301НР3 1990 микросхема интегральная полупроводниковая
увеличить... |
|
301НР3 сборка резисторная:
301НР3 - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом декодирующая резистивная матрица типа R-2R. Микросборка интегральная пленочного типа. Микросхемы производятся в металлопластиковом корпусе с гибкими контактами. Тип прибора указывается на металлическом корпусе. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125 градС. Климатическое исполнение УХЛ и В при условии защиты микросхемы лаковым покрытием в составе аппаратуры. Микросхема соответствует 2) техническим условиям ОЖ0.345.001 ТУ.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
схема электрическая принципиальная | значение выводов | параметры |
предельные параметры | эксплуатация | производитель |
Знак завода изготовителя
Схема расположения выводов
Обозначение первого вывода. Отсчет выводов производится против часовой стрелки от обозначения первого вывода.
Схема электрическая принципиальная
Назначение выводов
Контакт | Цепь (сопротивление), kOm | |||
НР3 | НР4 | НР5 | НР6 | |
1-27 | R1=2 | R1=10 | R1=20 | R1=40 |
2-27 | R2=2 | R2=10 | R2=20 | R2=40 |
3-27 | R3=1 | R3=5 | R3=10 | R3=20 |
3-26 | R4=2 | R4=10 | R4=20 | R4=40 |
3-25 | R5=1 | R5=5 | R5=10 | R5=20 |
4-25 | R6=2 | R6=10 | R6=20 | R6=40 |
5-25 | R7=1 | R7=5 | R7=10 | R7=20 |
5-24 | R8=2 | R8=10 | R8=20 | R8=40 |
5-23 | R9=1 | R9=5 | R9=10 | R9=20 |
6-23 | R10=2 | R10=10 | R10=20 | R10=40 |
7-23 | R11=1 | R11=5 | R11=10 | R11=20 |
7-22 | R12=2 | R12=10 | R12=20 | R12=40 |
7-21 | R13=1 | R13=5 | R13=10 | R13=20 |
8-21 | R14=2 | R14=10 | R14=20 | R14=40 |
9-21 | R15=1 | R15=5 | R15=10 | R15=20 |
9-20 | R16=2 | R16=10 | R16=20 | R16=40 |
9-19 | R17=1 | R17=5 | R17=10 | R17=20 |
10-19 | R18=2 | R18=10 | R18=20 | R18=40 |
11-19 | R19=1 | R19=5 | R19=10 | R19=20 |
11-18 | R20=2 | R20=10 | R20=20 | R20=40 |
11-16 | R21=1 | R21=5 | R21=10 | R21=20 |
12-16 | R22=2 | R22=10 | R22=20 | R22=40 |
14-16 | R23=2 | R23=10 | R23=20 | R23=40 |
Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Название характеристики, единица и режим замера | Тип (типономинал) | Норма | |
меньше | больше | ||
Сопротивление резисторов , kOm. Температура -60, +25, +85 град. Цельсия 2R R |
НР3 |
2,2 1,1 |
1,8 0,9 |
2R R |
НР4 |
11 5,5 |
9 4,5 |
2R R |
НР5 |
22 11 |
18 9 |
2R R |
НР6 |
44 22 |
36 18 |
Относительная погрешность коэффициентов деления - бк, %. Напряжение на входе меньше 12.6V. Температура +25 град. Цельсия Температура -60, +85 град. Цельсия |
НР3, НР4, НР5, НР6 |
+-0,01 +-0,022 |
- - |
Сопротивление изоляции R, MOm. Температура -60, +25, +85 град. Цельсия. Испытательное напряжение 100V прикладывается между экраном и закороченными выводами. | - | 100 | |
Температурный коэффициент сопротивления резисторов - ТКС, I град. Цельсия. При температуре -60, +25, +85 град. Цельсия. | +-2,5*10^-4 | - | |
Время установления переходного процесса t уст, us. Температура -60, +25, +85 град. Цельсия |
НР3 - НР4 НР5 - НР6 |
0,5 1 |
- - |
Предельные параметры
Название характеристики, единица и режим замера | Тип (типономинал) | Примечание | ||
больше | меньше | |||
Рассеиваемая мощность в корпусе - P рас, mW | НР3 - НР6 | - | 150 |
Указания по эксплуатации
1. Выводы микросхем формовке не подлежат. В технически обоснованных случаях допускается удалять не рабочие выводы микросхем и излишки рабочих выводов после пайки любым способом, исключающим нарушение запрессовки вывода в основании корпуса и не приводящим к ухудшению электрических параметров микросхем. |
2.Установку микросхем на плату в аппаратуре производят с опорой на ребра жесткости основания корпуса и приклейкой клеями или прилакировкой. |
3. Разрешен 3-х кратный монтаж и демонтаж микросхем, при этом электрические параметры должны соответствовать нормам ТУ. |
4. Промежутки между пайкой соседних контактов не меньше 10s, жало-паяльника должно быть заземлено. |
5. Для повышения влагоустойчивости микросхемы 301НР3 должны быть покрыты после монтажа на плату тремя слоями лака Э-4100 или УР-231, температура сушки лака не должна превышать 80 град.+-3 С |