Корзина
Каталог
Производитель
Информация155РУ7 1987 микросхема интегральная полупроводниковая
 увеличить... |
|
||||||||||||
155РУ7 микросхема полупроводниковая:
155РУ7 - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в радио-электронной аппаратуре в большом круге применения с функциональным назначением в качестве ОЗУ на 1024 бит (1024 слов*1 разряд) со схемами управления . Интегральная микросхема - в пластмассовом корпусе 238.16-2. Тип прибора указывается на плстиковом корпусе. Климатическое исполнение микросхем УХЛ.
Приборы с 2) соответствуют техническим условиям 3.088.042 ТУ и 3.088.042-26 ТУ.
Приборы 1) соответствуют техническим условиям 0.348.006 ТУ и 0.348.006-34 ТУ.
Ссылки на технические материалы
| карта | фото | схема выводов |
| значение выводов | параметры | предельные параметры |
| эксплуатация | производитель | |
Знак завода изготовителя
Схема расположения и назначение выводов
| Вход | Выход | Режим работы | ||
| V1 | V2 | D | ||
| 1 | H | H | Третье состояние | Хранение |
| 0 | 1 | H | Информация в прямом ходе | Считывание |
| 0 | 0 | 1 | Третье состояние | Запись 1 |
| 0 | 0 | 0 | Третье состояние | Запись 0 |
1-напряжение высшего значения
0-напряжение низшего значения
Н-безразличное состояние.
| Контакт | Цепь | Контакт | Цепь |
| 1 | Входной контакт разрешения выборки кристалла V1 | 9 | Входной контакт адреса А5 |
| 2 | Входной контакт адреса А0 | 10 | Входной контакт адреса А6 |
| 3 | Входной контакт адреса А1 | 11 | Входной контакт адреса А7 |
| 4 | Входной контакт адреса А2 | 12 | Входной контакт адреса А8 |
| 5 | Входной контакт адреса А3 | 13 | Входной контакт адреса А9 |
| 6 | Входной контакт адреса А4 | 14 | Входной контакт разрешения записи V3 |
| 7 | Выходной контакт | 15 | Входной контакт информации D |
| 8 | Общий | 16 | Питание Ucc |
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов цельсия
| Параметры, единица измерения, режим измерения | Буквенное обозначение | Норма | Температура, град. С | |
| больше | меньше | |||
| Вольтаж на выходе низшего значения , V | U OL | - | 0,45 | 25, 70, -10 |
| Вольтаж на выходе высшего значения, V | U OH | 2,4 | ||
| Ампераж на входе низшего значения, mA | I IL | -0,4 | - | |
| Ампераж на входе высшего значения , uA | I IH | - | 40 | |
| Ампераж на выходе в состоянии выключена, uA | I OLH | -50 | 50 | |
| Ампераж потребления, mA | I CC | - | 140 | 25 |
| - | 160 | -10 | ||
| - | 130 | 70 | ||
| Продолжительность выбора адреса для перевода из состояния низшего значения в состояние высшего значения и из состояния высшего значения в состояние низшего значения, ns | - | 45 | 25, 70, -10 | |
| Продолжительность выбора разрешения для перевода из третьего состояния в состояние низшего значения, в состояние высшего значения, ns | - | 34 | ||
| Продолжительность выбора эмиссии для перевода из состояния низшего значения, высшего значения в 3-е состояние, nc | - | 35 | ||
| Продолжительность выбора считывания для перевода из 3-его состояния в состоянии низшего значения, в состояние высшего значения, ns | - | 40 | ||
| Продолжительность выбора хранения для перевода из состояния низшего значения, высшего значения в 3-е состояние, ns | - | 35 | ||
Предельно-допустимые режимы эксплуатации (в температурных диапозонах среды)
| Наименование параметра, единица замера | Обозначено буквами | Допуск | |
| больше | меньше | ||
| Напряжение питание , V | U cc | - |
5,25 |
| Входное напряжение низшего значения, V | U IL | - | 0,5 |
| Входное напряжение высшего значения, V | U IH | 2,4 | - |
| Выходной втекающий ток , mA | I OL | - | 16 |
| Выходной вытекающий ток, mA | I OH | -5,2 | - |
| Форадность нагрузки, pF | C L | - | 30 |
Показания эксплуатирования
Показания эксплуатирования и применения микросхем по ГОСТ18725-83| Наибольшее значение статического потенциала 200V |
| Компонентам допустима фиксация методами групповой пайки и одножальным паяльником |
| Запрещено подключение каких либо электро сигналов (так же шин питания и корпус) к контактам микросхем , неиспользуемым в соответствии принципиально-электрической схемы микросхемы |
| Входная емкость меньше 8pF |
| При эксплуатации микросхемы температура корпуса не должна превышать 70 градусовС |
| Наибольшая продолжительность фронта (среза) импульса на входе 155РУ7 меньше 150ns |