2Д222ЕС 1989 диод полупроводниковый кремниевый

Производитель:	ТЭЗ (Томилино)
Модель:	2д222ЕС (код 89) /ТЭЗ/ (Au) 1989 Подробно...
Артикул:	[19987]
Цена с учётом выбранных опций: 0руб.
На складе:	В наличии
Цена:	договорная

Заказать

Описание

2Д222ЕС диодной сборки:

2Д222ЕС - это диодная матрица Шоттки артикул согласно ГОСТ
сборки полупроводниковые диодные Шоттки применяются в источниках низкого напряжения вторичного питания и прочих схемах радиоэлектронного оборудования в широком спектре применения. Кремний-выпрямительные диодные сборки с совместным катодом на барьере Шоттки в керамометаллическом корпусе 4116.4-3 и соответствуют ГОСТ В 28146. С рабочей температурой кристалла до 150oC, низкой потерей мощности, высокоэффективные, низким падением напряжения, высокой рабочей частотой. Маркировка наносится на металлической части корпуса кодовая. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует 2) техническим условиям аА0.339.327ТУ.

Основные параметры:
Тип	Uобр., V	Uпр., V	Iпр., A	Код маркировки
2Д...АС	20	0,6	2х3	81
2Д...БС	30	0,6	2х3	82
2Д...ВС	40	0,6	2х3	82
2Д...ГС	20	0,65	2х3	87
2Д...ДС	30	0,65	2х3	88
2Д222ЕС	40	0,65	2х3	89

Ссылки на технические материалы

ссылки на дополнительный материал:
карта	фото	схема выводов
значение выводов	параметры	предельные параметры
эксплуатация	производитель

Знак завода изготовителя

Габаритные размеры и схема расположения выводов

Назначение выводов: 8 - катод; 11 - анод; 17 - анод.
Вес не превышает 6g.

Основные электро параметры при t=25+-10 градусов цельсия

таблица основных электро параметров:
Название параметра, режим замера, единица замера	Буквенное обозначение	2Д...АС 2Д...БС 2Д...ВС	2Д...ГС 2Д...ДС 2Д222ЕС
Константное прямовключенное напряжение на элементе, меньше, (Iпр.=3A) в НКУ (tср=-60oC)	Uпр	0,6V 0,68V	0,65V 0,75V
Константный инверсный ток сквозь каждый элемент, меньше	Iобр	2mA	2mA
Усредненный инверсный ток сквозь элемент, меньше, в режиме однополупериодного выпрямления напряжения синусоидальной формы частотой 50Hz (tкорп=125оС)	Iобр.ср.	25mA	10mA

Предельные параметры

Предельно-допустимые условия эксплуатации:
Параметр	Обозначение	2Д...АС 2Д...ГС	2А...БС 2Д...ДС	2Д...ВС 2Д222ЕС
Максимально-разрешенный средний прямовключенный ток сквозь любой элемент, A	Iпр.ср.макс.
от -60оС tср до 100оС tкорп		3	3	3
tкорп=125оС		1	1	1
Максимально-разрешенный импульсный ток синусоидальной формы длительностью 10ms сквозь любой элемент, A	Iпр.и.макс.
от -60оС tср до 100оС tкорп		150	150	150
tкорп=125оС		50	50	50
Максимально-разрешенное импульсное инверсное напряжение, V	Uобр.и.макс.	20	30	40
Максимально-разрешенная температура кристала, оС	tкр.	+150	+150	+150

Устойчивость к воздействиям

Устойчивость 2Д222ЕС к внешнему воздействию:
Низкая температура ОС	-60oC
Предельная температура оболочки	+125oC
Разрешенное показатели статического потенциала	500V
Внутреняя резонансная частота	7kHz
Внутреннее 2Д222ЕС тепловое сопротивление	4oC/W