2Д222ЕС 1990 диод полупроводниковый кремниевый
увеличить... |
|
2Д222ЕС диодной сборки:
2Д222ЕС - это диодная матрица Шоттки артикул согласно ГОСТсборки полупроводниковые диодные Шоттки применяются в источниках низкого напряжения вторичного питания и прочих схемах радиоэлектронного оборудования в широком спектре применения. Кремний-выпрямительные диодные сборки с совместным катодом на барьере Шоттки в керамометаллическом корпусе 4116.4-3 и соответствуют ГОСТ В 28146. С рабочей температурой кристалла до 150oC, низкой потерей мощности, высокоэффективные, низким падением напряжения, высокой рабочей частотой. Маркировка наносится на металлической части корпуса кодовая. Климатическое исполнение УХЛ и соответствует 2) техническим условиям аА0.339.327ТУ.
Тип | Uобр., V | Uпр., V | Iпр., A | Код маркировки |
2Д...АС | 20 | 0,6 | 2х3 | 81 |
2Д...БС | 30 | 0,6 | 2х3 | 82 |
2Д...ВС | 40 | 0,6 | 2х3 | 82 |
2Д...ГС | 20 | 0,65 | 2х3 | 87 |
2Д...ДС | 30 | 0,65 | 2х3 | 88 |
2Д222ЕС | 40 | 0,65 | 2х3 | 89 |
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | параметры | предельные параметры |
эксплуатация | производитель | |
Знак завода изготовителя
Габаритные размеры и схема расположения выводов
Назначение выводов: 8 - катод; 11 - анод; 17 - анод.
Вес не превышает 6g.
Основные электро параметры при t=25+-10 градусов цельсия
Название параметра, режим замера, единица замера | Буквенное обозначение |
2Д...АС 2Д...БС 2Д...ВС |
2Д...ГС 2Д...ДС 2Д222ЕС |
Константное прямовключенное напряжение на элементе, меньше, (Iпр.=3A) в НКУ (tср=-60oC) |
Uпр |
0,6V 0,68V |
0,65V 0,75V |
Константный инверсный ток сквозь каждый элемент, меньше | Iобр | 2mA | 2mA |
Усредненный инверсный ток сквозь элемент, меньше, в режиме однополупериодного выпрямления напряжения синусоидальной формы частотой 50Hz (tкорп=125оС) | Iобр.ср. | 25mA | 10mA |
Предельные параметры
Параметр | Обозначение |
2Д...АС 2Д...ГС |
2А...БС 2Д...ДС |
2Д...ВС 2Д222ЕС |
Максимально-разрешенный средний прямовключенный ток сквозь любой элемент, A | Iпр.ср.макс. | |||
от -60оС tср до 100оС tкорп | 3 | 3 | 3 | |
tкорп=125оС | 1 | 1 | 1 | |
Максимально-разрешенный импульсный ток синусоидальной формы длительностью 10ms сквозь любой элемент, A | Iпр.и.макс. | |||
от -60оС tср до 100оС tкорп | 150 | 150 | 150 | |
tкорп=125оС | 50 | 50 | 50 | |
Максимально-разрешенное импульсное инверсное напряжение, V | Uобр.и.макс. | 20 | 30 | 40 |
Максимально-разрешенная температура кристала, оС | tкр. | +150 | +150 | +150 |
Устойчивость к воздействиям
Низкая температура ОС | -60oC |
Предельная температура оболочки | +125oC |
Разрешенное показатели статического потенциала | 500V |
Внутреняя резонансная частота | 7kHz |
Внутреннее 2Д222ЕС тепловое сопротивление | 4oC/W |