1802ВР2 1991 микросхема интегральная полупроводниковая
увеличить... |
|
1802ВР2 микросхемы полупроводниковой:
1802ВР2 - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом схема умножителя. Микросхемы выполненны в керамическом корпусе 4138.42-3. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ и соответсвуют 2) техническим условиям 0.347.253ТУ и 0.347.253ТУ6.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема контактов |
значение контактов | параметры | предельные параметры |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения контактов микросхемы
Таблица назначения контактов микросхемы
Номер конт. |
Функциональное назначение контактов | Тип вых. | Уровень активн. напр. | Код информ. на выходе |
Номер конт. |
Функциональное назначение контактов | Тип вых. | Уровень активн. напр. | Код информ. на выходе |
1 | Вх/Вых информации В, разряд 6 (DВ6) | * |
обрат- ный |
22 | Вх/Вых информации R, разряд 6 (DA6) | * |
обрат- ный |
||
2 | Вх/Вых информации В, разряд 7 (DВ7) | 23 | Вх/Вых информации R, разряд 5 (DA5) | ||||||
3 | Вх в седьмой разряд RG3, вых из седьмого разряда RG3 (RI/LO) | * |
RI-обр. L0-прям. |
24 | Вх/Вых информации R, разряд 4 (DA4) | ||||
4 | Общий GND | 25 | Вх/Вых информации R, разряд 3 (DA3) | ||||||
5 | Вых для запуска счетчика циклов при умножении вх для запуска счетчика циклов при делении (JMPH) | * | низкий | 26 | Вх/Вых информации R, разряд 2 (DA2) | ||||
6 | Вых для запуска счетчика циклов при делении, вых для запуска счетчика циклов при умножении (JMPD) | 27 | Вх/Вых информации R, разряд 1 (DA1) | ||||||
7 | Вых из седьмого разряда RG2, выдачи 1 или 0, вых признака ЗНАК, (LO) | Прямой | 28 | Вх/Вых информации R, разряд 0 (DA0) | |||||
8 | Вх/Вых сигнала ОСТАНОВ, (HLT) | ** | высокий | 29 | Вх переноса, (CI) | Прямой | |||
9 | Вх выбора микросхемы 1, (CS1) | низкий | 30 | Вых первого разряда 1802ВР2 RG3/вх в нулевой разряд RG3, (R0/LI) | * |
R0-обр. L0-прям. |
|||
10 | Вх микроинструкций разряд 1, (F1) | Прямой | 31 | Вых нулевого разряда RG3, (R0) | *** |
обрат- ный |
|||
11 | Вых переноса, (CO) | 32 | Питание +5V | ||||||
12 | Вх определения старшего кристала, (CNS) | высокий | 33 | DВых распространения переноса (выход признака ГОТОВ), (D/RDY) |
обрат- ный |
||||
13 | Вх микроинструкций разряд 0, (F0) | Прямой | 34 | Вых генерации переноса (вых переполнения), (G/0W) |
G-обр. 0W-прям. |
||||
14 | Вх синхронизации, (CdK) | 35 | Вых в шестой разряд RG3, (RI) |
обрат- ный |
|||||
15 | Вх выбора микросхемы 2, (CS2) | низкий | 36 | Вх в нулевой разряд RG2, (LI) | Прямой | ||||
16 | Вх в шестой разряд RG1/ вых признака НУЛЬ, (KI/ZR) | ** |
RI-обр. L0-прям. |
37 | Вх/Вых информации В, разряд 0 (DВ0) | * |
обрат- ный |
||
17 | Вх/вых сигнала направления микрооперациями разряд 1, (CF1) | * | 38 | Вх/Вых информации В, разряд 1 (DВ1) | |||||
18 | Вых из седьмого разряда RC1, вх в седьмой разряд RG1, выход признака РАСШИРЕНИЯ(d0/RI) | ** |
RI-обр. L0-прям. |
39 | Вх/Вых информации В, разряд 2 (DВ2) | ||||
19 | Общий GND | 40 | Вх/Вых информации В, разряд 3 (DВ3) | ||||||
20 | Вх/вых сигналов управления микрооперациями разряд 0, (CP0) | * | 41 | Вх/Вых информации В, разряд 4 (DВ4) | |||||
21 | Вх/Вых информации R, разряд 7 (DA7) |
обрат- ный |
42 | Вх/Вых информации В, разряд 5 (DВ5) | |||||
Примечание: * - бинаправленные шины с тремя состояниями ** - бинаправленные шины с открытым коллектором *** - выход с тремя состояниями |
Электрические параметры
Наименование параметра, режим измерения, единица измерения |
Буквенное обозначение |
Норма | |
больше | меньше | ||
Выходное напряжение низкого уровня, V (Ucc=4,5V, IOL=15mA) |
U OL | - | 0,5 |
Выходное напряжение высокого уровня, V (Ucc=4,5V, IOH=-1mA) | U OH | 2,4 | - |
Ток потребления, mA (Ucc=5,5V, U IL=0V) | Icc | - | 300 |
Входной ток низкого уровня, mA (Ucc=5,5V, U IL=0,5V) по выводам 3, 12, 14, 29, 35 | I IL | -0,25 | - |
по выводам 1, 2, 37-42 | -0,4 | ||
по выводам 9, 17, 20 | -2 | ||
по выводам 10, 13, 16, 18, 21-28 | -0,45 | ||
по выводам 15, 30, 36 | -0,5 | ||
по выводам 6 | -0,8 | ||
по выводам 5 | -1,3 | ||
по выводам 8 | -1,5 | ||
Входной ток высокого уровня, uA(Ucc=5,5V, U IH=5,5V), по выводам 12, 14, 29, 35 | I IH | - | 40 |
по выводам13, 10, 15, 36 | 80 | ||
по выводам 9 | 140 | ||
Выходной ток высокого уровня в состоянии ВЫКЛЮЧЕНО, uA (Ucc=5,5V, Uo=5,5V) | IOZH | - | 100 |
Выходной ток высокого уровня, uA (Ucc=5,5V, Uo=5,5V), по выводам16, 18, 31 | IOH | - | 100 |
по выводам 8 | 200 | ||
Время задержки распространения от вывода 9 до вывода 33, ns | tp | - | 50 |
60* | |||
Время задержки 1802ВР2 распространения от вывода 14 до вывода 31, ns | tp | - | 80 |
90* | |||
Время задержки распространения от вывода 14 до вывода 30, ns | tp | - | 80 |
90* | |||
Время задержки распространения от вывода 14 до вывода 3, ns | tp | - | 75 |
85* | |||
Время задержки распространения от вывода 20 до вывода 33, ns | tp | - | 80 |
90* | |||
Время задержки распространения от вывода 20 до вывода 34, ns | tp | - | 80 |
90* | |||
Время задержки распространения от вывода 17, 20 до вывода 11, ns | tp | - | 80 |
90* | |||
Время задержки распространения от вывода 14 до вывода 20, ns | tp | - | 55 |
60* | |||
Время задержки распространения от вывода 20 до вывода 7, ns | tp | - | 50 |
60* | |||
Время задержки распространения от вывода 29 до вывода 11, ns | tp | - | 25 |
35* | |||
Время задержки распространения от вывода 17 до вывода 7, ns | tp | - | 50 |
60* |
1. UIL=(0-0,5)V; UIH=(2,4-4,5)V; UIL=0,8V; UTH=2,0V
2. RL - сопротивление нагрузки
3. CL - емкость нагрузки
4. * - при температурах (125+-5)оС и минус (60+-3)оС
5. Верхнее значение 1802ВР2 температуры (125+-5)оС на корпусе микросхемы.