113ТР1Б 1992 микросхема интегральная полупроводниковая
увеличить... |
|
113ТР1Б микросхемы полупроводниковой:
113ТР1Б - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в радио-электронной аппаратуре в широком спектре применения с функциональным назначением логический элемент ИЛИ-НЕ. Микросхемы выполнены в металлостеклянном корпусе 401.14-4, вес не превышает 0,45g. Тип операционного усилителя указывается на металлическом корпусе. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125 град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ и соответствует техническим условиям.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | параметры | предельные параметры |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения выводов
Назначение выводов
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов цельсия
Наименование параметра, режим замера, единица замера | Допуск | |
больше | меньше | |
Номинальное напряжение питания | 4V+-5% | |
Напряжение на выходе низшего значения, V | - | 0,2 |
Напряжение на входе, V | - | 4,4 |
Инверсное напряжение на входе, V | - | 3 |
Ток на входе высшего значения, uA | - | 38 |
Ток на выходе высшего значения, uA | 78 | 210 |
Коэффициент разветвления | 4 | |
Температура окружающей среды, оС | -10 | +70 |
Указания 113ТР1Б по эксплуатации
1. Режимы и условия монтажа чипов в устройство должны соответствовать требованиям ОСТ 11 073.063-84 для корпусов типа 4 по ГОСТ 17467-79.2. Недопустимо подключение любых электрических сигналов (так же питания и земля) к корпусу и контактам, не задействованным в соответствии с электрической принципиальной схеме.
3. При проведении ремонтных работ устройств смену микросхем выполнять только при выключенных источниках питания.
4. При эксплуатации микросхем следует их защищать от статического электричества в соответствии с ОСТ 11 073.062-84.
Максимально возможный статический потенциал 113ТР1Б 200В