КЛ1839ВТ1 1991 микросхема интегральная полупроводниковая
увеличить... |
|
КЛ1839ВТ1 микросхемы полупроводниковой:
КЛ1839ВТ1 - это интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)микросхемы интегральные используются в РЭА в большой области применения с функционалом схема управления памятью. Назначены для управления основной памятью на микросхеме емкостью 256кбит или 1Мбит и КЭШ-памятью на К132РУ13 или на аналогичных. Микросхемы выполнены в керамометаллическом корпусе 6111.132-3. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ и соответствуют техническим условиям.
Чувствительность микросхем к статическому электричеству обозначается равносторонним треугольником, который проставляют на любом свободном месте поля маркировки (допускается проставлять на обратной стороне корпуса).
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема контактов |
значение контактов | параметры | предельные параметры |
эксплуатация | ||
Знак завода изготовителя
Схема расположения контактов микросхемы
Обозначение выводов показано условно.
Таблица назначения контактов микросхемы
Электрические параметры
Наименование параметра, режим измерения, единица измерения | Норма | |
больше | меньше | |
Номинальное напряжение питания, V | 5-5% | 5+5% |
Вых напряжение низкого уровня, V | 0,45 | |
Вых напряжение высокого уровня, V | 4,1 | |
Ток потребления, mA | 4 | |
Ток потребления динамический, mA | 250 | |
Ток утечки на входе, uA | 1 | |
Ток утечки на выходе, uA | 5 | |
Потребляемая мощность, W | 1,6 | |
Тактовая частота, MHz | 10 | |
Частота регенерации, kHz | 64 | |
Вх/вых емкость, емкость входа/выхода, pF | 15 | |
Время цикла выборки, ns: команды из ОЗУ; | 800 | |
команды из КЭШ-памяти; | 200 | |
данных из ОЗУ. | 800 |
Предельные КЛ1839ВТ1 параметры