198НТ1Б, Микросхема интегральная
для приобретения (купить, заказать) данного товара напишите нам на sales@iElekt.ru или перейдите по ссылке на страницу покупки заинтересовавшего Вас товара:
![ЗАКАЗАТЬ ЗАКАЗАТЬ](/images/zakaz.jpg)
.
Вернуться на "главную" страницу сайта ![ГЛАВНАЯ ГЛАВНАЯ](/images/main.jpg)
.
Согласовать цену, уточнить наличие и условия поставки компонентов или связаться с менеджером. Перейдите в раздел ![КОНТАКТЫ КОНТАКТЫ](/images/cotact.jpg)
.
198НТ1Б микросхемы полупроводниковой:
198НТ1Б — цифровая микросхема являются транзисторной логикой с функционалом матрицы транзисторов NPN типаи используются в РЭА в большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе 401.14-5. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации от минус 60 до плюс 125град С. Климатически исполнены УХЛ и соответствует 2) техусловиям ШП0.348,002ТУ.
Ссылки на технические материалы
Знак завода изготовителя
Расположения выводов схематическое
![198НТ1Б схема расположение выводов схема расположение выводов](/products_pictures/533la3-mezon-au-1988-16908-B.jpg)
ТИП1 вес не превышает 0,5g.
![198НТ1Б схема расположение выводов схема расположение выводов](/products_pictures/533la3-mezon-ni-1997-16141-B.jpg)
ТИП2 вес не превышает 0,6g.
Схема электрическая принципиальная для НТ1
![198НТ1Б назначение выводов назначение выводов](/products_thumb/198nt1-3_2.jpg)
Для НТ2 - без транзистора VT4
Для НТ3 - без транзистора VT1
Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
таблица основных 198НТ1Б электро показателей:
Название характеристики, единица и режим замера |
Буквенное обозначение |
Допуск |
НТ1А, НТ2А |
НТ1Б, НТ2Б |
НТ1В |
НТ3 |
больше |
меньше |
больше |
меньше |
больше |
меньше |
больше |
меньше |
Статический коэффициент передачи тока транзистора (при Uкб=3V; Iэ=0,5mA; для НТ1В Iэ=0,05mA) |
h21э |
30 |
200 |
30 |
200 |
50 |
150 |
30 |
200 |
Обратный ток коллектора, uA (при Uкб=6V) |
IКБО |
- |
0,05 |
- |
0,05 |
- |
0,05 |
- |
0,05 |
Напряжение насыщения база-эммитер, V (при Iк=3mA, Iб=0,5mA) |
I БЭнас |
- |
0,8 |
- |
0,8 |
- |
0,8 |
- |
0,8 |
Напряжение насыщения коллектор-эммитер, V (при IК=3mA, IБ=0,5mA) |
U КЭнас |
- |
0,2 |
- |
0,2 |
- |
0,2 |
- |
0,2 |
Разброс статических коэффициентов передачи тока транзисторов дифференциальной пары, % (при Uкб=3V; Iэ=0,5mA; для НТ1В Iэ=0,05mA) |
Sh21Э |
- |
15 |
- |
15 |
- |
15 |
- |
15 |
Разброс напряжения между базой и эмиттером транзисторов дифференциальной пары, mV (при сумIЭ=0,5mA, UКБ=3V) |
бUБЭ |
- |
3 |
- |
10 |
- |
3 |
- |
- |
Предельные 198НТ1Б параметры
©
ЭЛЕКТ (iElekt.ru) -
радиодетали и электронные компоненты оптом со склада в Санкт-Петербурге и на заказ, отечественных и зарубежных производителей почтой во все регионы России
Доставка в города: Нальчик, Нарьян-Мар, Вологда, Курск, Краснодар, Липецк, Сыктывкар, Омск, Симферополь, Санкт-Петербург, Петропавловск-Камчатский, Воронеж, Киров, Пермь, Горно-Алтайск, Псков, Салехард, Волгоград, Владимир, Нижний Новгород, Ульяновск, Пенза, Калуга, Саранск, Челябинск, Грозный, Московская область, Уфа, Владивосток, Кызыл, Томск, Чита, Казань, Смоленск, Элиста, Тула, Астрахань, Екатеринбург, Дудинка, Курган, Якутск, Иркутск, Новосибирск, Калининград, Барнаул, Кемерово, Ростов-на-Дону, Хабаровск, Ставрополь, Ханты-Мансийск, Абакан, Владикавказ, Магадан, Рязань, Красноярск, Оренбург, Биробиджан, Благовещенск, Магас, Великий Новгород, Белгород, Южно-Сахалинск, Тюмень, Петрозаводск, Чебоксары, Кострома, Ярославль, Орел, Анадырь, Махачкала, Майкоп, Самара, Черкесск, Мурманск, Йошкар-Ола, Ижевск, Москва, Тамбов, Улан-Удэ, Иваново, Архангельск, Тверь, Брянск, Саратов.