159НТ101В, Микросхема интегральная

159НТ101В микросхемы полупроводниковой:

159НТ101В — интегральная микросхема (артикулярное наименование в соответствии с ГОСТ)
микросхемы интегральные используются в радио-электронной аппаратуре в широком спектре применения с функциональным назначением базовая схема дифференциального усилителя. Микросхемы выполнены в металлостеклянном корпусе. Тип операционного усилителя указывается на металлическом корпусе. Рабочая температура эксплуатации микросхемы от -60 до +125 град С. Климатическое исполнение микросхемы УХЛ и соответствует техническим условиям для: 2) ХМ3.456.014ТУ.

Ссылки на технические материалы

ссылки на 159НТ101В дополнительный материал:

карта	электрическая схема	схема выводов
значение выводов	параметры	параметры в течении 50000 часов
допустимые параметры	PDF

Знак завода изготовителя

Схема расположения выводов

Вес не превышает: для НТ1 1,5g; для НТ101 1,4g.
Длина выводов микросхем: для НТ1 20mm; для НТ101 13.5mm.

Схема электрическая принципиальная

Назначение выводов

таблица 159НТ101В назначение выводов:

Контакт	Цепь	Контакт	Цепь
1	Балансировка	5	Балансировка
2	Вход инвертирующий	6	Выход
3	Вход неинвертирующий	7	Напряжение питания плюс Uип
4	Напряжение питания минус Uип	8	Коррекция

Условия эксплуатации

Микросхемы 159НТ101В допускают эксплуатацию в условиях и после воздействия на них следующих механических нагрузок: вибрация в диапазоне частот от 1 до 5000Hz с максимальным ускорением 40g; многократных ударов с максимальным ускорением 150g при длительности удара от 1 до 3ms; одиночных ударов с максимальным ускорением 1000g при длительности удара от 0,2 до 1ms; линейных (центробежных) нагрузок с максимальным ускорением 500g.
Микросхемы допускают эксплуатацию в условиях воздействия на них следующих климатических факторов: температуры окружающей среды от 213 до 398К; относительная влажность воздуха 98% при температуре 308К без конденсации влаги; смены температуры от 213 до 398К.

Основные электро параметры при t=25+-10 градусов цельсия

таблица основные 159НТ101В электро параметры:

Наименование параметра, режим замера, единица замера		Тип микросхемы	Допуск
Обратный ток коллектора, nA, не более (при UСВ=20V)		НТ1А-НТ1Е	20
Обратный ток эмиттера, nA, не более (при UВЕ=4V)		НТ1А-НТ1Е	50
Начальный ток коллектора, nA, не более (при UСЕ=20V, RВ=10^4Om)		НТ1А-НТ1Е	50
Ток утечки между транзисторами, nA, не более (при UTIT2=25V)		НТ1А-НТ1Е	10
Статический коэффициент прямой передачи в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала, в пределах, (при UСВ=5V, f=50Hz, tU=2ms)	IE=1mA	НТ1А, НТ1Г	30-90
		НТ1Б, НТ1Д	60-180
	IE=0,05mA	НТ1Б, НТ1Е	не менее 80
Отношение статических коэффициентов прямой передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала, не менее (при UСВ=5V, f=50Hz, tU=2ms)	IE=1mA	НТ1А, НТ1Б	0,9
		НТ1Г, НТ1Д	0,8
	IE=0,05mA	НТ1В	0,92
		НТ1Е	0,8
Модуль коэффициента передачи тока на высокой частоте, не менее (при UCB=5V, IE=3mA, f=10^8Hz)		НТ1А-НТ1Е	2,5
Модуль разности прямых напряжений эммитер-база, mV, не более (UCB=5V, IE=1mA)		НТ1А-НТ1В	3,0
		НТ1Г-НТ1Е	10
Емкость коллекторного перехода, pF, не более (при UCB=5V, f=10^7Hz)		НТ1А-НТ1Е	3,0
Емкость эммитерного перехода, pF, не более (при UEB=1V, f=10^7Hz)		НТ1А-НТ1Е	4,0

Электрические параметры в течение 50000 часов эксплуатации

Параметры 159НТ101В в течении 50000 часов эксплуатации

Наименование параметра, режим замера, единица замера		Тип микросхемы	Допуск
Начальный ток коллектора, nA, не более		НТ1А-НТ1Е	1,0
Обратный ток эммитера, nA, не более		НТ1А-НТ1Е	250
Ток утечки между транзисторами, nA, не более		НТ1А-НТ1Е	50
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала, в пределах, не менее	IE=1mA	НТ1А, НТ1Г	20-100
		НТ1Б, НТ1Д	40-200
	IE=0,05mA	НТ1Б, НТ1Е	55
Отношение статических коэффициентов прямой передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала, не менее	IE=1mA	НТ1А, НТ1Б	0,8
		НТ1Г, НТ1Д	0,7
	IE=0,05mA	НТ1В	0,8
		НТ1Е	0,7
Модуль разности прямых напряжений эммитер-база, mV, не более		НТ1А-НТ1В	5
		НТ1Г-НТ1Е	15

Допустимые режимы эксплуатации

Допустимые 159НТ101В режимы

Наименование параметра, режим замера, единица замера	Допустимое значение параметров	Примечание
Максимально допустимое напряжение коллектор-база, V	20	В диапазоне температур от 213 до 398К
Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер, V	20
Максимально допустимое напряжение эммитер-база, V	4
Максимально допустимое напряжение между транзисторами, V	25
Максимально допустимый ток коллектора, mA	10
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, mA	40
Максимально допустимая мощность рассеивания, mW	75	В диапазоне температур от 213 до 358К

Указания по применению и эксплуатации

Установка и извлечение микросхем 159НТ101В из контактирующих устройств при измерениях, ремонте и входном контроле электрических параметров должны производиться при выключении источника питания. При монтаже микросхемы допускается производить изгиб выводов на расстоянии 1-4mm от корпуса микросхемы, радиус изгиба 1+-0,5mm.
Пайку выводов допускается производить на расстоянии 1+0,5mm от корпуса микросхемы.
Не рекомендуется использовать микросхему в совмещенных предельных электрических и температурных режимах.
При упаковке, хранении, входном контроле и монтаже микросхем в узлы и блоки аппаратуры, а также при их эксплуатации должны быть приняты меры по защите от статического электричества. Допустимое значение статического потенциала не более 100V.

Хранение

Микросхемы 159НТ101В следует хранить в упаковке предприятия-изготовителя, вмонтированными в аппаратуру, в комплекте ЗИП при условиях: в отапливаемых (или охлаждаемых) и вентилирующих складах при температуре от 278 до 313К и относительной влажности воздуха до 80% при температуре 298К.