765КТ3-1Н 1990 микросхема интегральная полупроводниковая
увеличить... |
|
765КТ3-1Н микросхема полупроводниковая:
765КТ3-1Н - это интегральная микросхема артикул согласно ГОСТмикросхемы бескорпусные используются в радиоэлектронной аппаратуре в широком спектре применения и предназначена микросхема интегральная бескорпусная для работы в качестве четырех двунаправленных переключателей. Применяется в качестве элементов составных интегральных чипов, микрочипов, блоков и аппаратуры, создающих герметичность и защищенность диодов СВЧ от влияния высокого уровня влажности, солей пыли, плесени, изморози и водяных осадков и перепадов давления. Модель прибора указывается на индивидуальной таре. Климатическое исполнение микросхем УХЛ и соответствует техническим условиям ТУ.
Микросхема 2) соответствует техническим условиям бК0.347.151ТУ4.
Микросхема Н 4) соответствует техническим условиям бК0.347.151ТУ4 и РМ 11091926-81-Н.
Ссылки на технические материалы
карта | фото | схема выводов |
значение выводов | параметры | предельные параметры |
эксплуатация | производитель | |
Знак завода изготовителя
Схема расположения выводов
Назначение выводов
Номер вывода | Назначение вывода |
1, 4, 8, 11 | Входы |
2, 3, 9, 10 |
Выходы |
5, 6, 12, 13 | Управляющие входы |
7 | Питание (Uсс2) |
14 | Питание (Uсс1) |
Основные электрические параметры при t=25+-10 градусов Цельсия
Название характеристики, режим и единица замера | Норма | |
меньше | больше | |
Ток потребления в статическом режиме в состоянии логического нуля, uA (Uсс1=10V, Uсс2=0V, Uупp=0V, Uвыx=10V, Uвx=10V) | - | 0,5 |
Ток потребления в статическом режиме в состоянии логической единицы, uA (Uсс1=10V, Uсс2=0V, Uупp=0V, Uвыx=10V, Uвx=10V) | - | 0,5 |
Выходное сопротивление ключа, Om (Uупp=Uсс1=10V, Ucc2=0V, Uвx=10V, Jвыx=-0,957mA) (Uупp=Uсс1=5V, Ucc2=0V, Uвx=10V, Jвыx=-0,340mA) (Uупp=Uсс1=5В, Ucc2=-5V, Uвx=5V, Jвыx=-0,478mA) (Uупp=Uсс1=2,5V, Ucc2=-2,5V, Uвx=2,5V, Jвыx=-0,170mA) (Uупp=Uсс1=5V, Ucc2=-5V, Uвx=-5V, Jвыx=0,478mA) (Uупp=Uсс1=2,5V, Ucc2=-2,5V, Uвx=-2,5V, Jвыx=0,170mA) |
- |
500 5000 500 5000 500 5000 |
Входной ток 765КТ3-1Н логического нуля, uA (Uсс1=10V, Uсс2=Uупp=0V) (Uсс1=5V, Uсс2=Uупp=0V) |
- |
/-0,05/ /-0,05/ |
Входной ток логической единицы, uA (Uупp=Uсс1=10V, Uсс2=0V, Jвыx=0,957mA) (Uупp=Uсс1=5V, Uсс2=0V, Jвыx=0,340mA) |
- |
0,05 0,05 |
Ток утечки на выходе, mA (Uсс1=Uвx=5V, Uсс2=Uупp=-5V) (Uсс1=5V, Uвx=-5V, Uсс2=Uупp=-5V) |
- |
/-100/ 100 |
Максимальный ток утечки на выходе, uA (Uсс1=10V, Uсс2=0V, U=3V) (Uсс1=5V, Uсс2=0V, U=1,5V) |
- |
10 10 |
Время задержки распространения входного сигнала при включении (выключении) схемы, ns (Uсс1=10V, Uсс2=0V, C=50pF) (Uсс1=5V, Uсс2=0V, C=50pF) |
- |
20 25 |
Время задержки распространения управляющего сигнала при включении (выключении) схемы, ns (Uсс1=10V, Uсс2=0V, C=50pF) (Uсс1=5V, Uсс2=0V, C=50pF) |
- |
70 125 |
Указания по эксплуатации
1 | Указания по применению и эксплуатации по ОСТ В 11.073.067-82, ОСТ 11.073.062-84 и бК0.347.151 ТУ. |
2 | До монтажа микросхем в ГС необходимо разводку контактных шин ПИТАНИЯ и ОБЩИЙ на плате РЭД соединить электрически между собой. При монтаже необходимо соблюдать следующую последовательность: вначале присоединяется вывод микросхемы ОБЩИЙ, а затем ПИТАНИЕ, потом остальные вывода. |
3 | Категорически запрещается эксплуатация микросхем в составе не герметичных модулей, корпусов и т.д. |
4 | При монтаже должны быть приняты меры, исключающие нагрев кристалла с защитным покрытием выше +85oC. |
5 | При монтаже микросхем в ГС не разрешается изгиб выводов ближе, чем на 0,3mm по длине вывода от места выхода из защитного покрытия и перегиб на инструменте с острыми краями. Не допускается пережатие (расплющивание) выводов. |
6 |
Очередность подачи напряжений на микросхемы 765КТ3-1Н следующая: -напряжение питания; -входное напряжение. Очередность снятия напряжения: -входное напряжение; -напряжение питания. |
7 | Свободные выходы микросхем должны быть соединены с одной из шин питания. |
8 | Для крепления микросхем необходимо использовать составы, не растворяющие защитное покрытие микросхемы. При монтаже микросхем в герметизированную гибридную микросхему не допускается наличие внутри корпуса микросхемы паров этилового спирта, дибутилфтолата, этилцеллозольва, полиэтиленполиамина и других веществ, разрушающих покрытие микросхем. |
9 | Рекомендуется дополнительная просушка гибридной микросхемы пред герметизацией, при температуре меньше 85oC. |
10 | Выводы микросхем 765КТ3-1Н при монтаже рекомендуется подсоединять сваркой. Время теплового импульса меньше 0,2s с интервалом больше 0,5s. Температура жала паяльника не должна превышать 265oC. |
11 | Допускается значение электростатического потенциала меньше 100V. |
12 | При эксплуатации и изменении электропараметров с целью исключения влияния измерительных устройств на результаты измерения, допускается одновременно совмещать все уровни входных и питающих напряжений на одинаковую величину, сохраняя разность потенциалов между выводами микросхем. |
13 | Допускается случайное превышения импульса напряжения управляющего входа над напряжением питания на одном выводе меньше 1V при длительности импульса на уровне 0,5V меньше 1us и скважности больше 2. |
14 | Допускается случайный отрицательный импульс управляющего входа на одном (любом) выводе меньше 1V при длительности импульса на уровне 0,5 меньше 1us и скважности больше 2. |
15 | Неиспользуемые входы (выходы) микросхемы 765КТ3-1Н соединить с выводом 7 |