1554ИД14 2002 микросхема интегральная полупроводниковая
увеличить... |
|
1554ИД14ТБМ микросхема полупроводниковая:
1554ИД14ТБМ - это цифровая микросхема 1554-ей серии, являются триодной логикой с функционалом два дешифратора-демультиплексора 2-4 с инвертированием по выходу и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации с минус 60 по плюс 125oC. Климатически исполнены УХЛ и соответствует 2) техусловиям не ТБМ АЕЯР.431200.093-07ТУ, ТБМ АЕЯР.431200.182-10ТУ.Ссылки на технические материалы
карта | фото | условно-графическое обозначение |
значение выводов | предельные параметры | таблица истинности |
статические характеристики | динамические параметры | |
Знак завода изготовителя
Расположения выводов схематическое
Корпус типа 402.16-32, масса меньше 1,5 г.
Условно-графическое обозначение
Значение выводов микросхемы
Номер вывода | Обозначение | Назначение | Номер вывода | Обозначение | Назначение |
01 | 1ST (инв) | Вход разрешения | 09 | 2Q3 (инв) | Выход |
02 | 1A0 | Вход адреса | 10 | 2Q2 (инв) | Выход |
03 | 1A1 | Вход адреса | 11 | 2Q1 (инв) | Выход |
04 | 1Q0 (инв) | Выход | 12 | 2Q0 (инв) | Выход |
05 | 1Q1 (инв) | Выход | 13 | 2A1 | Вход адреса |
06 | 1Q2 (инв) | Выход | 14 | 2A0 | Вход адреса |
07 | 1Q3 (инв) | Выход | 15 | 2ST (инв) | Вход разрешения |
08 | GND | Общий вывод | 16 | Vcс | Вывод питания от источника напряжения |
Таблица истинности
Вход | Выход | |||||
ST (инв) | A1 | A0 | Q 0 (инв) | Q 1 (инв) | Q 2 (инв) | Q 3 (инв) |
н L L L L |
х L L н н |
х L н L н |
н L н н н |
н н L н н |
н н н L н |
н н н н L |
Примечание - н - высокий уровень напряжения; L - низкий уровень напряжения ; х - любой уровень напряжения - низкий или высокий |
Предельные параметры
Название характеристик, режим и единица замера | Буквенное обозначение параметра | Предельно-допустимый режим | Предельный режим | ||
Допуск | Допуск | ||||
больше | меньше | больше | меньше | ||
Питающее напряжение, V | VСС | 2.0 | 6.0 | -0.5 | 7.0 |
Напряжение на входе низшего уровня, V при VСС < 3.0V | VIL | 0 | 0.2 VСС | -0.5 | - |
при VСС >= 3.0V | 0.3 VСС | ||||
Напряжение на входе высшего уровня, V при VСС < 3.0V | VIн | 0.8 VСС | VСС | - | VСС+0.5 |
при VСС >= 3.0V | 0.7 VСС | ||||
Напряжение, прикладываемое к выходу, V | VOI | 0 | VСС | -0.5 | VСС+0.5 |
Ток на выходе диода, mA | IIк | - | - | - | +-20 |
Ток на выходе низшего уровня, mA | IOL | - | 24 | - | - |
Ток на выходе высшего уровня, mA | IOн | - | -24 | - | - |
Ток на выходе диода, mA | IOк | - | - | - | +-50 |
Ток на выходе низшего уровня, mA при VOLD = 1.65V, Та = 25оС | IOLD* | - | 70 | - | - |
при VOLD = 1.65V, Та = минус 60, плюс 125оС | 57 | ||||
Ток на выходе высшего уровня, mA при VOнD = 3.85V, Та = 25оС | IOнD* | - | -60 | - | - |
VOнD = 3.85V, Та = минус 60, плюс 125оС | -50 | ||||
Ток вывода питания или о6щего вывода, mA | IСС, IGND | - | - | - | +-100 |
Время нарастания и спада сигнала на входах, ns/V VСС=3.0V | tLн, tнL | - | 3 | - | 150 |
VСС=4.5V | 3 | 40 | |||
VСС=5.5V | 3 | 25 | |||
Емкость нагрузки, pF | СL | - | 50 | - | 500 |
* Длительность воздействия режима меньше 2ms |
Статические параметры
Название характеристик, режим и единица замера | Буквенное обозначение | Режим замера | Допуск | Температура,оС | ||
VIL, VIн, IOL, IOн, VI, tLн, tнL, СL |
Vcс, V | больше | меньше | |||
Напряжение на входе высшего уровня, V | VIн | Vo <= 0.1V или Vo>=Vcс - 0.1V |
3.0 4.5 5.5 |
2.1 3.15 3.85 |
- |
25+-10 -60 125 |
Напряжение на входе низшего уровня, V | VIL | Vo <= 0.1V или Vo >= Vcс - 0.1V |
3.0 4.5 5.5 |
- |
0.9 1.35 1.65 |
25+-10 -60 125 |
Выходное напряжение высшего уровня, V | VOн | VI = VIн или VIL, IOн = -50 uA |
3.0 4.5 5.5 |
2.9 4.4 5.4 |
- |
25+-10 -60 125 |
VI = VIн или VIL, IOн = -12 mA | 3.0 | 2.58 | 25+-10 | |||
3.0 | 2.40 | -60 125 | ||||
VI = VIн или VIL, IOн = -24 mA |
4.5 5.5 |
3.94 4.94 |
25+-10 | |||
4.5 5.5 |
3.70 4.70 |
-60 125 | ||||
Выходное напряжение низшего уровня, V | VOL | VI = VIн или VIL, IOL = 50 uA |
3.0 4.5 5.5 |
- |
0.1 0.1 0.1 |
25+-10 |
VI = VIн или VIL, IOL = 12 mA | 3.0 | 0.36 | 25+-10 | |||
3.0 | 0.50 | -60 125 | ||||
VI = VIн или VIL, IOL = 24 mA |
4.5 5.5 |
0.36 | 25+-10 | |||
4.5 5.5 |
0.50 | -60 125 | ||||
Ток на выходе низшего уровня, uA | IIL | VI = 0V | 5.5 | - | -0.1 | 25+-10 |
5.5 | -1.0 | -60 125 | ||||
Ток на выходе высшего уровня, uA | IIн | VI = Vcс | 5.5 | 0.1 | 25+-10 | |
5.5 | 1.0 | -60 125 | ||||
Ток на выходе низшего уровня, mA | IOLD | VOLD = 1.65V (длительность воздействия режима меньше 2ms) | 5.5 | 70 | - | 25+-10 |
5.5 | 57 | -60 125 | ||||
Ток на выходе высшего уровня, mA | IOнD | VOнD = 3.85V (длительность воздействия режима меньше 2ms) | 5.5 | -60 | 25+-10 | |
5.5 | -50 | -60 125 | ||||
Ток потребления, uA | IСС | - | 5.5 | 8.0 | 25+-10 | |
5.5 | 160 | -60 125 |
Динамические параметры
Название характеристик, режим и единица замера | Буквенное обозначение | Режим замера | Допуск | Темпе- ратура,оС | ||
VIL, VIн, IOL, IOн, VI, tLн, tнL, СL | Vcс, V | больше | меньше | |||
Время задержки распространения при включении, ns , от входа A до выхода Q (инв) | tPнL | VIL = 0V, VIн = Vcс, tLн = tнL = 3 ns, СL = 50 pF, RL = 510 Ом |
3.3+-0.3 5.0+-0.5 |
- |
10.0 7.5 |
25+-10 |
3.3+-0.3 5.0+-0.5 |
12.5 10.0 |
-60, 85 | ||||
3.3+-0.3 5.0+-0.5 |
15.0 12.0 |
125 | ||||
Время задержки распространения при выключении, ns , от входа A до выхода Q (инв) | tPLн |
3.3+-0.3 5.0+-0.5 |
11.5 8.5 |
25+-10 | ||
3.3+-0.3 5.0+-0.5 |
14.5 11.0 |
-60, 85 | ||||
3.3+-0.3 5.0+-0.5 |
17.5 13.0 |
125 | ||||
Время задержки распространения при включении, ns, от входа ST (инв) до выхода Q (инв) |
tPнL |
3.3+-0.3 5.0+-0.5 |
10.0 7.5 |
25+-10 | ||
3.3+-0.3 5.0+-0.5 |
12.5 10.0 |
-60, 85 | ||||
3.3+-0.3 5.0+-0.5 |
15.0 12.0 |
125 | ||||
Время задержки распространения 1554ИД14ТБМ при выключении, ns, от входа ST (инв) до выхода Q (инв) |
tPLн |
3.3+-0.3 5.0+-0.5 |
12.0 8.5 |
25+-10 | ||
3.3+-0.3 5.0+-0.5 |
14.5 11.0 |
-60, 85 | ||||
3.3+-0.3 5.0+-0.5 |
17.5 13.0 |
125 |