сложения в составе ЭВМ и регистровом методе адресации, и выборе из памяти не более чем 400ns, опер/сек | 500*10^3 | |
| Количество команд | 69 | |
| Время выполнения операции сложение-вычитание, us | 2 | |
Предельные К1801ВМ1Б параметры
