Корзина
Каталог
Производитель
Информация1НТ251А 1990 сборка транзисторная полупроводниковая
 увеличить... |
|
||||||||||||
1НТ251А матрицы полупроводниковой:
1НТ251А - это транзисторная матрица (артикулярное наименование по ГОСТ)полупроводниковые транзисторные матрицы кремний эпитаксиальнопланарные системы NPN назначение для использования в быстродействующих импульсных и переключающих устройствах. Сборки биполярные полупроводниковые состоят из четырех электрически изолированных переключающих СВЧ транзисторов и используются в РЭА в широком спектре использования. Матрицы выполнены в стеклометаллическом корпусе. Модель прибора, знак завода и дата выпуска наносится на верхней металической части корпуса. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует 2) техническим условиям 3.456.000 ТУ.
Ссылки на технические материалы
| карта | фото | схема выводов |
| значение выводов | габариты | параметры |
| эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Расположения выводов схематическое, назначение выводов, габаритные размеры, маркировка
Вес не превышает 0,4g.
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
| Наименование параметра (режим замера), единица замера | Обозначение буквой | Допуск | |||
| 1НТ251 | 1НТ251А | ||||
| больше | меньше | больше | меньше | ||
| Статический КП тока в схеме с общим эмиттером (Uкб=5V, Iэ=200mA, f=50Hz) | h 21э | 30 | 150 | 30 | 150 |
| Инверсный ток коллектор, uA (U кб=45V) | Iкбо | - | 6 | - | 6 |
| Инверсный ток эмиттера, uA (Uэб=4V) | Iэбо | - | 10 | - | 10 |
| Время рассасывания, ns (Iк=150mA, Iб1=Iб2=15mA) | tрас | - | 100 | - | 200 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, V (Iб=80mA, Iк=400mA) | Uкэнас | - | 1,0 | - | 1,0 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер, V (Iб=80mA, Iк=400mA) | Uбэнас | - | 1,5 | - | 1,5 |
| Модуль КП тока на высших частотах (Uкэ=10V, Iк=30mA, f=10^8Hz) | |h 21э| | 2 | - | 2 | - |
| Емкость коллекторного перехода, pF (Uкб=10V, f=5*10^6Hz) | Ck | - | 15 | - | 15 |
| Емкость 1НТ251А эмиттерного перехода, pF (Uэб=0V, f=5*10^6Hz) | Сэ | - | 50 | - | 50 |
