Корзина
Каталог
Производитель
Информация1802ИР1 2001 микросхема интегральная полупроводниковая
 увеличить... |
|
||||||||||||
1802ИР1 микросхемы полупроводниковой:
1802ИР1 - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом двухадресный регистр общего назначения. Микросхемы выполненны в керамическом корпусе 4118.24-1. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ и соответсвуют 2) техническим условиям 0.347.253ТУ и 0.347.253ТУ1.
Ссылки на технические материалы
| карта | фото | схема контактов |
| значение контактов | параметры | предельные параметры |
| эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения контактов микросхемы
Таблица назначения контактов микросхемы
|
Номер контакта |
Функциональное назначение контактов | Тип выхода | Уровень активного напряжения |
| 1 | Вх адреса канала А, разряд 0 (АА0) | ||
| 2 | Вх адреса канала А, разряд 1 (АА1) | ||
| 3 | Вх адреса канала А, разряд 2 (АА2) | ||
| 4 | Вх адреса канала А, разряд 3 (АА3) | ||
| 5 | Вх/Вых информации канала А, разряд 0 (DA0) | Бинаправленный, три состояния | |
| 6 | Вх/Вых информации канала А, разряд 1 (DA1) | ||
| 7 | Вх/Вых информации канала А, разряд 2 (DA2) | ||
| 8 | Вх/Вых информации канала А, разряд 3 (DA3) | ||
| 9 | Вх считывания информации канала А (RА) | Низкий | |
| 10 | Вх разрешения канала А (ЕСА) | ||
| 11 | Вх записи канала А (WA) | ||
| 12 | Общий GND | ||
| 13 | Вх адреса канала В, разряд 0 (АВ0) | ||
| 14 | Вх адреса канала В, разряд 1 (АВ1) | ||
| 15 | Вх адреса канала В, разряд 2 (АВ2) | ||
| 16 | Вх адреса канала В, разряд 3 (АВ3) | Бинаправленный, три состояния | |
| 17 | Вх/Вых информации канала В, разряд 3 (DВ3) | ||
| 18 | Вх/Вых информации канала В, разряд 2 (DВ2) | ||
| 19 | Вх/Вых информации канала В, разряд 1 (DВ1) | ||
| 20 | Вх/Вых информации канала В, разряд 0 (DВ0) | ||
| 21 | Вх считывания канала В (RВ) | Низкий | |
| 22 | Вх разрешения канала В (ЕСВ) | ||
| 23 | Вх записи канала В (WВ) | ||
| 24 | Питание Uсс |
Электрические параметры
| Наименование параметра, режим измерения, единица измерения |
Буквенное обозначение |
Норма | |
| больше | меньше | ||
|
Выходное напряжение низкого уровня, V (Ucc=4,5V, IOL=15mA) |
U OL | - | 0,5 |
| Выходное напряжение высокого уровня, V (Ucc=4,5V, IOH=-1mA) | U OH | 2,4 | - |
| Ток потребления, mA (Ucc=5,5V, U IL=0V) | Icc | - | 180 |
| Входной ток низкого уровня, mA (Ucc=5,5V, U IL=0,45V) по выводам 1-8, 13-20 | I IL | -0,25 | - |
| по выводам 9, 11, 21, 23 | -0,4 | ||
| по выводам 10, 22 | -0,8 | ||
| Входной ток высокого уровня, uA(Ucc=5,5V, U IH=5,5V) | I IH | - | 40 |
| Выходной ток высокого уровня в состоянии ВЫКЛЮЧЕНО, uA (Ucc=5,5V, Uo=5,5V) | I | - | 100 |
| Время задержки распространения при включении (выключении) от входа адреса канала А до входов (выходов) информации канала А, ns. При t=25+-5oC | tp | - | 57 |
| При t=125+-5oC, t=-60+-3oC | 60 | ||
| Время задержки распространения при включении (выключении) от входа адреса канала В до входов (выходов) информации канала В, ns. При t=25+-5oC | tp | - | 57 |
| При t=125+-5oC, t=-60+-3oC | 60 | ||
| Время задержки распространения 1802ИР1 при включении (выключении) от входов информации канала А до входов (выходов) информации канала В, ns. При t=25+-5oC | tp | - | 65 |
| При t=125+-5oC, t=-60+-3oC | 68 | ||
| Время задержки распространения при включении (выключении) от входов информации канала В до входов (выходов) информации канала А, ns. При t=25+-5oC | tp | - | 65 |
| При t=125+-5oC, t=-60+-3oC | 68 | ||
| Время перехода из состояния низкого уровня в выключенное состояние и из выключенного состояния в состояние низкого уровня от входов считывания информации, ns. При t=25+-5oC | t | - | 34 |
| При t=125+-5oC, t=-60+-3oC | 37 | ||
| Время перехода из состояния низкого уровня в выключенное состояние и из выключенного состояния в состояние низкого уровня от входов разрешения, ns. При t=25+-5oC | t | - | 34 |
| При t=125+-5oC, t=-60+-3oC | 37 | ||
| Время перехода из состояния высокого уровня в выключенное состояние и из выключенного состояния в состояние высокого уровня от входов считывания информации, ns. При t=25+-5oC | t | - | 34 |
| При t=125+-5oC, t=-60+-3oC | 37 | ||
| Время перехода из состояния высокого уровня в выключенное состояние и из выключенного состояния в состояние высокого уровня от входов разрешения, ns. При t=25+-5oC | t | - | 34 |
| При t=125+-5oC, t=-60+-3oC | 37 | ||
1. UIL=(0-0,5)V; UIH=(2,4-4,5)V; UIL=0,8V; UTH=2,0V
2. RL - сопротивление нагрузки
3. CL - емкость нагрузки
4. Верхнее значение 1802ИР1 температуры (125+-5)оС на корпусе микросхемы.
