113ТР1Б, Микросхема интегральная

113ТР1Б микросхемы полупроводниковой:

113ТР1Б — интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)
микросхемы интегральные используются в радио-электронной аппаратуре в широком спектре применения с функциональным назначением логический элемент ИЛИ-НЕ. Микросхемы выполнены в металлостеклянном корпусе 401.14-4, вес не превышает 0,45g. Тип операционного усилителя указывается на металлическом корпусе. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125 град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ и соответствует техническим условиям.

Ссылки на технические материалы

ссылки на 113ТР1Б дополнительный материал:

карта	фото	схема выводов
значение выводов	параметры	предельные параметры
эксплуатация	PDF

Знак завода изготовителя

Схема расположения выводов

Назначение выводов

Основные электро параметры при t=25+-10 градусов цельсия

таблица основные 113ТР1Б электро параметры:

Наименование параметра, режим замера, единица замера	Допуск
	больше	меньше
Номинальное напряжение питания	4V+-5%
Напряжение на выходе низшего значения, V	-	0,2
Напряжение на входе, V	-	4,4
Инверсное напряжение на входе, V	-	3
Ток на входе высшего значения, uA	-	38
Ток на выходе высшего значения, uA	78	210
Коэффициент разветвления	4
Температура окружающей среды, оС	-10	+70

Указания 113ТР1Б по эксплуатации

1. Режимы и условия монтажа чипов в устройство должны соответствовать требованиям ОСТ 11 073.063-84 для корпусов типа 4 по ГОСТ 17467-79.
2. Недопустимо подключение любых электрических сигналов (так же питания и земля) к корпусу и контактам, не задействованным в соответствии с электрической принципиальной схеме.
3. При проведении ремонтных работ устройств смену микросхем выполнять только при выключенных источниках питания.
4. При эксплуатации микросхем следует их защищать от статического электричества в соответствии с ОСТ 11 073.062-84.
Максимально возможный статический потенциал 113ТР1Б 200В