Корзина
Каталог
Производитель
Информация218ТК1 1990 микросхема интегральная полупроводниковая
 увеличить... |
|
||||||||||||
218ТК1 микросхема полупроводниковая:
218ТК1 - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в радио-электронной аппаратуре в широком спектре применения с функциональным назначением для работы в качестве триггера с комбинированным запуском. Микросхемы выполнены в металлостеклянном корпусе. Тип изделия указывается на металлическом корпусе. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125 град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ и соответствует техническим условиям для 2) бК0.347.032ТУ.
Ссылки на технические материалы
| карта | фото | схема выводов |
| значение выводов | параметры | предельные параметры |
| эксплуатация | производитель | |
Знак завода изготовителя
Схема расположения выводов
Обозначение выводов показаны условно. Вес не превышает 3g.
Назначение выводов
| Контакт | Цепь | Контакт | Цепь |
| 01 | Корпус | 08 | Вход (для связи с общей точкой) |
| 02 | Выход4 (для связи с выходом3) | 09 | Вход1 (установка R емкостная) |
| 03 | Вход (счетный) | 10 | Общий вывод |
| 04 | Напряжение питания Uип | 12 | Установка S по постоянному току |
| 05, 06, 11 | Свободные | 13 | Выход2 (для связи с выходом1) |
| 07 | Выход3 | 14 | Выход1 |
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов цельсия
| Наименование параметра, режим замера, единица замера | Допуск | |
| больше | меньше | |
| Максимальная амплитуда выходного напряжения, V (Rн=820Om; Сн=100nF) | 4,0 | - |
| Время нарастания выходного напряжения, us (Rн=820Om; Сн=100nF) | - | 0,2 |
| Время спада выходного напряжения, us (Rн=820Om; Сн=100nF) | - | 0,1 |
| Напряжение запуска, V (Rн=820Om; Сн=100nF) | 0,9 | 2,0 |
Указания 218ТК1 по эксплуатации
1. Указания по применению и эксплуатации по ОСТ В 11 073.041-82, ОСТ 11 073.062-84, ОСТ 11 073.063-84 и бК0.347.032ТУ.2. Установку микросхем на плату производить с зазором 1,0+-0,1mm без какого-либо дополнительного крепления. Допускается производить установку микросхем с зазором до 1,5mm с применением прокладок.
3. Перед началом монтажных или сборочных работ с микросхемами необходимо тщательно заземлить все приборы, инструмент.
4. Допустимое значение статического потенциала 218ТК1 по второй степени жесткости ОСТ11 073.062-84 (30V).
